(19)
(11) EP 1 702 371 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
20.09.2006  Patentblatt  2006/38

(21) Anmeldenummer: 05700516.7

(22) Anmeldetag:  03.01.2005
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 51/05(2006.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2005/000001
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2005/067075 (21.07.2005 Gazette  2005/29)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
DE

(30) Priorität: 08.01.2004 DE 102004001340

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • KREUPL, Franz
    80802 München (DE)
  • SEIDEL, Robert
    81539 München (DE)

(74) Vertreter: Viering, Jentschura & Partner 
Steinsdorfstrasse 6
80538 München
80538 München (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES NANOELEMENT-FELDEFFEKTTRANSISTORS MIT SURROUNDED GATE STRUKTUR