(19)
(11) EP 1 597 767 A2

(12)

(88) Veröffentlichungstag A3:
28.10.2004

(43) Veröffentlichungstag:
23.11.2005  Patentblatt  2005/47

(21) Anmeldenummer: 04715877.9

(22) Anmeldetag:  01.03.2004
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 27/112, H01L 27/115, H01L 21/8246, H01L 21/8247
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2004/000383
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2004/077569 (10.09.2004 Gazette  2004/37)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL LT LV MK

(30) Priorität: 28.02.2003 DE 10308927

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • VOLLRATH, Jörg
    82140 Olching (DE)

(74) Vertreter: Epping - Hermann - Fischer 
Ridlerstrasse 55
80339 München
80339 München (DE)

   


(54) INTEGRIERTE HALBLEITERSCHALTUNG MIT EINEM TRANSISTOR MIT SEITLICH VERSETZTEN SOURCE- UND DRAIN-ELEKTRODEN