PROCEDE DE FABRICATION D UNE DIODE ELECTROLUMINESCENTE A JONCTION PN NANOSTRUCTUREE ET DIODE OBTENUE PAR UN TEL PROCEDE - Patent 1859478

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EP 1 859 478 A1

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(43)	Date de publication:
	28.11.2007 Bulletin 2007/48

(21)	Numéro de dépôt: 06709371.6

(22)	Date de dépôt: 23.02.2006

(51)

Int. Cl.:

H01L 21/20^(2006.01)

H01L 33/00^(2006.01)

(86)	Numéro de dépôt:
	PCT/FR2006/000414

(87)	Numéro de publication internationale:
	WO 2006/097591 (21.09.2006 Gazette 2006/38)

(84)	Etats contractants désignés:
	AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR

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Priorité:

15.03.2005 FR 0502530

(71)	Demandeur: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
	75015 Paris (FR)

(72)	Inventeurs:
	NOE, Pierre F-38500 Coublevie (FR) MAZEN, Frédéric F-38100 Grenoble (FR)

(74)	Mandataire: Hecké, Gérard et al
	Cabinet Hecké World Trade Center - Europole 5, Place Robert Schuman BP 1537 38025 Grenoble Cedex 1 38025 Grenoble Cedex 1 (FR)

(54)	PROCEDE DE FABRICATION D UNE DIODE ELECTROLUMINESCENTE A JONCTION PN NANOSTRUCTUREE ET DIODE OBTENUE PAR UN TEL PROCEDE