(19)
(11) EP 1 535 346 A2

(12)

(88) Date de publication A3:
06.05.2004

(43) Date de publication:
01.06.2005  Bulletin  2005/22

(21) Numéro de dépôt: 03780259.2

(22) Date de dépôt:  01.09.2003
(51) Int. Cl.7H01L 29/872
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR2003/050045
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2004/027878 (01.04.2004 Gazette  2004/14)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR

(30) Priorité: 03.09.2002 FR 0210883

(71) Demandeurs:
  • Commissariat A L'Energie Atomique
    75752 Paris 15ème (FR)
  • S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
    38190 Bernin (FR)

(72) Inventeurs:
  • TEMPLIER, François
    F-38500 Voiron (FR)
  • DI CIOCCIO, Léa
    F-38330 Saint Ismier (FR)
  • BILLON, Thierry
    F-38500 Coublevie (FR)
  • LETERTRE, Fabrice
    F-38000 Grenoble (FR)

(74) Mandataire: Poulin, Gérard et al
Brevatome3, rue du Docteur Lancereaux
75008 Paris
75008 Paris (FR)

   


(54) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE QUASI-VERTICAL SUR SUBSTRAT COMPOSITE