(19)
(11) EP 1 748 493 A8

(12) DEMANDE DE BREVET EUROPEEN CORRIGEE
Avis: La bibliographie est mise à jour

(15) Information de correction:
Version corrigée no  1 (W1 A1)

(48) Corrigendum publié le:
15.08.2007  Bulletin  2007/33

(43) Date de publication:
31.01.2007  Bulletin  2007/05

(21) Numéro de dépôt: 06117667.3

(22) Date de dépôt:  21.07.2006
(51) Int. Cl.: 
H01L 29/78(2006.01)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR
Etats d'extension désignés:
AL BA HR MK YU

(30) Priorité: 26.07.2005 FR 0552307

(71) Demandeur: STMicroeletronics Crolles 2 SAS
38920 Crolles (FR)

(72) Inventeurs:
  • Villaret, Alexandre
    38000, Grenoble (FR)
  • Mazoyer, Pascale
    38420, Domène (FR)
  • Ranica, Rossella
    38000, Grenoble (FR)

(74) Mandataire: de Beaumont, Michel 
1bis, rue Champollion
38000 Grenoble
38000 Grenoble (FR)

   


(54) Cellule mémoire à un transistor à corps isolé à sensibilité de lecture améliorée


(57) L'invention concerne une cellule mémoire à un transistor MOS formé dans une région de corps flottant (1) isolée sur sa face inférieure par une jonction. Une région (41) du même type de conductivité que la région de corps flottant mais plus fortement dopée que celle-ci est disposée sous la région de drain (10) du transistor MOS.