(19)
(11) EP 1 629 526 A1

(12)

(43) Date de publication:
01.03.2006  Bulletin  2006/09

(21) Numéro de dépôt: 04767192.0

(22) Date de dépôt:  27.05.2004
(51) Int. Cl.: 
H01L 21/20(1974.07)
H01L 21/762(1995.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR2004/001314
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2004/109781 (16.12.2004 Gazette  2004/51)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR

(30) Priorité: 30.05.2003 FR 0306568

(71) Demandeur: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
38190 Bernin (FR)

(72) Inventeurs:
  • LETERTRE, Fabrice
    F-38000 GRENOBLE (FR)
  • GHYSELEN, Bruno
    F-38170 SEYSSINET (FR)
  • RAYSSAC, Olivier
    F-38100 GRENOBLE (FR)

(74) Mandataire: Desormiere, Pierre-Louis et al
Cabinet Beau de Loménie, 158, rue de l'Université
75340 Paris Cedex 07
75340 Paris Cedex 07 (FR)

   


(54) SUBSTRAT POUR SYSTEMES CONTRAINTS ET PROCEDE DE CROISSANCE CRISTALLINE SUR UN TEL SUBSTRAT