(19)
(11) EP 1 661 172 A2

(12)

(88) Veröffentlichungstag A3:
14.07.2005

(43) Veröffentlichungstag:
31.05.2006  Patentblatt  2006/22

(21) Anmeldenummer: 04764533.8

(22) Anmeldetag:  20.08.2004
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 21/316(1974.07)
H01L 29/51(1995.01)
H01L 27/112(1990.01)
C23C 16/40(1985.01)
H01L 27/108(1990.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2004/009559
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2005/024930 (17.03.2005 Gazette  2005/11)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR

(30) Priorität: 28.08.2003 DE 10340202

(71) Anmelder: IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik
15236 Frankfurt (Oder) (DE)

(72) Erfinder:
  • MÜSSIG, Hans-Joachim
    01259 Dresden (DE)

(74) Vertreter: Eisenführ, Speiser & Partner 
Anna-Louisa-Karsch-Strasse 2
10178 Berlin
10178 Berlin (DE)

   


(54) HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN HALBLEITERBAUELEMENT MIT PRASE ODYMOXID-DIELEKTRIKUM