(19)
(11) EP 1 993 133 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
08.09.2010  Patentblatt  2010/36

(43) Veröffentlichungstag A2:
19.11.2008  Patentblatt  2008/47

(21) Anmeldenummer: 08008714.1

(22) Anmeldetag:  09.05.2008
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 23/373(2006.01)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL NO PL PT RO SE SI SK TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL BA MK RS

(30) Priorität: 12.05.2007 DE 102007022337

(71) Anmelder: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG
90431 Nürnberg (DE)

(72) Erfinder:
  • Göbl, Christian
    90441 Nürnberg (DE)
  • Braml, Heiko, Dr.
    91346 Wiesenttal (DE)
  • Hermann, Ulrich
    90408 Nürnberg (DE)

   


(54) Gesintertes Leistungshalbleitersubstrat sowie Herstellungsverfahren hierzu


(57) Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitersubstrat mit einem isolierenden flächigen Grundkörper, mit mindestens einer auf mindestens einer Hauptfläche angeordneten Schichtfolge aus einer dünnen Haftvermittelungsschicht, einer Sintermetallschicht und einer Leitungsschicht. Das zugehörige Verfahren weist die wesentlichen Schritte auf: Beschichten mindestens einer Teilfläche mindestens einer Hauptfläche des flächigen isolierenden Grundkörpers mit der Haftvermittelungsschicht; Anordnung einer pastösen Schicht aus dem Sintermetall und einem Lösungsmittel, auf einer Teilfläche oder auf der gesamten Fläche der Haftvermittelungsschicht; Anordnen der Leitungsschicht auf der Sintermetallschicht; Druckbeaufschlagung auf die Leitungsschicht des Leistungssubstrats.







Recherchenbericht