(19)
(11) EP 1 670 131 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
09.09.2009  Patentblatt  2009/37

(43) Veröffentlichungstag A2:
14.06.2006  Patentblatt  2006/24

(21) Anmeldenummer: 05025504.1

(22) Anmeldetag:  23.11.2005
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H02M 7/797(2006.01)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL BA HR MK YU

(30) Priorität: 09.12.2004 DE 102004059313

(71) Anmelder: Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung
90431 Nürnberg (DE)

(72) Erfinder:
  • Schreiber, Dejan
    90408 Nürnbert (DE)
  • Heilbronner, Heinricht, Dr.
    90547 Stein (DE)

   


(54) Leistungshalbleitermodul mit verringerten parasitären Induktivitäten


(57) Es wird ein Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse (30,32a,32b) und hierin angeordnet einem oder eine Mehrzahl von Halbbrückenschaltungsanordnungen vorgeschlagen. Jede Halbbrückenschaltungsanordnung weist hierbei einen ersten (TOP) und einen zweiten (BOT) Leistungsschalter (10,12) auf, wobei jeder dieser Leistungsschalter aus einem Leistungstransistor und einer zugeordneten Leistungsdiode (20,22) (Freilaufdiode) besteht. Das Leistungshalbleitermodul weist weiterhin einen Gleichstromanschluss (40) positiver (40) und einen Gleichstromanschluss (50) negativer Polarität auf. Je Halbbrückenschaltungsanordnung weist es weiterhin zwei elektrisch nicht direkt miteinander verbundene Wechselstromanschlüsse (62,64) auf. Jeder TOP- Transistor ist mit der Leistungsdiode des BOT- Schalters und einem ersten Wechselstromanschluss verbunden und jeder BOT- Transistor ist mit der Leistungsdiode des TOP- Schalters und einem zweiten Wechselstromanschluss verbunden.







Recherchenbericht