REVETEMENT A BASE DE MGO POUR L'ISOLATION ELECTRIQUE DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION - Patent 1800336

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EP 1 800 336 A1

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(43)	Date de publication:
	27.06.2007 Bulletin 2007/26

(21)	Numéro de dépôt: 05810812.7

(22)	Date de dépôt: 12.10.2005

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Int. Cl.:

H01L 21/316^(2006.01)

(86)	Numéro de dépôt:
	PCT/FR2005/050844

(87)	Numéro de publication internationale:
	WO 2006/040499 (20.04.2006 Gazette 2006/16)

(84)	Etats contractants désignés:
	AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR

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Priorité:

13.10.2004 FR 0410789

(71)	Demandeur: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
	75015 Paris (FR)

(72)	Inventeurs:
	BONDOUX, Céline F-78000 VERSAILLES (FR) PRENE, Philippe F-37200 TOURS (FR) BELLEVILLE, Philippe F-37000 TOURS (FR) JERISIAN, Robert, Mr Piskis F-37100 Tours (FR)

(74)	Mandataire: Poulin, Gérard et al
	Brevatome 3, rue du Docteur Lancereaux 75008 Paris 75008 Paris (FR)

(54)	REVETEMENT A BASE DE MGO POUR L'ISOLATION ELECTRIQUE DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION