(19)
(11) EP 1 861 873 A1

(12)

(43) Date de publication:
05.12.2007  Bulletin  2007/49

(21) Numéro de dépôt: 06725289.0

(22) Date de dépôt:  23.03.2006
(51) Int. Cl.: 
H01L 21/762(2006.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/EP2006/061012
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2006/100301 (28.09.2006 Gazette  2006/39)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR

(30) Priorité: 24.03.2005 FR 0502923

(71) Demandeur: S.O.I.TEC. Silicon on Insulator Technologies S.A.
38190 Bernin (FR)

(72) Inventeurs:
  • LETERTRE, Fabrice
    F-38000 Grenoble (FR)
  • GHYSELEN, Bruno
    F-38170 Seyssinet-Pariset (FR)
  • CAYREFOURCQ, Ian
    F-38330 Saint Nazaire Les Eymes (FR)

(74) Mandataire: Le Forestier, Eric et al
Cabinet Régimbeau 20, rue de Chazelles
75847 Paris cedex 17
75847 Paris cedex 17 (FR)

   


(54) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE HETERO-STRUCTURE COMPORTANT AU MOINS UNE COUCHE EPAISSE DE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR