(19)
(11) EP 1 869 711 A2

(12)

(88) Veröffentlichungstag A3:
01.02.2007

(43) Veröffentlichungstag:
26.12.2007  Patentblatt  2007/52

(21) Anmeldenummer: 06725692.5

(22) Anmeldetag:  10.04.2006
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 29/78(2006.01)
H01L 21/336(2006.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2006/061497
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2006/108827 (19.10.2006 Gazette  2006/42)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR

(30) Priorität: 13.04.2005 DE 102005008191

(71) Anmelder: X-FAB Semiconductor Foundries AG
99097 Erfurt (DE)

(72) Erfinder:
  • DOEHNEL, Jochen
    99099 Erfurt (DE)
  • HERING, Siegfried
    99198 Kerspleben (DE)

(74) Vertreter: Leonhard, Frank Reimund 
Leonhard - Olgemöller - Fricke Patentanwälte Postfach 10 09 62
80083 München
80083 München (DE)

   


(54) HERSTELLUNG VON VDMOS-TRANSISTOREN MIT OPTIMIERTER GATEKONTAKTIERUNG