(19)
(11)
EP 1 854 148 A1
(12)
(43)
Date de publication:
14.11.2007
Bulletin 2007/46
(21)
Numéro de dépôt:
06709407.8
(22)
Date de dépôt:
18.01.2006
(51)
Int. Cl.:
H01L
31/0224
(2006.01)
H01L
27/142
(2006.01)
(86)
Numéro de dépôt:
PCT/FR2006/050020
(87)
Numéro de publication internationale:
WO 2006/077342
(
27.07.2006
Gazette 2006/30)
(84)
Etats contractants désignés:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR
(30)
Priorité:
20.01.2005
FR 0550173
(71)
Demandeur:
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
75015 Paris (FR)
(72)
Inventeurs:
RIBEYRON, Pierre Jean
F-38330 Saint Ismier (FR)
ROLLAND, Emmanuel
F-38560 Jarrie (FR)
(74)
Mandataire:
Poulin, Gérard et al
Brevatome 3, rue du Docteur Lancereaux
75008 Paris
75008 Paris (FR)
(54)
PROCEDE DE METALLISSATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR