TRANSISTOR MOS NANOMETRIQUE A RAPPORT MAXIMISE ENTRE COURANT A L'ETAT PASSANT ET COURANT A L'ETAT BLOQUE - Patent 1859485

(19)

(11)

EP 1 859 485 A1

(12)

(43)	Date de publication:
	28.11.2007 Bulletin 2007/48

(21)	Numéro de dépôt: 06726224.6

(22)	Date de dépôt: 07.03.2006

(51)

Int. Cl.:

H01L 29/786^(2006.01)

H01L 29/06^(2006.01)

(86)	Numéro de dépôt:
	PCT/FR2006/050200

(87)	Numéro de publication internationale:
	WO 2006/095112 (14.09.2006 Gazette 2006/37)

(84)	Etats contractants désignés:
	AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR

(30)

Priorité:

08.03.2005 FR 0550605

(71)	Demandeurs:
	Centre National de la Recherche Scientifique 75794 Paris Cedex 16 (FR) UNIVERSITE PAUL CEZANNE AIX-MARSEILLE III 13628 Aix en Provence Cedex 1 (FR)

(72)	Inventeur:
	CAVASSILAS, Nicolas F-13001 Marseille (FR)

(74)	Mandataire: de Beaumont, Michel
	Cabinet Beaumont 1, rue Champollion 38000 Grenoble 38000 Grenoble (FR)

(54)	TRANSISTOR MOS NANOMETRIQUE A RAPPORT MAXIMISE ENTRE COURANT A L'ETAT PASSANT ET COURANT A L'ETAT BLOQUE