(19)
(11) EP 1 854 148 A1

(12)

(43) Date de publication:
14.11.2007  Bulletin  2007/46

(21) Numéro de dépôt: 06709407.8

(22) Date de dépôt:  18.01.2006
(51) Int. Cl.: 
H01L 31/0224(2006.01)
H01L 27/142(2006.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR2006/050020
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2006/077342 (27.07.2006 Gazette  2006/30)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR

(30) Priorité: 20.01.2005 FR 0550173

(71) Demandeur: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
75015 Paris (FR)

(72) Inventeurs:
  • RIBEYRON, Pierre Jean
    F-38330 Saint Ismier (FR)
  • ROLLAND, Emmanuel
    F-38560 Jarrie (FR)

(74) Mandataire: Poulin, Gérard et al
Brevatome 3, rue du Docteur Lancereaux
75008 Paris
75008 Paris (FR)

   


(54) PROCEDE DE METALLISSATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR