[0001] Es werden Vorrichtungen und Verfahren beschrieben, mit deren Hilfe es möglich ist,
dünne Schichten mit weitgehend homogener Schichtdicke auf grossflächigen Substraten
mit relativ hohen elektrischen Widerständen elektrochemisch abzuscheiden.
[0002] Oft müssen die abzuscheidenden dünnen Schichten eine hohe Homogenität ihrer Eigenschaften
aufweisen, was in der Regel nur durch eine homogene Schichtdickenverteilung erreicht
wird. Bei diesen dünnen Schichten handelt es sich zum Beispiel um elektro-optisch,
opto-elektrisch oder elektromagnetisch aktive Schichten (beispielsweise elektrochrome
Schichten, Schichten für die Photovoltaik, Magnetspeicherschichten, aber auch Metallisierungen
von Halbleitern).
[0003] Solche dünnen Schichten werden häufig durch Vakuumverfahren abgeschieden. Vakuumverfahren
weisen jedoch eine Reihe von Nachteilen auf, zum Beispiel sind sie vergleichsweise
kostenintensiv und verschiedene dünne Schichten sind prinzipiell nicht durch Vakuumverfahren
herstellbar (beispielsweise Komplexverbindungen oder leitfähige Polymere).
[0004] Elektrochemische Abscheidungen sind preiswerter zu realisieren und ermöglichen auch
Materialien, wie Komplexverbindungen und leitfähige Polymere, abzuscheiden. Die homogene
Abscheidung von dünnen Schichten auf elektrisch leitfähigen Substraten durch elektrochemische
Abscheidung ist Stand der Technik und problemlos möglich, wenn die zu beschichtenden
Substrate Metalle sind und demzufolge eine ausreichend hohe elektrische Leitfähigkeit
aufweisen.
[0005] Der spezifische Widerstand der Metalle liegt im Bereich zwischen 1,5 x 10
-6 Ωcm und 5 x 10
-5 Ωcm. Einige charakteristische spezifische Widerstände von Metallen seien im folgenden
genannt: Silber 1,49 x 10
-6 Ωcm, Kupfer: 1,55 x 10
-6 Ωcm, Aluminium: 2,41 x 10
-6 Ωcm, Nickel 6,05 x 10
-6 Ωcm, Blei 1,88 x 10
-5 Ωcm und Titan: 4,35 x 10
-5 Ωcm.
[0006] Wenn die zu beschichtenden Werkstücke jedoch eine Leitfähigkeit besitzen, die deutlich
unterhalb der der Metalle liegt, erfolgt oft ein so hoher Spannungsabfall von der
Kontaktierung des Werkstücks ausgehend, dass mit zunehmender Entfernung von dieser
Kontaktierung die abgeschiedene Schichtdicke immer geringer wird, so dass bei solchen
Materialien die kostengünstige und gut beherrschte elektrochemische Abscheidung nicht
eingesetzt werden kann und dann oft durch wesentlich kompliziertere und meist auch
teurere Verfahren, wie zum Beispiel durch Vakuumbeschichtungsverfahren abgelöst werden
muss. Materialien mit solchen niedrigeren Widerständen sind vor allem die in der Mikroelektronik
weitverbreitet angewendeten Halbleitermaterialien, wie zum Beispiel Germanium, Silizium,
Galliumarsenid oder Indiumphosphid. Die spezifischen Widerstände dieser Halbleitermaterialien
liegen im Bereich von 10
3 Ωcm für sogenanntes semiisolierendes Material und bis zu 10
-4 Ωcm für hochdotierte Varianten.
[0007] Auch elektrisch leitfähige, optisch transparente Materialien, die zum Beispiel als
Ansteuerelektroden für Flüssigkristallanzeigen, organische LED-Systeme und elektrochrome
Anordnungen Verwendung finden, haben deutliche geringere elektrische Leitfähigkeiten
als die Metalle. Solche Materialien sind zum Beispiel zinndotiertes Indiumoxid, auch
ITO genannt (von ITO ... indium tin oxide), Fluor- oder Antimon-dotiertes Zinndioxid
oder Aluminium-dotiertes Zinkoxid. Die spezifischen Widerstände dieser Materialien
sind typischerweise 1 bis 2 Größenordnungen größer als die der Metalle.. Diese transparenten
leitfähigen Materialien werden üblicherweise in Schichtdicken kleiner 1 µm auf Glas-
oder Kunststoffsubstrate aufgebracht, wodurch sich Flächenwiderstände ergeben, die
meist deutlich größer als 1 Ω/□ sind.
[0008] Aber auch beim Einsatz von dünnen Metallfilmen auf nichtleitenden Substraten kann
trotz des geringen spezifischen Widerstandes der Metalle aufgrund der niedrigen Schichtdicke
ein hoher Spannungsabfall auftreten.
[0009] Je größer der spezifische elektrische Widerstand solcher Materialien, je geringer
ihre Schichtdicke, je höher die für die elektrochemische Abscheidung anzuwendenden
Stromdichten und je größer die zu beschichtenden Flächen, umso größer wird der Spannungsabfall
auf dem zu beschichtenden Substrat. Mit zunehmenden Spannungsabfall wird die Homogenität
der abgeschiedenen Schichten immer schlechter. Besonders große Anforderungen an die
Homogenität solcher elektrochemisch abgeschiedenen Schichten werden bei optisch aktiven
Schichten, zum Beispiel bei elektrochromen oder photochromen Schichten gestellt.
[0010] Es sind nach dem Stand der Technik nur wenige Verfahren bekannt, mit denen versucht
wird, den Spannungsabfall in elektrisch leitfähigen Substraten mit vergleichsweise
geringen elektrischen Leitfähigkeiten zu kompensieren, um elektrochemische Beschichtungstechniken
einsetzen zu können. Diese im nachfolgenden beschriebenen Verfahren weisen jedoch
alle eine Reihe von Nachteilen auf, die mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung und
dem erfindungsgemäßen Verfahren überwunden werden.
[0011] Um Halbleiterscheiben mit möglichst homogenen Metallfilmen beschichten zu können,
wird in der Patentschrift US6110346 vorgeschlagen, den Spannungsabfall über die Halbleiterscheibe
in einem ersten Zeitbereich dadurch zu begrenzen, dass bei sehr geringen Stromdichten
abgeschieden wird.
[0012] Der dabei erhaltene primäre Metallfilm stellt bei ausreichender Dicke eine elektrische
Leitfähigkeit zur Verfügung, die auch bei höheren Stromdichten kaum noch zu einem
lateralen Spannungsabfall über die Halbleiterscheibe führt. Deshalb kann in einem
zweiten Zeitbereich bei den bei Metallabscheidungen üblichen höheren Stromdichten
weiter abgeschieden werden. Dieses Verfahren ist jedoch nur anwendbar, wenn die abzuscheidenden
Schichten einen niedrigen spezifischen Widerstand haben, wie es bei Metallen der Fall
ist. Wenn die abgeschiedenen dünnen Schichten Halbleiter oder andere schlecht leitfähige
Schichten mit spezifischen Widerständen größer 5 x 10
-5 Ωcm, wie zum Beispiel elektrochrome oder photochrome Schichten, sind, liefern sie
keine signifikante Verbesserung des elektrischen Widerstandes des Substrats. Die Herabsetzung
der Stromdichte in dem ersten Zeitbereich führt außerdem zu einer Verlängerung der
Prozessdauer.
[0013] In der Patentschrift US 6132587 werden verschiedene Möglichkeiten angegeben, um die
Homogenität der Metallabscheidung auf Halbleiterscheiben zu verbessern. Dazu dienen
unter anderem die Erhöhung des Elektrolytwiderstandes zwischen Gegenelektrode und
zu beschichtendem Werkstück durch Verringerung der lonenleitfähigkeit des Elektrolyten,
durch Vergrößerung des Elektrodenabstandes oder durch Einbringen eines porösen Separators.
Auch die Verwendung einer kleineren Gegenelektrode und die periodische Stromumkehr
(Polaritätswechsel) sollen zur Verbesserung der Homogenität der Abscheidung führen.
Alle diese Maßnahmen führen jedoch nur bei relativ kleinflächigen Substraten zu einer
substantiellen Verbesserung der Abscheidungshomogenität und sind deshalb für die vorliegende
Aufgabenstellung nicht anwendbar.
[0014] In der US Patentschrift US 5110420 wird vorgeschlagen, homogene elektrochemische
Abscheidungen auf Substraten mit relativ hohen Widerständen dadurch zu erreichen,
dass die Gegenelektrode zum zu beschichtenden Substrat wesentlich schmaler gestaltet
wird, als das zu beschichtende Substrat selbst und im Elektrolyten so positioniert
wird, dass sie einen möglichst großen Abstand zum Kontaktierungsbereich oder den Kontaktierungsbereichen
des zu beschichtenden Substrats aufweist. Es sind verschiedene technische Ausführungsformen
dieses Verfahrens beschrieben. Es hat sich aber gezeigt, dass dieses Verfahren nur
bei relativ kleinflächigen Substraten anwendbar ist, da im wesentlichen nur die Gebiete,
die der schmalen Gegenelektrode direkt gegenüberliegen, elektrochemisch beschichtet
werden. Bei grösserflächigen Substraten entstehen nach diesem Verfahren deshalb Bereiche
mit nur sehr geringer Abscheidung, so dass das Verfahren nicht für die vorliegende
Aufgabenstellung anwendbar ist.
[0015] In der Patentschrift US 4818352 wird ein Verfahren beschrieben, um elektrochrome
Schichten, insbesondere Preussisch-Blau-Schichten auf großflächigen Substraten mit
relativ hohen elektrischen Widerständen wie zum Beispiel dünnen ITO- oder dünnen dotierten
Zinndioxidschichten auf Glas abzuscheiden. Eine Verbesserung der Homogenität wird
dadurch erreicht, dass die zu beschichtende Glasscheibe nicht nur einseitig an einer
Kante, sondern rundum an allen Kanten kontaktiert wird. Durch diese Rundumkontaktierung
kann man die Homogenität der elektrochemischen Abscheidung etwas verbessern, da der
Spannungsabfall jetzt nicht mehr nur von einer Kontaktierungsstelle aus über die gesamte
zu beschichtende Fläche, sondern von allen 4 Seiten aus über die Fläche erfolgt. Wenn
die so kontaktierte Fläche eine bestimmte Größe überschreitet, wird aber die durch
den Spannungsabfall erfolgende Inhomogenität der elektrochemischen Abscheidung wiederum
zu groß für einen technischen Einsatz des Produkts. Deshalb wird in der genannten
Patentschrift US4818352 bei Flächen, die eine bestimmte Größe überschreiten, das Aufkleben
zusätzlicher Kontaktierungsstreifen quer über die zu beschichtende Fläche vorgeschlagen.
Dadurch lässt sich das Problem des zu hohen Spannungsabfalls von den Kontaktierungsstellen
aus verbessern, man erhält aber jetzt Werkstücke, die unbeschichtete Stellen in den
Gebieten aufweisen, auf die zusätzliche Kontaktierungsstreifen aufgebracht wurden.
Weiterhin ist nachteilig, dass die im Elektrolyten befindlichen Kontaktierungsstreifen
in der Regel gegen den Elektrolyten elektrisch isoliert werden müssen. Diese Art der
Rundumkontaktierung und des zusätzlichen Aufbringens von Kontaktierungsstreifen auf
das zu beschichtende Substrat ist also auch nicht geeignet, dünne Schichten mit hohen
Anforderungen an die Homogenität der Schichtdicke auf großflächigen Substraten mit
geringer elektrischer Leitfähigkeit elektrochemisch aufzubringen.
[0016] In JP4143299 wird ein Verfahren zur elektrochemischen Beschichtung eines Halbleiter-Wafers
beschrieben. Der zu beschichtende Halbleiterwafer ist mit einer elektrisch leitfähigen
Schicht und einer darauf befindlichen Photomaske versehen. Das durch die Photomaske
definierte Muster soll homogen elektrochemisch beschichtet werden. Eine homogene Abscheidung
auf diesem Substrat wird erhalten, indem die Anode in separate Anodenchips geteilt
wird. Die Anodenchips werden durch unabhängige Spannungsquellen angesteuert.
[0017] In der US Patentschrift US5156730 wird ein Elektrodenarray aus Anodensegmenten beschrieben,
die individuell elektrisch angesteuert werden. Dieses Array dient zum Beispiel dazu,
die Anodengrösse einfach an unterschiedlich grosse, zu beschichtende Werkstücke anpassen
zu können.
[0018] Mit den in JP4143299 und US5156730 beschriebenen Anordnungen ist es prinzipiell möglich,
auch grössere Substrate mit höheren Widerständen homogener zu beschichten, als bei
Verwendung einer nichtsegmentierten Gegenelektrode und nur einer Spannungsquelle.
Diese Anordnungen sind insbesondere zur homogenen elektrochemischen Beschichtung von
Halbleiterwafern geeignet.
[0019] Wenn der Spannungsabfall über das zu beschichtende Substrat aber ein bestimmtes Maß
übersteigt (z.B. bei Formaten grösser 0,1 m
2 und Widerständen grösser 1 Ω/□) wird im Bereich der Dreiphasengrenze - Elektrolyt
/ Luft / grossflächiges Substrat - bei Verwendung der oben beschriebenen segmentierten
Gegenelektroden allein zuviel Material auf dem Substrat abgeschieden, so dass keine
homogene Schichtdickenverteilung mehr erreicht wird. Solche Verhältnisse liegen zum
Beispiel bei der elektrochemischen Beschichtung von mit transparenten leitfähigen
Schichten versehenen Glas- oder Kunststoffscheiben bei Formaten grösser 0.1 m
2 vor.
[0020] Alle diese nach dem Stand der Technik vorgeschlagenen Verfahren und Vorrichtungen
sind nicht geeignet, den Spannungsabfall bei großflächigen Substraten soweit zu vermindern
oder zu kompensieren, dass es zur homogenen elektrochemischen Abscheidung der gewünschten
dünnen Schichten kommt.
[0021] Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren
anzugeben, mit denen es ermöglicht wird, großflächige Substrate mit vergleichsweise
hohen elektrischen Widerständen durch elektrochemische Abscheidung mit dünnen Schichten
weitgehend homogener Schichtdicke zu versehen. Insbesondere soll auch die großflächige
elektrochemische Abscheidung elektro-optischer und opto-elektrischer dünner Schichten,
vorzugsweise elektrochromer oder photochromer Schichten, möglich werden, an deren
Qualität besonders hohe Anforderungen gestellt werden. Die Erfindung soll insbesondere
auch geeignet sein, Flächen größer 1 m
2, beispielsweise Wärmeschutzgläser für lsolierglasfenster mit Größen von 1,20 m x
2,00 m, elektrochemisch mit dünnen Schichten zu versehen, so dass die damit hergestellten
Produkte in der Gebäudeverglasung einsetzbar sind.
[0022] Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch eine Vorrichtung gemäß Anspruch 1 gelöst,
wobei die Gegenelektrode in mehrere Elektrodensegmente aufgeteilt wird und zwischen
jedem einzelnen Elektrodensegment und dem zu beschichtenden Substrat voneinander verschiedene
Spannungen angelegt werden können. Bei Verwendung einer auf diese Weise segmentierten
Gegenelektrode werden im wesentlichen von jedem Elektrodensegment die diesem gegenüberliegenden
Teile des grossflächigen Substrats beschichtet. Dadurch wird gewährleistet, dass eine
weitgehend homogene Stromdichteverteilung über das gesamte zu beschichtende Substrat
erreicht wird. Diese Stromdichteverteilung ist die Vorraussetzung für eine gute Homogenität
der abgeschiedenen Schichten.
[0023] Zum besseren Verständnis werden anhand von 2 Figuren mögliche Ausführungsvarianten
schematisch dargestellt.
[0024] Figur 1 zeigt ein Beispiel für die erfindungsgemäße segmentierte Gegenelektrode.
[0025] Figur 2 zeigt eine Elektrolysezelle mit dem zu beschichtenden Substrat und segmentierter
Gegenelektrode.
[0026] Oft ist es günstig, die einzelnen segmentierten Gegenelektroden als schmale Streifen
auszuführen. Diese können bevorzugterweise alle im gleichen Abstand vom zu beschichtenden
Substrat im Elektrolyten positioniert werden. Zu diesem Zweck können sie beispielsweise
auf einer Kunststoffplatte befestigt werden, wie das in
Figur 1 schematisch dargestellt ist.
[0027] Mit
1 ist hierbei die Kunststoffplatte bezeichnet, auf der die Elektrodenstreifen
2 mittels Befestigungsschrauben
3 fixiert sind. Zur Kontaktierung dienen Metallschienen
4, beispielsweise aus Titan, die auf der Rückseite der Kunststoffplatte
1 nach oben geführt werden und unter Verwendung von Metallschrauben
5, die ebenfalls in Titan ausgeführt sein können, mit den jeweiligen Elektrodenstreifen
2 verbunden sind. Die Anzahl und Größe der Elektrodenstreifen können, abhängig von
der Größe des zu beschichtenden Substrats und von den in ihm auftretenden Spannungsabfällen
unterschiedlich dimensioniert werden. Als Elektrodenmaterialien können aktivierte
Titanelektroden, Graphitelektroden oder andere nach dem Stand der Technik übliche
Materialien eingesetzt werden.
[0028] Figur 2 zeigt den Schnitt durch eine Elektrolysezelle mit der erfindungsgemäßen segmentierten
Gegenelektrode, wobei mit
6 das Elektrolysegefäß, mit
7 das zu beschichtende großflächige Substrat mit vergleichsweise großem Widerstand,
mit
8 die Kontaktierung des Substrats und mit
9 die Oberkante der Elektrolytflüssigkeit bezeichnet sind.
[0029] Die in den Figuren dargestellten Formen stellen Beispiele für die erfindungsgemäße
Segmentierung der Gegenelektrode dar. Selbstverständlich können auch andere Varianten
zur Gestaltung der Segmentierung genutzt werden, beispielsweise durch Anbringen der
Segmente direkt an der Wand des Elektrolysegefäßes oder durch die Erzeugung einer
Segmentstruktur auf einer Glas- oder Kunststofffläche durch Bedampfen.
[0030] Erfindungsgemäß wird jedes dieser Gegenelektrodensegmente von einer eigenen Spannungsquelle
angesteuert, wobei ein Pol dieser Spannungsquelle mit dem entsprechenden Gegenelektrodensegment
und der andere Pol einer jeden Spannungsquelle mit dem zu beschichtenden Substrat
verbunden wird. Auf diese Weise kann zwischen jedem Gegenelektrodensegment und dem
Substrat eine eigene individuelle Spannung angelegt werden.
[0031] Bei Realisierung einer homogenen Stromdichte über das Substrat steigt im allgemeinen
die Spannung von der obersten Segmentelektrode ausgehend zur untersten Segmentelektrode
hin an.
[0032] In einer anderen erfindungsgemäßen Ausführung werden alle Gegenelektrodensegmente
von einer Spannungsquelle angesteuert und zwischen dieser Spannungsquelle und jeder
einzelnen Segmentgegenelektrode wird ein geeigneter,
hinsichtlich der elektrischen Parameter angepasster elektrischer Widerstand geschaltet.
Die detaillierte Anpassung des jeweiligen Widerstandes zwischen der Spannungsquelle
und den einzelnen Gegenelektrodensegmenten, erlaubt es, zwischen diesen Gegenelektrodensegmenten
und dem zu beschichtenden Substrat die jeweils für eine homogene Abscheidung nötigen
Spannungen zu realisieren.
[0033] Bei Realisierung einer homogenen Stromdichte über das Substrat steigt im allgemeinen
die Spannung von der obersten Segmentelektrode ausgehend zur untersten Segmentelektrode
hin an.
[0034] In einer erfindungsgemäßen Ausführung werden als Spannungsquellen Gleichrichter verwendet.
Der Einsatz von Gleichrichtern ist die einfachste Möglichkeit, die nötigen individuellen
Spannungen zur Verfügung zu stellen. Mit Gleichrichtern ist ein selbstregulierender
Elektrolysebetrieb möglich, bei dem die für die einzelnen Segmente vorgegebenen Ströme
durch die sich an den Gleichrichtern einstellenden unterschiedlichen Spannungen realisiert
werden.
[0035] In einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführung können als Spannungsquellen auch elektrochemische
Spannungsquellen verwendet werden. Auch durch den Einsatz von elektrochemischen Spannungsquellen,
wie Batterien oder Akkumulatoren, kann die Spannungs- und Stromversorgung der erfindungsgemäßen
Vorrichtung erfolgen.
[0036] In einer erfindungsgemäßen Ausführung weisen die einzelnen Elektrodensegmente der
Gegenelektrode eine einheitliche Größe und geometrische Form auf. Eine solche Ausführungsform
ist in
Figur 1 dargestellt und wurde in den unten beschriebenen Ausführungsbeispielen eingesetzt.
[0037] Erfindungsgemäß wird der zur Erzielung der gewünschten Schicht erforderliche Gesamtstrom
gleichmäßig auf die einzelnen Gegenelektrodensegmente aufgeteilt. Bei gleicher Stromstärke
an jedem Gegenelektrodensegment ergibt sich für jede dieser Gegenelektrodensegmente
eine andere Spannung. Diese unterschiedlichen Spannungen werden durch die jeweils
zu dem entsprechenden Gegenelektrodensegment gehörende Spannungsquelle oder bei Verwendung
nur einer Spannungsquelle durch unterschiedliche zwischen Spannungsquelle und Gegenelektrodensegment
geschaltete Widerstände realisiert. Es ist aber auch die Einstellung eines individuellen
für jedes Segment unterschiedlichen Stromes möglich, zum Beispiel bei Beschichtung
nichtrechteckiger Substrate.
[0038] In einigen Fällen, insbesondere bei der Abscheidung von dünnen Schichten mit relativ
hohem Widerstand, wie beispielsweise Preussisch Blau oder Polyanilin, treten im Phasengrenzbereich
zwischen Elektrolytlösung und Luft erhöhte Schichtdicken auf. Überraschenderweise
wurde gefunden, dass beim Einsatz einer erfindungsgemäßen im oberen Bereich des Elektrolyten
nahe der Dreiphasengrenze Elektrolyt/Luft/grossflächiges Substrat eingesetzten Hilfselektrode,
die mit allen Spannungsquellen verbunden und dabei elektrisch parallel zum zu beschichtenden
grossflächigen Substrat geschaltet ist, die erforderliche Homogenität erreicht wird.
Durch die Hilfselektrode kann eine ohne diese Maßnahme am Übergangsbereich Elektrolyt/Luft
auf dem zu beschichtenden Substrat auftretende Schichtdikkenerhöhung vermieden werden.
[0039] Das dort ohne Einsatz der erfindungsgemäßen Hilfselektrode zusätzlich abgeschiedene
Material wird nun praktisch ausschließlich auf der Hilfselektrode abgeschieden und
kann von dieser bei Bedarf entfernt werden. In
Figur 2 ist eine solche Hilfselektrode dargestellt (
10).
[0040] Die mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung und dem erfindungsgemäßen Verfahren elektrochemisch
abgeschiedenen dünnen Schichten sind bevorzugterweise optisch aktive Schichten. Für
die Herstellung optisch aktiver Schichten ist das neuartige Verfahren der elektrochemischen
Abscheidung von dünnen Schichten besonders vorteilhaft, da an solche Schichten hinsichtlich
der Homogenität der Schichtdickenverteilung besonders hohe Ansprüche gestellt werden.
[0041] Erfindungsgemäß sind die optisch aktiven Schichten insbesondere elektro-optisch oder
opto-elektrisch aktive Schichten. Opto-elektrisch aktive Schichten werden beispielsweise
in Dünnschichtsolarzellen verwendet. Das betrifft vorzugsweise Materialien wir Cadmiumtellurid,
Kupfer-Indium-Diselenid bzw. Kupfer-Indium-Disulfid. Diese können auf dünnen Metall-
oder Metalloxidschichten mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und der erfindungsgemäßen
Vorrichtung elektrochemisch homogen abgeschieden werden.,
[0042] Zu den dünnen Schichten gehören erfindungsgemäß auch elektromagnetisch aktive Schichten.
Elektromagnetisch aktive Schichten finden zum Beispiel als Informationsspeicherschichten
Verwendung.
[0043] Erfindungsgemäß gehören zu den dünnen Schichten auch Metall- oder Metalloxidschichten.
Beispielsweise können das lötbare Metallschichten auf Halbleiterbauelementen sein.
[0044] An diesen lötbaren Metallschichten erfolgt üblicherweise die Kontaktierung von Halbleiterbauelementen.
[0045] Dünne Schichten sind erfindungsgemäß auch Halbleiterschichten. Dazu gehören die schon
genannten Verbindungshalbleiter Cadmiumtellurid, Kupfer-Indium-Diselenid und Kupfer-Indium-Disulfid
aber auch sensorisch aktive Oxide.
[0046] Als dünne Schichten werden erfindungsgemäß auch Metalloxide, Komplexverbindungen
oder leitfähige Polymere abgeschieden. In den beiden letztgenannten Fällen ist die
Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens und der erfindungsgemäßen Vorrichtung besonders
vorteilhaft und auch notwendig, da dünne Schichten aus diesen Materialien nicht mit
den bekannten Vakuumtechnologien erzeugt werden können. Solche dünne Schichten eignen
sich insbesondere für elektrochrome Elemente, wie auch in den unten beschriebenen
Ausführungsbeispielen belegt wird. Auch Bauelemente zur organischen Elektrolumineszenz
können unter Zwischenschaltung von leitfähigen organischen Polymeren, die nach dem
erfindungsgemäßen Verfahren und mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung abgeschieden
werden, hinsichtlich ihrer Effizienz und optischen Qualität wesentlich verbessert
werden.
[0047] Erfindungsgemäß sind die optisch aktiven Schichten elektrochrome und/oder photochrome
Schichten. Elektrochrome Schichten sind Schichten deren elektro-optische Eigenschaften
durch Oxidation oder Reduktion geändert werden können. Dazu gehören Schichten aus
folgenden Materialien: Metalloxide, leitfähige Polymere und Komplexverbindungen. Photochrome
Schichten sind Schichten deren elektro-optische Eigenschaften durch Lichteinstrahlung
geändert werden können.
[0048] Typische Beispiele für die erfindungsgemäßen elektrochromen Schichten sind Wolframoxid,
Nickeloxid, Preussisch Blau oder Polyanilin. Wolframoxid ist ein katodisch elektrochromes
Material, dass heißt es wird bei katodischer Reduktion (blau) gefärbt und bei anodischer
Oxidation entfärbt. Farbwechsel von transparent zu farbig bei anodischer Oxidation
sind auf Basis von Nickeloxid, Preussisch Blau und Polyanilin möglich.
[0049] Erfindungsgemäß sind die grossflächigen elektrisch leitfähigen Substrate mit relativ
hohen Widerständen transparente leitfähige Oxidschichten auf transparenten Substraten.
[0050] Transparente leitfähige Oxidschichten sind beispielsweise Zinn-dotiertes Indiumoxid,
Antimon- oder Fluor-dotiertes Zinndioxid oder Aluminium-dotiertes Zinkoxid. Transparente
Substrate sind Glas- oder Kunststoffsubstrate. Als Kunststoffsubstrate können zum
Beispiel Polycarbonate verwendet werden.
1. Ausführungsbeispiel:
[0051] Auf eine mit einer Fluor-dotierten Zinndioxidschicht beschichteten 4 mm dicken Glasplatte
(K-Glas der Firma Pilkington) der Größe 30 x 50 cm
2 erfolgte die Abscheidung eines Wolframoxidfilms. Der Flächenwiderstand des Substrats
betrug 17 Ω/□. Die Abscheidung erfolgte aus einer 0,05 molaren wässrigen Peroxywolframsäurelösung.
Diese Lösung wurde durch Auflösen der entsprechenden Menge Wolfram in einer überschüssigen
Menge Wasserstoffperoxid und nachfolgender Verdünnung hergestellt. Bei der Herstellung
nicht verbrauchtes Wasserstoffperoxid wurde durch Eintauchen einer platinierten Titanelektrode
in die Lösung katalytisch zersetzt. Die Leitfähigkeit des Elektrolyten betrug etwa
6 mS/cm.
[0052] Die elektrochemische Beschichtung erfolgte in einem Behälter mit den Maßen: Höhe
x Breite x Tiefe = 30 cm x 55 cm x 4 cm. Die zu beschichtende Glasscheibe wurde so
in den Behälter gestellt, dass ein 1 cm breiter Streifen aus der Lösung herausragte.
Auf diesen Streifen wurde zur Kontaktierung auf der vollen Breite von 50 cm ein Kupferleitband
(Band 1181 der Firma 3M) geklebt. Parallel zu der zu beschichtenden Glasscheibe wurde
eine PVC-Platte, auf der die 6 Einzelelektroden befestigt wurden, im Abstand von 3
cm in die Elektrolytlösung eingebracht. Jede der 6 Elektrodenstreifen war 50 cm lang
entsprechend der Breite der zu beschichtenden Glasplatte und 4 cm breit. Der Abstand
zwischen den einzelnen Streifen betrug jeweils 0,7 cm. Die Elektrodenstreifen bestanden
aus 1 mm dicken Rutheniumoxidbeschichteten Titan.
[0053] Am oberen Teil der zu beschichtenden Glasplatte wurde ein 1 mm-dicker beidseitig
platinierter Titanstreifen mit einer Länge von 50 cm und mit einer Breite von 4 cm
befestigt und etwa 0,5 cm tief in die Elektrolytlösung eingetaucht. Dieser Streifen
diente als Hilfselektrode.
[0054] Zur elektrolytischen Wolframabscheidung wurden 6 Gleichrichter mit maximal 40 V und
3 A des Typs PS-2403D (Fa. Conrad) eingesetzt. Die Minuspole alle 6 Gleichrichter
wurden mit der zu beschichtenden Glasplatte und der Hilfselektrode verbunden, während
jeder Pluspol der 6 verschiedenen Gleichrichter mit einer anderen der 6 einzelnen
Gegenelektrodensegmente verbunden wurde. An jedem der 6 Gleichrichter wurde eine Stromstärke
von 80 mA eingestellt, so dass die Gesamtstromstärke der Abscheidung 480 mA betrug.
Die benötigte Spannung konnte sich an jedem Gleichrichter selbstregulierend einstellen.
[0055] Unter diesen Bedingungen erfolgte eine 10-minütige katodische Abscheidung der Wolframoxidschicht
aus der Wolframperoxysäurelösung. Es wurde dabei eine Wolframoxidschicht mit großer
Homogenität der Schichtdicke von 180 nm erhalten. Abweichungen in der optischen Homogenität
betrugen weniger als 5 %.
[0056] In Vorversuchen, welche ohne Einsatz der erfindungsgemäßen Hilfselektrode durchgeführt
wurden, wurden Schichten erhalten, die in einem oberen etwa 4 cm breiten Streifen
wesentlich höhere Schichtdicken von bis zu 225 nm aufwiesen. Die Abweichungen der
optischen Homogenität betrugen hier bis zu 25 %.
2. Ausführungsbeispiel :
[0057] Auf eine mit einer Fluor-dotierten Zinndioxidschicht beschichteten 4 mm dicken Glasplatte
(K-Glas der Firma Pilkington) der Größe 30 x 50 cm
2 erfolgte die Abscheidung eines Preussisch-Blau-Films. Der Flächenwiderstand des Substrats
betrug 17 Ω/□. Die Abscheidung erfolgte aus einer wässrigen Lösung, die 0,5 mol/l
Kaliumhydrogensulfat, 0,005 mol/l Eisen(lll)-sulfat und 0,005 mol/l Kaliumhexacyanoferrat
(III) enthielt. Die Leitfähigkeit dieser Lösung betrug etwa 114 mS/cm.
[0058] Die zu beschichtende Glasscheibe wurde so in den Behälter gestellt, dass ein 1 cm
breiter Streifen aus der Lösung herausragte.
[0059] Auf diesen Streifen wurde zur Kontaktierung auf der vollen Breite von 50 cm ein Kupferleitband
(Band 1181 der Firma 3M) geklebt. Die Abscheidung erfolgte in einer Anordnung mit
6 Gegenelektrodensegmenten, wie sie in Ausführungsbeispiel 1 beschreiben ist.
[0060] Zur elektrolytischen Preussisch-Blau-Abscheidung wurden ebenfalls 6 Gleichrichter
eingesetzt, deren Minuspole wiederum alle mit der zu beschichtenden Glasplatte und
der Hilfselektrode verbunden wurden, während jeder Pluspol der 6 verschiedenen Gleichrichter
mit einer anderen der 6 einzelnen Gegenelektroden verbunden wurde. An jedem der 6
Gleichrichter wurde eine Stromstärke von 3,5 mA eingestellt, so dass die Gesamtstromstärke
der Abscheidung 21.mA betrug. Die benötigte Spannung konnte sich an jedem Gleichrichter
selbstregulierend einstellen. Unter diesen Bedingungen erfolgte die 20-minütige katodische
Abscheidung einer Preussisch-Blau-Schicht. Es wurde eine Preussisch-Blau-Schicht mit
großer Homogenität der Schichtdicke von 110 nm erhalten. Abweichungen in der optischen
Homogenität betrugen weniger als 3 %.
3. Ausführungsbeispiel :
[0061] Auf eine mit einer Fluor-dotierten Zinndioxidschicht beschichteten 4 mm dicken Glasplatte
(K-Glas der Firma Pilkington) der Größe 80 x 120 cm
2 erfolgte die Abscheidung eines Wolframoxidfilms. Der Flächenwiderstand des Substrats
betrug 17 Ω/□. Die Abscheidung erfolgte aus einer Lösung, wie sie in Ausführungsbeispiel
1 beschrieben ist.
[0062] Die elektrochemische Beschichtung erfolgte in einem Plexiglas-Behälter mit den Maßen:
Höhe x Breite x Tiefe = 100 cm x 130 cm x 5 cm. Die zu beschichtende Glasscheibe wurde
so in das Beschichtungsbad gestellt, dass ein 1 cm breiter Streifen aus der Lösung
herausragte. Auf diesen Streifen wurde zur Kontaktierung auf der vollen Breite von
120 cm ein Kupferleitband (Band 1181 der Firma 3M) geklebt. Parallel zu der zu beschichtenden
Glasscheibe wurden 17 Einzelelektroden, welche auf einer Plexiglas-Platte befestigt
wurden, im Abstand von 3 cm von der Substratscheibe in die Elektrolytlösung eingebracht.
Jede der 17 Elektrodenstreifen war 120 cm lang entsprechend der Breite der zu beschichtenden
Glasplatte und 4 cm breit. Der Abstand zwischen den einzelnen Streifen betrug jeweils
0,7 cm. Die Elektrodenstreifen bestanden aus 1 mm dicken lridiumoxid-beschichtetem
Titan. Am oberen Teil der zu beschichtenden Glasplatte wurde ein 1 mm-dicker platinierter
Titanstreifen mit einer Länge von 120 cm und mit einer Breite von 4 cm befestigt und
etwa 0,5 cm tief in die Elektrolytlösung eingetaucht. Dieser Streifen diente als Hilfselektrode.
[0063] Zur elektrolytischen Wolframabscheidung wurden 17 Gleichrichter eingesetzt. Die Minuspole
alle 17 Gleichrichter wurden mit der zu beschichtenden Glasplatte und der Hilfselektrode
verbunden, während jeder Pluspol der 17 verschiedenen Gleichrichter mit einer anderen
der 17 einzelnen Gegenelektroden verbunden wurde. An jedem der 17 Gleichrichter wurde
eine Stromstärke von 190 mA eingestellt, so dass die Gesamtstromstärke der Abscheidung
3,23 A betrug. Die benötigte Spannung konnte sich an jedem Gleichrichter selbstregulierend
einstellen. Unter diesen Bedingungen erfolgte die 10-minütige katodische Abscheidung
einer Wolframoxidschicht. Es wurde eine Wolframoxidschicht mit einer Schichtdicke
von 180 nm erhalten. Abweichungen in der optischen Homogenität betrugen weniger als
5 %.
Bezugszeichen
[0064]
- 1.
- Kunststoffplatte
- 2.
- Elektrodenstreifen
- 3.
- Befestigungsschrauben
- 4.
- Metallschienen
- 5.
- Metallschrauben
- 6.
- Elektrolysegefäß
- 7.
- Zu beschichtende großflächige Substrat
- 8.
- Kontaktierung des Substrates
- 9.
- Oberkante der Elektrolytflüssigkeit
- 10.
- Hilfselektrode
1. Vorrichtung zur elektrochemischen Abscheidung von homogenen dünnen Schichten auf elektrisch
leitfähigen transparenten Materialien auf Glas- oder Kunststoffsubstraten (7) grösser
0,15 m2 mit Widerständen grösser 1 Ω/□, dadurch gekennzeichnet, dass die Gegenelektrode in mehrere Elektrodensegmente (2) aufgeteilt wird und zwischen
jedem einzelnen Elektrodensegment und dem zu beschichtenden Substrat (7) voneinander
verschiedene Spannungen angelegt werden können und im oberen Bereich des Elektrolyten
an der Dreiphasengrenze - Elektrolyt / Luft / grossflächiges Substrat eine Hilfselektrode
(10) eingesetzt wird, die mit allen Spannungsquellen verbunden und elektrisch parallel
zum zu beschichtenden grossflächigen Substrat (7) geschaltet wird, wobei die Hilfselektrode
0,5 cm tief in den Elektrolyten eintaucht.
2. Vorrichtung zur elektrochemischen Abscheidung von homogenen dünnen Schichten auf elektrisch
leitfähigen transparenten Materialien auf Glas- oder Kunststoffsubstraten (7) grösser
0,15 m2 mit Widerständen grösser 1 Ω/□ nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jedes dieser Gegenelektrodensegmente (2) von einer eigenen Spannungsquelle angesteuert
wird, wobei ein Pol dieser Spannungsquelle mit dem entsprechenden Gegenelektrodensegment
(2) und der andere Pol einer jeden Spannungsquelle mit dem zu beschichtenden Substrat
(7) und der Hilfselektrode (10) verbunden wird.
3. Vorrichtung zur elektrochemischen Abscheidung von homogenen dünnen Schichten auf elektrisch
leitfähigen transparenten Materialien auf Glas- oder Kunststoffsubstraten (7) grösser
0,15 m2 mit Widerständen grösser 1 Ω/□ nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass alle Gegenelektrodensegmente (2) von einer Spannungsquelle angesteuert werden und
zwischen der Spannungsquelle und jeder einzelnen Segmentgegenelektrode (2) ein geeigneter,
hinsichtlich der elektrischen Parameter angepasster elektrischer Widerstand geschaltet
wird.
4. Vorrichtung zur elektrochemischen Abscheidung von homogenen dünnen Schichten auf elektrisch
leitfähigen transparenten Materialien auf Glas- oder Kunststoffsubstraten (7) grösser
0,15 m2 mit Widerständen grösser 1 Ω/□ nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die einzelnen Elektrodensegmente der Gegenelektrode (2) jeweils die gleiche Größe
und geometrische Form aufweisen.
5. Verfahren zur elektrochemischen Abscheidung von homogenen dünnen Schichten auf elektrisch
leitfähigen transparenten Materialien auf Glas- oder Kunststoffsubstraten (7) grösser
0,15 m2 mit Widerständen grösser 1 Ω/□ unter Verwendung der Vorrichtung nach den Ansprüchen
1 - 4, dadurch gekennzeichnet, dass die dünnen Schichten optisch aktive Schichten sind.
6. Verfahren zur elektrochemischen Abscheidung von homogenen dünnen Schichten auf elektrisch
leitfähigen transparenten Materialien auf Glas- oder Kunststoffsubstraten (7) grösser
0,15 m2 mit Widerständen grösser 1 Ω/□ nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die optisch aktiven Schichten elektrochrome und/oder photochrome Schichten sind.
7. Verfahren zur elektrochemischen Abscheidung von homogenen dünnen Schichten auf elektrisch
leitfähigen transparenten Materialien auf Glas- oder Kunststoffsubstraten (7) grösser
0,15 m2 mit Widerständen grösser 1 Ω/□ unter Verwendung der Vorrichtung nach den Ansprüchen
1 - 4, dadurch gekennzeichnet, dass als dünne Schichten Metalloxidschichten, Komplexverbindungen oder leitfähige Polymere
abgeschieden werden.
8. Verfahren zur elektrochemischen Abscheidung von homogenen dünnen Schichten auf elektrisch
leitfähigen transparenten Materialien auf Glas- oder Kunststoffsubstraten (7) grösser
0,15 m2 mit Widerständen grösser 1 Ω/□ nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass als elektrochrome Schichten Wolframoxid, Preussisch Blau oder Polyanilin abgeschieden
werden.
9. Verfahren zur elektrochemischen Abscheidung von homogenen dünnen Schichten auf elektrisch
leitfähigen transparenten Materialien auf glas- oder Kunststoffsubstraten (7) grösser
0,15 m2 mit Widerständen grösser 1 Ω/□ unter Verwendung der Vorrichtung nach Anspruch 1 -
4, dadurch gekennzeichnet, dass die grossflächigen elektrisch leitfähigen transparenten Materialien auf Glas- oder
Kunststoffsubstraten (7) mit relativ hohen Widerständen transparente leitfähige Oxidschichten
auf transparenten Substraten sind.
1. Device for the electrochemical deposit of homogenous thin layers on electrically conductive
transparent materials on glass or plastic substrates (7) larger than 0.15 m2 with resistances greater than 1 Ω/□, characterized in that the counter-electrode is divided into several electrode segments (2) and different
voltages can be applied between each individual electrode segment and the substrate
(7) to be coated and an auxiliary electrode (10) is utilized in the upper area of
the electrolyte on the three phase boundary - electrolyte / air / large substrate,
which is connected to all voltage sources and connected electrically parallel to the
large substrate (7) to be coated, whereas the auxiliary electrode is submerged 0.5
cm deep into the electrolyte.
2. Device for the electrochemical deposit of homogenous thin layers on electrically conductive
transparent materials on glass or plastic substrates (7) larger than 0.15 m2 with resistances greater than 1 Ω/□ in accordance with Claim 1, characterized in that each of these counter-electrode segments (2) is energized by its own voltage source,
whereas one pole of this voltage source is connected to the appropriate counter-electrode
segment (2) and the other pole of each voltage source is connected to the substrate
(7) to be coated and the auxiliary electrode (10).
3. Device for the electrochemical deposit of homogenous thin layers on electrically conductive
transparent materials on glass or plastic substrates (7) larger than 0.15 m2 with resistances greater than 1 Ω/□ in accordance with Claim 1, characterized in that all counter-electrode segments (2) are energized by one voltage source and a suitable
electrical resistance that is adapted to the electrical parameters is connected between
the voltage source and each individual segment counter-electrode (2).
4. Device for the electrochemical deposit of homogenous thin layers on electrically conductive
transparent materials on glass or plastic substrates (7) larger than 0.15 m2 with resistances greater than 1 Ω/□ in accordance with Claims 1 to 3, characterized in that the individual electrode segments of the counter-electrode (2) are of the same size
and geometrical form.
5. Procedure for the electrochemical deposit of homogenous thin layers on electrically
conductive transparent materials on glass or plastic substrates (7) larger than 0.15
m2 with resistances greater than 1 Ω/□ using the device in accordance with Claims 1
- 4, characterized in that the thin layers are optically active layers.
6. Procedure for the electrochemical deposit of homogenous thin layers on electrically
conductive transparent materials on glass or plastic substrates (7) larger than 0.15
m2 with resistances greater than 1 Ω/□ in accordance with Claim 5 characterized in that the optically active layers are electrochromic and/or photochromic layers.
7. Procedure for the electrochemical deposit of homogenous thin layers on electrically
conductive transparent materials on glass or plastic substrates (7) larger than 0.15
m2 with resistances greater than 1 Ω/□ using the device in accordance with Claims 1
- 4, characterized in that metal oxide layers, complex compounds, or conductive polymers are deposited as thin
layers.
8. Procedure for the electrochemical deposit of homogenous thin layers on electrically
conductive transparent materials on glass or plastic substrates (7) larger than 0.15
m2 with resistances greater than 1 Ω/□ in accordance with Claim 6, characterized in that tungsten oxide, Prussian blue, or polyaniline are deposited as electrochromic layers.
9. Procedure for the electrochemical deposit of homogenous thin layers on electrically
conductive transparent materials on glass or plastic substrates (7) larger than 0.15
m2 with resistances greater than 1 Ω/□ using the device in accordance with Claims 1
- 4, characterized in that the large electrically conductive transparent materials on glass or plastic substrates
(7) with relatively high resistances are transparent conductive oxide layers on transparent
substrates.
1. Dispositif pour la séparation électrochimique de couches homogènes minces sur des
matériaux transparents conducteurs électriques, sur des substrats (7) en verre ou
en matière plastique de surface supérieure à 0,15 m2 avec des résistances supérieures à 1 Ω/□, caractérisé en ce que la contre-électrode est divisée en plusieurs segments d'électrode (2), en ce que des tensions différentes entre elles peuvent être appliquées entre chaque segment
d'électrode et le substrat (7) à revêtir, et en ce qu'une électrode auxiliaire (10) est mise en place dans la partie supérieure de l'électrolyte,
à la limite des trois phases électrolyte/air/substrat de grande surface, laquelle
est reliée à toutes les sources de tension et est électriquement connectée parallèlement
au substrat (7) de grande surface à revêtir, l'électrode auxiliaire plongeant à 0,5
cm sous le niveau de l'électrolyte.
2. Dispositif pour la séparation électrochimique de couches homogènes minces sur des
matériaux transparents conducteurs électriques, sur des substrats (7) en verre ou
en matière plastique de surface supérieure à 0,15 m2 avec des résistances supérieures à 1 Ω/□ selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacun des segments de contre-électrode (2) est commandé par une source de tension
propre, un pôle de ladite source de tension étant relié au segment de contre-électrode
(2) correspondant, et l'autre pôle de chacune des sources de tension au substrat (7)
à revêtir et à l'électrode auxiliaire (10).
3. Dispositif pour la séparation électrochimique de couches homogènes minces sur des
matériaux transparents conducteurs électriques, sur des substrats (7) en verre ou
en matière plastique de surface supérieure à 0,15 m2 avec des résistances supérieures à 1 Ω/□ selon la revendication 1, caractérisé en ce que tous les segments de contre-électrode (2) sont commandés par une seule source de
tension et en ce qu'une résistance électrique adaptée eu égard aux paramètres électriques est montée entre
la source de tension et chaque contre-électrode segmentée (2).
4. Dispositif pour la séparation électrochimique de couches homogènes minces sur des
matériaux transparents conducteurs électriques, sur des substrats (7) en verre ou
en matière plastique de surface supérieure à 0,15 m2 avec des résistances supérieures à 1 Ω/□ selon les revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les différents segments d'électrode de la contre-électrode (2) présentent la même
grandeur et la même forme géométrique.
5. Procédé pour la séparation électrochimique de couches homogènes minces sur des matériaux
transparents conducteurs électriques, sur des substrats (7) en verre ou en matière
plastique de surface supérieure à 0,15 m2 avec des résistances supérieures à 1 Ω/□, recourant au dispositif selon les revendications
1 à 4, caractérisé en ce que les couches minces sont des couches optiquement actives.
6. Procédé pour la séparation électrochimique de couches homogènes minces sur des matériaux
transparents conducteurs électriques, sur des substrats (7) en verre ou en matière
plastique de surface supérieure à 0,15 m2 avec des résistances supérieures à 1 Ω/□ selon la revendication 5, caractérisé en ce que les couches optiquement actives sont des couches électrochromes et/ou photochromes.
7. Procédé pour la séparation électrochimique de couches homogènes minces sur des matériaux
transparents conducteurs électriques, sur des substrats (7) en verre ou en matière
plastique de surface supérieure à 0,15 m2 avec des résistances supérieures à 1 Ω/□, recourant au dispositif selon les revendications
1 à 4, caractérisé en ce que des couches d'oxyde métallique, des composés complexes ou des polymères conducteurs
sont séparés comme couches minces.
8. Procédé pour la séparation électrochimique de couches homogènes minces sur des matériaux
transparents conducteurs électriques, sur des substrats (7) en verre ou en matière
plastique de surface supérieure à 0,15 m2 avec des résistances supérieures à 1 Ω/□ selon la revendication 6, caractérisé en ce que de l'oxyde de tungstène, du bleu de Prusse ou de la polyaniline sont séparés comme
couches électrochromes.
9. Procédé pour la séparation électrochimique de couches homogènes minces sur des matériaux
transparents conducteurs électriques, sur des substrats (7) en verre ou en matière
plastique de surface supérieure à 0,15 m2 avec des résistances supérieures à 1 Ω/□, recourant au dispositif selon les revendications
1 à 4, caractérisé en ce que les matériaux transparents conducteurs électriques de grande surface sur des substrats
(7) en verre ou en matière plastique avec des résistances relativement élevées sont
des couches d'oxyde transparentes conductrices sur des substrats transparents.