(19)
(11) EP 1 800 347 A2

(12)

(88) Veröffentlichungstag A3:
09.11.2006

(43) Veröffentlichungstag:
27.06.2007  Patentblatt  2007/26

(21) Anmeldenummer: 05791393.1

(22) Anmeldetag:  07.09.2005
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 29/78(2006.01)
H01L 29/10(2006.01)
H01L 29/08(2006.01)
H01L 21/336(2006.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2005/001567
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2006/026974 (16.03.2006 Gazette  2006/11)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR

(30) Priorität: 08.09.2004 DE 102004043284

(71) Anmelder: X-FAB Semiconductor Foundries AG
99097 Erfurt (DE)

(72) Erfinder:
  • ROTH, Andreas
    99198 Erfurt-Urbrich (DE)

(74) Vertreter: Leonhard, Frank Reimund et al
Leonhard - Olgemöller - Fricke Patentanwälte Postfach 10 09 62
80083 München
80083 München (DE)

   


(54) DMOS-TRANSISTOR UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN