(19)
(11)
EP 1 800 347 A2
(12)
(88)
Veröffentlichungstag A3:
09.11.2006
(43)
Veröffentlichungstag:
27.06.2007
Patentblatt 2007/26
(21)
Anmeldenummer:
05791393.1
(22)
Anmeldetag:
07.09.2005
(51)
Internationale Patentklassifikation (IPC):
H01L
29/78
(2006.01)
H01L
29/10
(2006.01)
H01L
29/08
(2006.01)
H01L
21/336
(2006.01)
(86)
Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2005/001567
(87)
Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2006/026974
(
16.03.2006
Gazette 2006/11)
(84)
Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR
(30)
Priorität:
08.09.2004
DE 102004043284
(71)
Anmelder:
X-FAB Semiconductor Foundries AG
99097 Erfurt (DE)
(72)
Erfinder:
ROTH, Andreas
99198 Erfurt-Urbrich (DE)
(74)
Vertreter:
Leonhard, Frank Reimund et al
Leonhard - Olgemöller - Fricke Patentanwälte Postfach 10 09 62
80083 München
80083 München (DE)
(54)
DMOS-TRANSISTOR UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN