| (19) |
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(11) |
EP 1 661 206 B1 |
| (12) |
FASCICULE DE BREVET EUROPEEN |
| (45) |
Mention de la délivrance du brevet: |
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13.12.2006 Bulletin 2006/50 |
| (22) |
Date de dépôt: 30.08.2004 |
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| (86) |
Numéro de dépôt: |
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PCT/FR2004/050398 |
| (87) |
Numéro de publication internationale: |
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WO 2005/024999 (17.03.2005 Gazette 2005/11) |
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| (54) |
SUBSTRAT HAUTE IMPEDANCE
SUBSTRAT MIT HOHER IMPEDANZ
HIGH IMPEDANCE SUBSTRATE
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| (84) |
Etats contractants désignés: |
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AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR
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| (30) |
Priorité: |
02.09.2003 FR 0350492
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| (43) |
Date de publication de la demande: |
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31.05.2006 Bulletin 2006/22 |
| (73) |
Titulaire: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE |
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75015 Paris (FR) |
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| (72) |
Inventeurs: |
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- REYNET, Olivier
F-37170 Chambray Les Tours (FR)
- ACHER, Olivier
F-37260 Monts (FR)
- LEDIEU, Marc
F-37510 Ballan-Mire (FR)
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| (74) |
Mandataire: Poulin, Gérard et al |
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Brevatome
3, rue du Docteur Lancereaux 75008 Paris 75008 Paris (FR) |
| (56) |
Documents cités: :
EP-A- 1 195 847 US-A- 5 561 438
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WO-A-02/071544 US-A1- 2003 048 234
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- PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 0072, no. 51 (E-209), 8 novembre 1983 (1983-11-08)
-& JP 58 137206 A (SONY KK; others: 01), 15 août 1983 (1983-08-15)
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| Il est rappelé que: Dans un délai de neuf mois à compter de la date de publication
de la mention de la délivrance de brevet européen, toute personne peut faire opposition
au brevet européen délivré, auprès de l'Office européen des brevets. L'opposition
doit être formée par écrit et motivée. Elle n'est réputée formée qu'après paiement
de la taxe d'opposition. (Art. 99(1) Convention sur le brevet européen). |
DOMAINE TECHNIQUE
[0001] L'invention se situe dans le domaine des substrats haute impédance. De tels substrats
trouvent en particulier à s'appliquer dans les dispositifs hyperfréquences. L'invention
trouve une application notamment mais pas uniquement en télécommunications, par exemple
dans la bande de fréquence allant d'environ 50 MHz à environ 4 GHz pour la réalisation
d'antennes.
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE
[0002] La demande de brevet US 2003/0048234 A1 publiée en mars 2003 décrit un substrat haute
impédance selon le préambule de la revendication 1.
[0003] La demande de brevet EP 1 195 847 A2 publiée en avril 2002 rappelle en relation avec
l'art antérieur cité dans cette demande différents mode connus de réalisation de substrats
haute impédance. Cette demande décrit par exemple en relation avec les figures 9 et
10 de cette demande un conducteur 900 magnétique artificiel constituant une surface
haute impédance incluant :
Une surface sélective en fréquence ayant une perméabilité dépendant de la fréquence
dans une direction normale à la surface sélective en fréquence
Un plan de masse conducteur 806 parallèle à la surface sélective en fréquence et
Un milieu diélectrique entre le plan de masse et la surface sélective en fréquence
dans lequel des parties métalliques conductrices sous forme de cloisons perpendiculaires
au plan de masse relient la surface sélective en fréquence au plan de masse.
[0004] La surface est sélective en fréquence car elle comporte un réseau 102 de boucles
résonnantes appelées aussi molécules magnétiques artificielles 804. Ces boucles résonnantes
ou molécules magnétiques artificielles 804 sont fortement couplées entre elles de
façon capacitive, formant ainsi une surface capacitive sélective en fréquence.
[0005] Différents modes de réalisation incluant notamment des surfaces multi bandes constituées
par des couches comportant respectivement des boucles résonnantes à différentes fréquences,
et des usages d'une telle surface sont décrits, en particulier pour la réalisation
d'antennes.
[0006] Il est connu que de tels substrats haute impédance sont très utiles dans le domaine
des antennes. De telles surfaces sont prévues pour interagir avec une onde électromagnétique
incidente arrivant sur cette surface haute impédance. Ils permettent de diminuer la
taille des dispositifs utilisés tout en améliorant les caractéristiques de sélectivité
et de directivité des antennes réalisées.
EXPOSÉ DE L'INVENTION
[0007] L'invention vise une surface à haute impédance ayant une épaisseur faible devant
la longueur d'onde dans le vide d'une onde à une fréquence centrale d'une bande de
fréquence pour laquelle la surface a une haute impédance. Elle vise aussi une surface
à haute impédance ayant une largeur de bande élevée. Elle vise une surface à haute
impédance utilisant des matériaux magnétiques qui ne soit pas limitée par les propriétés
du matériau aux fréquences de travail de la surface. Elle vise une surface à haute
impédance accordable, c'est à dire dont on peut faire varier sur commande la fréquence
centrale et la largeur de bande.
[0008] A toutes ces fins l'invention est relative à un substrat haute impédance comportant
une première couche ou feuille en matériau isolant, ayant une face inférieure et une
face supérieure, le substrat comportant des motifs conducteurs mécaniquement liés
au substrat,
caractérisé en ce que,
certains des motifs conducteurs mécaniquement liés au substrat sont associés à un
pavé magnétique, et en ce que au moins une interconnexion électrique met en contact
électrique deux points distincts l'un de l'autre d'un motif conducteur mécaniquement
lié au substrat, ce motif conducteur ayant un pavé magnétique associé, en passant
au dessus du pavé magnétique associé audit motif conducteur mécaniquement liés au
substrat.
[0009] Le terme « pavé » indique l'ensemble des points d'un espace métrique dont chacune
des coordonnées est prise dans un intervalle borné et dont le parallélépipède rectangle
est l'image la plus simple. Il s'agit donc d'un morceau de matière.
[0010] Dans un mode de réalisation, des motifs conducteurs sont constitués par des pistes
conductrices déposées sur l'une et/ou l'autre des faces supérieure ou inférieure de
la première couche ou feuille en matériau isolant.
[0011] Dans un autre mode de réalisation, le substrat haute impédance comporte outre une
première couche ou feuille en matériau isolant une seconde couche ou feuille ayant
une face supérieure en vis à vis de la face inférieure de la première feuille ou couche
et une face inférieure, les motifs conducteurs étant déposés au moins pour partie
d'entre eux, sur l'une et/ou l'autre des faces supérieure ou inférieure de cette seconde
couche ou feuille.
[0012] Dans un mode de réalisation les motifs conducteurs forment des circuits électriques
éventuellement ensemble avec des composants actifs ou passifs. De préférence lorsque
le substrat haute impédance comporte une seconde couche ou feuille ces composants
actifs ou passifs sont montés en surface sur l'une et/ou l'autre des faces supérieure
ou inférieure de ladite seconde couche ou feuille.
[0013] Dans un mode de réalisation les composants électroniques sont des éléments ayant
une valeur de résistance et une valeur de capacité.
[0014] Dans un mode de réalisation le substrat haute impédance comporte en outre un plan
de masse, constitué par une troisième couche ou feuille ayant une face supérieure
et une face inférieure l'une au moins de ces faces étant constituée par une matière
conductrice.
[0015] Ce plan de masse peut être situé au dessus de la face supérieure de la première couche
ou feuille et dans ce cas les pavés magnétiques seront mécaniquement liés à la face
supérieure de ce plan de masse.
[0016] Le plan de masse peut aussi se trouver sous la première feuille ou couche, ou si
le mode de réalisation comporte une seconde feuille ou couche entre la première feuille
ou couche et la seconde feuille ou couche, ou encore sous la seconde feuille ou couche.
Dans ces derniers cas les pavés magnétiques seront mécaniquement liés à la face supérieure
de la première feuille ou couche.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
[0017] Des exemples de réalisation de l'invention et d'autres avantages de l'invention seront
maintenant décrits en référence aux dessins annexés dans lesquels :
La figure 1 représente une vue en perspective d'un premier mode de réalisation de
l'invention,
La figure 2 représente un exemple de réalisation d'un motif conducteur permettant
de constituer ensemble avec les connexions passant au dessus du pavé magnétique, un
solénoïde,
La figure 3 comporte des parties A et B. il s'agit de courbes représentant respectivement,
en fonction de la fréquence de travail exprimée en gigahertz, pour un substrat haute
impédance selon l'invention, les valeurs réelles de la perméabilité magnétiques µ',
en partie A et les valeurs des pertes magnétiques µ" en partie B pour différentes
valeurs de résistances.
La figure 4 comporte des parties A et B. il s'agit de courbes représentant respectivement,
en fonction de la fréquence de travail exprimée en gigahertz, pour un substrat haute
impédance selon l'invention, les valeurs de la perméabilité magnétiques µ', en partie
A et les valeurs des pertes magnétiques µ" en partie B pour différentes valeurs de
capacités,
La figure 5 représente une vue en perspective d'un second mode de réalisation de l'invention,
La figure 6 représente une vue en perspective d'un troisième mode de réalisation de
l'invention.
[0018] Dans tous les dessins les mêmes numéros de référence désignent des éléments similaires
ayant même fonction, en sorte que la description d'un élément déjà commenté dans une
figure ne sera pas nécessairement reprise dans des figures décrites par la suite.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
[0019] La figure 1 représente une vue en perspective d'un premier mode de réalisation de
l'invention.
[0020] Sur une face supérieure 6 d'une plaque en matériau isolant 1, par exemple en Kapton
sont disposées une pluralité de motifs électriquement conducteurs 3. Un pavé 5 en
matériau magnétique est associé à chacun des motifs conducteurs 3. Dans le mode de
réalisation représenté sur les figures 1, 5 et 6, chaque pavé 5 a la forme d'un parallélépipède
par exemple rectangle. Chaque motif électriquement conducteur 3 forme ensemble avec
des composants actifs et/ou passifs représentés globalement par un rectangle 7 sur
la figure 1 un circuit électrique. Conformément à l'invention, ce circuit est complété
par une interconnexion électrique, par exemple sous forme d'un fil ou d'un ruban 13,
reliant un premier 9 et un second 11 point distinct du premier, du motif 3. Une partie
du motif 3, et le fil ou ruban de connexion 13, forment ainsi ensemble une spire entourant
le pavé magnétique 5. Dans le cas général, il y aura plusieurs spires entourant le
pavé magnétique 5.
[0021] Un exemple de motif 3, permettant une configuration à plusieurs spires formant ensemble
un solénoïde entourant le pavé magnétique 5 a été représenté en perspective figure
2. Le motif 5 comprend plusieurs pistes conductrices 10, parallèles entre elles, et
par exemple perpendiculaires à la direction de plus grande longueur du pavé parallélépipèdique
5. Les pistes 10 ont chacune deux extrémités 9 et 11. Il y a n pistes ayant chacune
une première extrémité 9
0 à 9
n-1 et une seconde extrémité 11
1 à 11
n. Il y a n fils ou ruban 13
1 à 13
n chaque fil ou ruban de connexion de rang p liant une première extrémité 9
p-1 à une seconde extrémité 11
p. n et p sont des nombres entiers, et p est inférieur ou égal à n. Afin de simplifier
la figure 2, les références 9
0, 9
n-1 n'apparaissent pas.
[0022] La ou les spires formées par une partie du motif conducteur 3 et les connexions 13
s'insèrent en série ou en parallèle avec d'autres parties du motif conducteur 3.
[0023] Un substrat haute impédance incorporant l'invention a été réalisé selon le mode de
réalisation décrit en relation avec les figures 1 et 2. Une plaque de Kapton (marque
déposée) 1 ayant une surface de 500 x 500 mm
2, initialement cuivré sur sa face supérieure 6 a été utilisée. Les motifs conducteurs
3 ont été réalisés par des techniques de gravures de la couche conductrice en cuivre,
en elles mêmes connues dans le domaine des circuits imprimés. Ces motifs sous forme
de pistes ont une largeur d'environ 1 mm. Une capacité et une résistance ont été reportées
aux emplacements marqués 7 sur la figure 1. Dans un exemple de réalisation la capacité
était de 21 picofarads et la résistance de 0,1 ohms. Il est également possible d'adjoindre
à une capacité ou une résistance de valeur fixe, ou de remplacer une telle capacité
ou une telle résistance par un ou plusieurs composants actifs ayant une valeur de
capacité et/ou de résistance variable, par exemple commandée de façon électronique.
En règle générale la valeur de capacité du composant est une fonction d'une grandeur
électrique, une tension ou un courant, appliquée audit composant actif. On pourra
utiliser par exemple le varactor ZC830B du fabricant Zétex qui permet de faire varier
de façon simple la capacité du circuit RC 7. Dans ce cas on interpose de préférence
comme cela sera expliqué plus loin en liaison avec la figure 5 un plan de masse entre
les pavés 5 et les motifs conducteurs 3, ceux-ci étant dans ce cas partiellement ou
totalement reportés sur une seconde feuille ou couche 2 placée sous la couche 1.
[0024] Une couche magnétique constituée par exemple d'un élastomère chargé à 50% en poudre
de fer est placée au dessus des motifs conducteurs 5, par exemple collée au moyen
d'une colle isolante. Ce matériau présente une perméabilité magnétique µ' de 11 et
des pertes magnétiques µ" faibles, inférieures à l'unité. On note que les pertes magnétiques
correspondent à la valeur imaginaire de la perméabilité magnétique.
[0025] Comme matériau il aurait été également possible de prendre, sans que les exemples
cités ci-après constituent une liste exhaustive, un caoutchouc ou une matière plastique
chargée par une poudre magnétique. De préférence, la fraction volumique de poudre
magnétique excède 30%. Il est également possible d'utiliser des empilements de couches
magnétiques et isolantes, comportant au moins 5% en volume de matière magnétique.
La direction conductrice des empilements sera de préférence parallèle à l'axe du solénoïde
formé par les connexions 13 et leur complément du motif 3.
[0026] La couche en matériau magnétique est gravée dans deux directions du plan de la couche,
par exemple, perpendiculaires entre elles, sur une profondeur par exemple de 5 mm,
de façon à obtenir les pavés magnétiques 5. Dans les exemples ayant servi aux mesures
dont il sera parlé plus loin les pavés 5 avaient des dimensions de 5×3×30 mm. Compte
tenu de l'espacement entre les pavés, la fraction surfacique occupée par les pavés
est de 10% environ. On reporte ensuite n fils conducteurs 13, par exemple n = 5 passant
au dessus de chaque pavé 5, de façon à former avec chaque motif 3 un solénoïde à 5
spires entourant le pavé 5 associé à ce motif. En règle générale le solénoïde comportera
entre une et 50 spires. Le solénoïde est dans cet exemple en série avec le circuit
RC, formé par la résistance et la capacité représentés symboliquement par le carré
7 sur la figure 1.
[0027] L'avantage d'introduire un matériau magnétique formant un noyau dans le solénoïde
ainsi formé est d'augmenter significativement les niveaux de perméabilité magnétique
par rapport au cas "sans noyau".
[0028] La demanderesse a effectué des mesures de perméabilité magnétique et de pertes magnétiques
obtenues avec des pavés magnétiques 5 en matériau élastomère chargé à 50% en poudre
de fer réalisés comme indiqué ci dessus pour trois valeurs 0,1, 2, et 10 ohms de la
résistance R du circuit RC. La capacité C est pendant ces mesures restée à une valeur
de 50 picofarads. Le solénoïde entourant chaque pavé 5 comportait 5 spires.
[0029] Les caractéristiques de perméabilité magnétiques obtenues en fonction de la fréquence
de travail sont représentées par des courbes représentées figure 3 partie A et B.
[0030] Les valeurs de perméabilité magnétique µ' sont représentées en partie A de la figure
3. La partie B représente les valeurs des pertes magnétiques µ" en fonction de la
fréquence exprimée en gigahertz. Les valeurs crête de µ" vont en décroissant lorsque
la valeur de la résistance croit. Le pic le plus élevé a un niveau de 5 et le plus
étroit est obtenu pour la valeur de résistance 0,1. La courbe correspondant à cette
valeur de résistance est référencée a. Les deux autres courbes, référencées c et b
ont respectivement des pics dont la hauteur va en décroissant et la largeur en augmentant
avec l'accroissement de la valeur de la résistance respectivement pour des valeurs
de résistance passant de 2 à 10 ohms. Ainsi dans l'exemple considéré, la largeur du
pic de pertes magnétiques passe de 10 MHz pour la valeur de résistance 0,1 ohms à
35 MHz pour la valeur de résistance 10 ohms. Les niveaux de µ' et µ" sont les valeurs
essentielles qui conditionnent l'impédance vue par une onde électromagnétique arrivant
sur le substrat haute impédance ainsi obtenu. La source de ladite onde se trouve du
côté de la face 6 de la plaque 1 sur laquelle se trouvent les pavés magnétiques 5.
Des niveaux élevés de perméabilité magnétique favorisent l'obtention d'impédances
élevées sur une large gamme de fréquence. Enfin les valeurs respectives de µ' et µ"
conditionnent le niveau de perte associé à la fréquence, ces pertes étant désirées
ou non selon les applications que l'on donne au substrat haute impédance. Avec le
dispositif selon l'invention, la hauteur du pic de pertes magnétiques peut être réglé
ou modifié très facilement par une simple variation d'une valeur de résistance. Selon
l'invention il est également possible de régler les niveaux de perméabilité et de
pertes magnétiques en augmentant la densité de couverture de la face 6, par les pavés
magnétiques 5. Ainsi par exemple, les niveaux représentés sur la figure 3 correspondent
à un taux de couverture de 10% comme expliqué plus haut. Le passage à un taux de couverture
de 50% augmenterait la valeur de µ" d'un facteur 5. Ainsi pour obtenir des niveaux
élevés de pertes magnétiques µ" les taux de couverture de la face 6, par les pavés
magnétiques 5 seront supérieurs à 10%, par exemple 50% ou de préférence supérieurs
à 50%. Par comparaison, la réalisation d'un substrat haute impédance présentant les
mêmes impédances que celles résultant des valeurs de µ' et µ" représentées sur la
figure 3, au moyen de matériaux nécessiterait la mise au point de trois matériaux
présentant chacun des caractéristiques hyperfréquences, ce qui peut être un processus
long coûteux au résultat incertain. Selon l'invention il suffit d'ajuster correctement
la valeur de la résistance du circuit RC 7. On parvient ainsi à passer d'un état de
forte perméabilité magnétique µ', à par exemple 200 MHz, favorable à une haute impédance,
à un état à faible perméabilité, ce qui diminue l'impédance. Il est également possible
de commander, à l'aide d'un circuit électronique présentant une résistance fonction
d'une valeur de grandeur électrique de commande du circuit la hauteur du pic de pertes
magnétique µ".
[0031] La demanderesse a également effectué des mesures de perméabilité magnétique et de
pertes magnétiques obtenues avec les pavés magnétiques en matériau élastomère chargé
à 50% en poudre de fer réalisés comme indiqué ci dessus pour sept valeurs, 38, 32,
21, 9, 5, 2, et 1 picofarad de la capacité du circuit RC. La résistance R est pendant
ces mesures restée à une valeur de 0,1 ohms.
[0032] Les sept courbes représentées en partie A de la figure 4, représentent chacune, la
valeur de la perméabilité magnétique µ' pour les différentes valeurs de la capacité
C.
[0033] La valeur des pertes µ" en fonction de la fréquence en gigahertz portée en abscisse
est représentée en partie B de la figure 4. La fréquence correspondant au pic de perte
va en décroissant lorsque la valeur de la capacité C croît. Ainsi un pic de perte
est présent pour une valeur d'environ 0,13 gigahertz sur la courbe correspondant à
une valeur de capacité de 38 picofarads. Pour la valeur de capacité 1 picofarad, le
pic de perte est présent pour une valeur correspondant à environ 0,37 gigahertz. Les
pics de perte des 5 autres courbes s'échelonnent à des valeurs intermédiaires entre
ces deux valeurs de fréquence. Ces pics se situent à des valeurs de fréquence qui
vont en croissant lorsque la valeur de la capacité C va en décroissant de la valeur
32 pF à la valeur 2 pF.
[0034] Ces courbes illustrent que selon l'invention, par l'ajout ou le choix de quelques
composants électroniques simples, on parvient à réaliser une surface haute impédance
dont la réponse en fréquence présente un pic de pertes magnétiques qui atteint des
valeurs de plusieurs unités, et ceci à partir d'une quantité très faible de pavés
magnétiques munis chacun de leur solénoïde associé. La fréquence du pic de perte peut
être ajustée de façon simple en réglant la valeur d'une capacité. Avec une capacité
qui peut être commandée de façon électronique, par variation d'une grandeur électrique
de commande, on peut obtenir une agilité en fréquence et faire varier de façon éventuellement
rapide, la fréquence pour laquelle le pic de perte µ" est le plus élevé, et donc pour
laquelle l'impédance vu par l'onde électromagnétique incidente est la plus élevée.
De tels circuits sont connus dans l'art et ne seront pas plus avant commentés.
[0035] Un autre mode de réalisation sera maintenant commenté en liaison avec la figure 5.
Dans ce mode de réalisation, une partie au moins ou la totalité du motif conducteur
3, est disposée sur une seconde feuille ou couche 2. Cette seconde feuille ou couche
2 a deux faces, une face supérieure 12 en regard de la face inférieure 8 de la première
feuille ou couche 1 et une face inférieure 14. La face supérieure 12 de la feuille
ou couche 2 accueille une partie 3
2 du motif conducteur 3. De préférence la partie 3
2 du motif conducteur 3 comporte tous les composants actifs ou passifs 7 formant un
circuit avec le motif conducteur 3. Eventuellement une partie 3
1 du motif conducteur 3 reste présente sur la face supérieure 6 de la première feuille
ou couche 1, comme représenté figure 5. Il en va de même pour les pavés magnétiques
5 qui sont liés mécaniquement, par exemple collés, sur la face supérieure 6 de la
première couche ou feuille 1. De façon en elle-même connue les liaisons électriques
entre la partie de motif conducteur 3
1 et la partie de motif conducteur 3
2 sont assurées par des trous métallisés 18 joignant les faces supérieure et inférieure
de la couche ou feuille 1. En particulier les liaisons entre les connexions 13 passant
au dessus d'un pavé magnétique 5 et la partie de motif conducteur 3
2 se trouvant sur la feuille ou couche 2 sont assurés par de tels trous métallisés
18, lorsque la partie de motif conducteur 3
2 comporte un complément aux dites connexions 13 pour former un solénoïde. Dans le
mode de réalisation représenté sur la figure 5, la face inférieure de la feuille ou
couche 2 est métallisée en sorte que cette feuille ou couche 2 forme plan de masse.
Ainsi dans ce mode de réalisation le substrat selon l'invention comporte un plan de
masse se situant sous la première couche ou feuille 1 en vis à vis de la face inférieure
de ladite première couche ou feuille.
[0036] Dans des modes de réalisation alternatifs de ce mode de réalisation, destinés à réduire,
vers le haut, les fuites électromagnétiques produites par les courants circulant dans
la partie de motif 3
2, un plan conducteur 4 formant plan de masse, est interposé entre les feuilles ou
couches 1 et 2. Le plan conducteur peut se présenter, sous forme par exemple d'une
troisième couche ou feuille 4. Sur la figure 5, afin de ne pas gêner la vue de la
couche 2 ce plan n'a été représenté que de façon partielle. Cette troisième feuille
ou couche 4, comporte alors des trous métallisés 18 formant chacun un passage de connexion.
Le débouché de ces trous est de façon en elle même connue, isolé électriquement pour
éviter une mise à la masse des connexions.
[0037] Une variante du mode de réalisation représenté sur la figure 5, permettant aussi
de réduire les fuites électromagnétiques vers le haut est représenté figure 6. Dans
cette variante de réalisation la face supérieure de la feuille ou couche 1 est entièrement
métallisée, à l'exception des emplacements entourant des trous métallisés 18 joignant
électriquement des points de la feuille ou couche 1 et des points de la feuille ou
couche 2. Les pavés métalliques 5 sont alors collés au dessus du dépôt métallique
au moyen d'une colle électriquement isolante. A l'exception des trous métallisés 18
et de leurs débouchés la totalité du motif conducteur 3 est reporté sur la seconde
feuille ou couche 2.
1. Substrat haute impédance comportant une première couche ou feuille (1) en matériau
isolant, ayant une première et une seconde face sous forme d'une surface inférieure
et d'une surface supérieure (6), le substrat comportant des motifs conducteurs (3)
mécaniquement liés au substrat,
caractérisé en ce que,
certains des motifs conducteurs (3) mécaniquement liés au substrat sont associés à
un pavé magnétique (5) disposé sur ou au dessus de l'une des deux faces du substrat,
et en ce que au moins une interconnexion électrique (13) met en contact électrique deux points
(9, 11) distincts l'un de l'autre d'un motif conducteur (3) mécaniquement lié au substrat
ce motif conducteur (3) ayant un pavé magnétique (5) associé, en passant au dessus
dudit pavé magnétique (5) associé audit motif conducteur (3) mécaniquement liés au
substrat.
2. Substrat haute impédance selon la revendication 1 caractérisé en ce que des motifs conducteurs (3) sont constitués par des pistes conductrices déposées sur
l'une et/ou l'autre des faces supérieure (6) ou inférieure du substrat.
3. Substrat haute impédance selon la revendication 1 caractérisé en ce que des motifs conducteurs (3) sont constituées par des pistes conductrices déposées
sur l'une et/ou l'autre des faces supérieure (6) ou inférieure du substrat et formant
ensemble avec des composants électroniques (7) un circuit électrique.
4. Substrat haute impédance selon la revendication 3 caractérisé en ce que les composants électroniques (7) sont des éléments ayant une valeur de résistance
et une valeur de capacité.
5. Substrat haute impédance selon la revendication 4 caractérisé en ce que les composants électroniques (7) comportent un ou plusieurs éléments actifs ayant
une valeur de capacité qui peut varier en fonction de la valeur d'une grandeur électrique
appliquée à cet ou à ces éléments actifs.
6. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 1 à 5 caractérisé en ce qu'il comporte une seconde couche ou feuille (2), cette seconde couche ou feuille (2)
ayant une face supérieure en vis à vis de la face inférieure de la première couche
ou feuille (1), et une face inférieure et en ce que une partie (32) au moins de chacun des motifs (3) est mécaniquement liée à l'une et/ou l'autre des
faces supérieure et inférieure de ladite seconde feuille ou couche (2).
7. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 1 à 5 caractérisé en ce qu'il comporte une seconde couche ou feuille (2), cette seconde couche ou feuille (2)
ayant une face supérieure en vis à vis de la surface inférieure de la première couche
ou feuille (1), et une face inférieure et en ce que la totalité des motifs (3) est mécaniquement liée à l'une et/ou l'autre des faces
supérieure et inférieure de ladite seconde feuille ou couche (2).
8. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 3 à 5 caractérisé en ce qu'il comporte une seconde couche ou feuille (2), cette seconde couche ou feuille (2)
ayant une face supérieure en vis à vis de la face inférieure de la première couche
ou feuille (1), et une face inférieure et en ce que la totalité des motifs conducteurs (3) ainsi que la totalité des composants électroniques
formant avec ces motifs (3) un circuit électrique sont mécaniquement liés à l'une
et/ou l'autre des faces supérieure et inférieure de ladite seconde feuille ou couche
(2).
9. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 1 à 8 caractérisé en ce qu'il comporte en outre un plan de masse (4) située sous la première couche ou feuille
(1) en vis à vis de la face inférieure de ladite première couche ou feuille (1).
10. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 6 à 8 caractérisé en ce qu'il comporte en outre un plan de masse situé sous la seconde couche ou feuille (2)
en vis à vis de la face inférieure de ladite seconde couche ou feuille (2).
11. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 6 à 8 caractérisé en ce qu'il comporte en outre un plan de masse situé entre les première (1) et seconde (2)
couches ou feuilles (1, 2) en vis à vis de la face inférieure de ladite première couche
ou feuille (1).
12. Substrat haute impédance selon la revendication 9 caractérisé en ce que le plan de masse est constitué par une métallisation de la face inférieure de la
première couche ou feuille (1).
13. Substrat haute impédance selon la revendication 10 caractérisé en ce que le plan de masse est constitué par une métallisation de la face inférieure de la
seconde couche ou feuille (2)
14. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 1 à 8 caractérisé en ce qu'il comporte en outre un plan de masse (4) situé au dessus de la première couche ou
feuille (1) en vis à vis de la face supérieure de ladite première couche ou feuille
(1).
15. Substrat haute impédance selon la revendication 14 caractérisé en ce que le plan de masse est constitué par une métallisation de la face supérieure de la
première couche ou feuille (1)
16. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 1 à 15 caractérisé en ce que les pavés magnétiques (5) sont mécaniquement liés à la surface supérieure de la première
couche ou feuille (1)
17. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 1 à 16 caractérisé en ce que il comporte une pluralité d'interconnexions électriques (13) chacune mettant en contact
électrique deux points distincts (90, 9n-1, 111, 11n) l'un de l'autre du motif conducteur (3) mécaniquement liés au substrat en passant
au dessus dudit pavé magnétique (5) associé audit motif, le motif conducteur (3) et
les interconnexions (13) formant ensemble un solénoïde autour du pavé magnétique (5).
18. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 1 à 16 caractérisé en ce que des motifs (3) auxquels est associé un pavé magnétique (5) comportent chacun une
pluralité d'interconnexions (13) électriques mettant chacune en contact électrique
deux points distincts (90, 9n-1, 111, 11n) l'un de l'autre du motif conducteur (3) mécaniquement liés au substrat en passant
au dessus dudit pavé magnétique (5) associé audit motif (3), une première partie du
motif conducteur et les interconnexions (13) formant ensemble un solénoïde autour
du pavé magnétique (5), une seconde partie du motif formant avec des éléments capacitifs
et ou résistifs un circuit connectant lesdits éléments capacitifs et ou résistifs
en parallèle ou en série sur le solénoïde.
19. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 1 à 18 caractérisé en ce que les pavés magnétiques sont en caoutchouc ou en matière plastique chargé par une poudre
en matériau magnétique.
20. Substrat haute impédance selon la revendication 19 caractérisé en ce que la fraction volumique de poudre en matériau magnétique du caoutchouc ou de la matière
plastique formant les pavés magnétiques est supérieure à 30%.
21. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 1 à 18 caractérisé en ce que les pavés magnétiques sont en un matériau constitué par un empilement de couches
magnétiques et isolantes.
22. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 1 à 19 caractérisé en ce que le taux de couverture de la face portant les pavés magnétiques, par lesdits pavés
magnétiques est supérieur à 10%.
23. Substrat haute impédance selon l'une des revendications 1 à 19 caractérisé en ce que le taux de couverture de la face portant les pavés magnétiques, par lesdits pavés
magnétiques est supérieur à 50%.
1. A high-impedance substrate comprising a first layer or sheet (1) made of insulating
material, having a first and a second face in the form of a lower face and an upper
face (6), the substrate comprising conductor patterns (3) mechanically linked to the
substrate, characterised in that, some of the conductor patterns (3) mechanically linked to the substrate are associated
with a magnetic tile (5) placed on or above one of the two faces of the substrate,
and in that at least one electrical interconnection (13) puts two points (9, 11) in electrical
contact distinct from one another of a conductor pattern (3) mechanically linked to
the substrate, this conductor pattern (3) having an assigned magnetic tile (5), passing
above said magnetic tile (5) associated with said conductor pattern (3) mechanically
linked to the substrate.
2. The high-impedance substrate as claimed in Claim 1 characterised in that conductor patterns (3) are constituted by conductive tracks deposited on one and/or
the other of the upper (6) or lower faces of the substrate.
3. The high-impedance substrate as claimed in Claim 1 characterised in that conductor patterns (3) are constituted by conductive tracks deposited on one and/or
the other of the upper (6) or lower faces of the substrate and together forming an
electrical circuit with electronic components (7).
4. The high-impedance substrate as claimed in Claim 3 characterised in that the electronic components (7) are elements having a resistance value and a capacity
value.
5. The high-impedance substrate as claimed in Claim 4 characterised in that the electronic components (7) comprise one or more active elements having a capacity
value which can vary as a function of the value of an electrical variable applied
to this or to these active elements.
6. The high-impedance substrate as claimed in any one of Claims 1 to 5, characterised in that it comprises a second layer or sheet (2), this second layer or sheet (2) having an
upper face opposite the lower face of the first layer or sheet (1), and a lower face
and in that a part (32) at least of each of the patterns (3) is mechanically linked to one and/or
the other of the upper and lower faces of said second sheet or layer (2).
7. The high-impedance substrate as claimed in any one of Claims 1 to 5, characterised in that it comprises a second layer or sheet (2), this second layer or sheet (2) having an
upper face opposite the lower face of the first layer or sheet (1), and a lower face
and in that the entirety of the patterns (3) is mechanically linked to one and/or the other of
the upper and lower faces of said second sheet or layer (2).
8. The high-impedance substrate as claimed in any one of claims 3 to 5, characterised in that it comprises a second layer or sheet (2), this second layer or sheet (2) having an
upper face opposite the lower face of the first layer or sheet (1), and a lower face
and in that the totality of the conductor patterns (3) as well as the totality of the electronic
components forming an electrical circuit with these patterns (3) are mechanically
linked to the one and/or the other of the upper and lower faces of said second sheet
or layer (2).
9. The high-impedance substrate as claimed in any one of Claims 1 to 8, characterised in that it further comprises an earth plane (4) situated underneath the first layer or sheet
(1) opposite the lower face of said first layer or sheet (1).
10. The high-impedance substrate as claimed in any one of claims 6 to 8, characterised in that it further comprises an earth plane situated underneath the second layer or sheet
(2) opposite the lower face of said second layer or sheet (2).
11. The high-impedance substrate as claimed in any one of claims 6 to 8, characterised in that it further comprises an earth plane situated between the first (1) and second (2)
layers or sheets (1, 2) opposite the lower face of said first layer or sheet (1).
12. The high-impedance substrate as claimed in Claim 9, characterised in that the earth plane is constituted by plating of the lower face of the first layer or
sheet (1).
13. The high-impedance substrate as claimed in Claim 10, characterised in that the earth plane is constituted by plating of the lower face of the second layer or
sheet (2).
14. The high-impedance substrate as claimed in any one of Claims 1 to 8, characterised in that it further comprises an earth plane (4) situated above the first layer or sheet (1)
opposite the upper face of said first layer or sheet (1).
15. The high-impedance substrate as claimed in Claim 14, characterised in that the earth plane is constituted by metallisation of the upper face of the first layer
or sheet (1).
16. The high-impedance substrate as claimed in any one of Claims 1 to 15, characterised in that the magnetic tiles (5) are mechanically linked to the upper face of the first layer
or sheet (1).
17. The high-impedance substrate as claimed in any one of Claims 1 to 16, characterised in that it comprises a plurality of electrical interconnections (13) each putting two distinct
points (90, 9n-1, 111, 11n) in electrical contact with one or the other of the conductor pattern (3) mechanically
linked to the substrate passing above said magnetic tile (5) associated with said
pattern, the conductor pattern (3) and the interconnections (13) together forming
a solenoid around the magnetic tile (5).
18. The high-impedance substrate as claimed in any one of Claims 1 to 16, characterised in that patterns (3) with which a magnetic tile (5) is associated each comprise a plurality
of electrical interconnections (13) each putting two distinct points (90, 9n-1, 111, 11n) in contact electrical with one another of the conductor pattern (3) mechanically
linked to the substrate passing above said magnetic tile (5) associated with said
pattern (3), a first part of the conductor pattern and the interconnections(13) together
forming a solenoid around the magnetic tile (5), a second part of the pattern forming
with capacitive and or resistive elements a circuit connecting said capacitive and/or
resistive elements in parallel or in series on the solenoid.
19. The high-impedance substrate as claimed in any one of Claims 1 to 18, characterised in that the magnetic tiles are made of rubber or plastic material loaded with a magnetic
material powder.
20. The high-impedance substrate as claimed in Claim 19, characterised in that the volume fraction of magnetic material powder of the rubber or of the plastic material
forming the magnetic tiles is greater than 30%.
21. The high-impedance substrate as claimed in any one of Claims 1 to 18, characterised in that the magnetic tiles are made of a material constituted by a stack of magnetic and
insulating layers.
22. The high-impedance substrate as claimed in any one of Claims 1 to 19, characterised in that the cover rate of the face carrying the magnetic tiles per said magnetic tiles is
greater than 10%.
23. The high-impedance substrate as claimed in any one of Claims 1 to 19, characterised in that the cover rate of the face carrying the magnetic tiles per said magnetic tiles is
greater than 50%.
1. Substrat mit hoher Impedanz, das eine erste Schicht oder Lage (1) aus Isoliermaterial,
die eine erste und eine zweite Fläche in Form einer unteren Oberfläche und einer oberen
Oberfläche (6) besitzt, umfasst, wobei das Substrat Leitermuster (3) aufweist, die
mit dem Substrat mechanisch verbunden sind,
dadurch gekennzeichnet, dass
bestimmte der Leitermuster (3), die mit dem Substrat mechanisch verbunden sind, einem
magnetischen Belag (5) zugeordnet sind, der auf oder über einer der zwei Flächen des
Substrats angeordnet ist, und dass wenigstens eine elektrische Zwischenverbindung
(13) zwei voneinander verschiedene Punkte (9, 11) eines Leitermusters (3), die mit
dem Substrat mechanisch verbunden sind, elektrisch kontaktiert, wobei dieses Leitermuster
(3), das einen zugeordneten magnetischen Belag (5) hat, über diesen dem Leitermuster
(3) zugeordneten magnetischen Belag (5) hinweg mit dem Substrat mechanisch verbunden
ist.
2. Substrat mit hoher Impedanz nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Leitermuster (3) durch Leiterbahnen gebildet sind, die auf der einen und/oder
der anderen der oberen Fläche (6) bzw. der unteren Fläche des Substrats abgelagert
sind.
3. Substrat mit hoher Impedanz nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Leitermuster (3) durch Leiterbahnen gebildet sind, die auf der einen und/oder
der anderen der oberen Fläche (6) bzw. der unteren Fläche des Substrats abgelagert
sind und zusammen mit elektronischen Komponenten (7) eine elektrische Schaltung bilden.
4. Substrat mit hoher Impedanz nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die elektronischen Komponenten (7) Elemente sind, die einen Widerstandswert und einen
Kapazitätswert haben.
5. Substrat mit hoher Impedanz nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die elektronischen Komponenten (7) ein oder mehrere aktive Elemente aufweisen, die
einen Kapazitätswert besitzen, der in Abhängigkeit vom Wert einer elektrischen Größe,
die in dieses oder in diese aktive Elemente eingegeben wird, veränderlich sein kann.
6. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass es eine zweite Schicht oder Lage (2) umfasst, wobei diese zweite Schicht oder Lage
(2) eine obere Fläche gegenüber der unteren Fläche der ersten Schicht oder Lage (1)
und eine untere Fläche besitzt und dass wenigstens ein Teil (32) jedes der Muster (3) mit der einen und/oder der anderen der oberen bzw. der unteren
Fläche der zweiten Lage oder Schicht (2) mechanisch verbunden ist.
7. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass es eine zweite Schicht oder Lage (2) umfasst, wobei diese zweite Schicht oder Lage
(2) eine obere Fläche gegenüber der unteren Fläche der ersten Schicht oder Lage (1)
und eine untere Fläche besitzt und dass die Gesamtheit der Muster (3) mit der einen
und/oder der anderen der oberen Fläche bzw. der unteren Fläche der zweiten Lage oder
Schicht mechanisch verbunden ist.
8. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass es eine zweite Schicht oder Lage (2) umfasst, wobei diese zweite Schicht oder Lage
(2) eine obere Fläche gegenüber der unteren Fläche der ersten Schicht oder Lage (1)
und eine untere Fläche besitzt und dass die Gesamtheit der Leitermuster (3) sowie
die Gesamtheit der elektronischen Komponenten, die mit diesen Mustern (3) eine elektrische
Schattung bilden, mit der einen und/oder der anderen der oberen Fläche bzw. der unteren
Fläche der zweiten Lage oder Schicht (2) mechanisch verbunden sind.
9. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass es außerdem eine Masseebene (4) umfasst, die sich unter der ersten Schicht oder Lage
(1) gegenüber der unteren Fläche der ersten Schicht oder Lage (1) befindet.
10. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass es außerdem eine Masseebene umfasst, die sich unter der zweiten Schicht oder Lage
(2) gegenüber der unteren Fläche der zweiten Schicht oder Lage (2) beendet.
11. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass es außerdem eine Masseebene umfasst, die sich zwischen der ersten (1) und der zweiten
(2) Schicht oder Lage (1, 2) gegenüber der unteren Fläche der ersten Schicht oder
Lage (1) befindet.
12. Substrat mit hoher Impedanz nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Masseebene durch eine Metallisierung der unteren Fläche der ersten Schicht oder
Lage (1) gebildet ist.
13. Substrat mit hoher Impedanz nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Masseebene durch eine Metallisierung der unteren Fläche der zweiten Schicht oder
Lage (2) gebildet ist.
14. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass es außerdem eine Masseebene (4) umfasst, die sich über der ersten Schicht oder Lage
(1) gegenüber der oberen Fläche der ersten Schicht oder Lage (1) befindet
15. Substrat mit hoher Impedanz nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Masseebene durch eine Metallisierung der oberen Fläche der ersten Schicht oder
Lage (1) gebildet ist.
16. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetischen Beläge (5) mit der oberen Oberfläche der ersten Schicht oder Lage
(1) mechanisch verbunden sind.
17. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 1 bis 16. dadurch gekennzeichnet, dass es mehrere elektrische Zwischenverbindungen (13) umfasst, wovon jede zwei voneinander
verschiedene Punkte (90, 9n-1, 111, 11n) des Leitermusters (3), die mit dem Substrat mechanisch verbunden sind, über den
dem Muster zugeordneten magnetischen Belag (5) hinweg elektrisch kontaktiert, wobei
das Leitermuster (3) und die Zwischenverbindungen (13) gemeinsam einen Elektromagneten
um den magnetischen Belag (5) bilden.
18. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Muster (3), denen ein magnetischer Belag (5) zugeordnet ist, jeweils mehrere
Zwischenverbindungen (13) umfassen, wovon jede zwei voneinander verschiedene Punkte
(90, 9n-1, 111, 11n) des Leitermusters (3), die mit dem Substrat mechanisch verbunden sind, über den
dem Muster (3) zugeordneten magnetischen Belag (5) hinweg elektrisch kontaktiert,
wobei ein erster Teil des Leitermusters und die Zwischenverbindungen (13) gemeinsam
einen Elektromagneten um den magnetischen Belag (5) bilden und wobei ein zweiter Teil
des Musters mit kapazitiven und/oder resistiven Elementen eine Schaltung bildet, die
die kapazitiven und/oder resistiven Elemente mit dem Elektromagneten parallel oder
in Reihe schaltet.
19. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet dass die magnetischen Beläge aus Kautschuk oder aus einem Kunststoff bestehen, der mit
einem Pulver aus einem leitenden Material beladen ist.
20. Substrat mit hoher Impedanz nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet. dass der Volumenanteil des Pulvers aus magnetischem Material des Kautschuks oder des Kunststoff,
der die magnetischen Beläge bildet, größer als 30 % ist.
21. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetischen Beläge aus einem Material bestehen, das durch einen Stapel aus magnetischen
und Isolierenden Schichten gebildet ist.
22. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil der Abdeckung der die magnetischen Beläge tragenden Fläche durch die magnetischen
Beläge größer als 10 % ist.
23. Substrat mit hoher Impedanz nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil der Abdeckung der die magnetischen Beläge tragenden Fläche durch die magnetischen
Beläge größer als 50 % ist.