(19)
(11) EP 1 556 892 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
27.07.2005  Patentblatt  2005/30

(21) Anmeldenummer: 03775086.6

(22) Anmeldetag:  24.10.2003
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 21/8222, H01L 27/082, H01L 29/08
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2003/003552
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2004/040643 (13.05.2004 Gazette  2004/20)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR

(30) Priorität: 28.10.2002 DE 10250204

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • BÖCK, Josef
    81827 München (DE)
  • LACHNER, Rudolf
    85051 Ingolstadt (DE)
  • MEISTER, Thomas
    82024 Taufkirchen (DE)
  • SCHÄFER, Herbert
    85635 Höhenkirchen-Siegertsbrunn (DE)
  • SECK, Martin
    81827 München (DE)
  • STENGL, Reinhard
    86391 Stadtbergen (DE)

(74) Vertreter: Karl, Frank et al
Patentanwälte Kindermann,Postfach 1330
85627 Grasbrunn
85627 Grasbrunn (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER TRANSISTORSTRUKTUR