(19)
(11) EP 1 723 680 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
22.11.2006  Patentblatt  2006/47

(21) Anmeldenummer: 05717007.8

(22) Anmeldetag:  11.03.2005
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 29/861(2006.01)
 H01L 21/04(2006.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2005/051111
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2005/088728 (22.09.2005 Gazette  2005/38)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR

(30) Priorität: 11.03.2004 DE 102004012047

(71) Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
80333 München (DE)

(72) Erfinder:
  • BARTSCH, Wolfgang
    91054 Erlangen (DE)
  • MITLEHNER, Heinz
    91080 Uttenreuth (DE)

   


(54) PN-DIODE AUF DER BASIS VON SILICIUMCARBID UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG