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Benannte Vertragsstaaten: |
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AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR |
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Priorität: |
05.12.2002 DE 10257097
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| (43) |
Veröffentlichungstag der Anmeldung: |
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07.09.2005 Patentblatt 2005/36 |
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Patentinhaber: X-FAB Semiconductor Foundries AG |
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99097 Erfurt (DE) |
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Erfinder: |
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- SCHWARZ, Uwe
99102 Erfurt-Niedernissa (DE)
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| (74) |
Vertreter: Fricke, Joachim |
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Leonhard - Olgemöller - Fricke
Patentanwälte
Postfach 10 09 62 80083 München 80083 München (DE) |
| (56) |
Entgegenhaltungen: :
WO-A-00/36385 US-A- 6 012 336
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US-A- 4 463 336
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- PARAMESWARAN L ET AL: "A merged MEMS-CMOS process using silicon wafer bonding" ELECTRON
DEVICES MEETING, 1995., INTERNATIONAL WASHINGTON, DC, USA 10-13 DEC. 1995, NEW YORK,
NY, USA,IEEE, US, 10. Dezember 1995 (1995-12-10), Seiten 613-616, XP010161161 ISBN:
0-7803-2700-4
- PETERSEN K ET AL: "Fabrication of SOI wafers with buried cavities using silicon fusion
bonding and electrochemical etchback" SENSORS AND ACTUATORS A, ELSEVIER SEQUOIA S.A.,
LAUSANNE, CH, Bd. 54, Nr. 1-3, 1. Juni 1996 (1996-06-01), Seiten 709-713, XP004077953
ISSN: 0924-4247
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