(19)
(11) EP 2 020 672 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
10.11.2010  Patentblatt  2010/45

(43) Veröffentlichungstag A2:
04.02.2009  Patentblatt  2009/06

(21) Anmeldenummer: 08013495.0

(22) Anmeldetag:  26.07.2008
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01J 27/16(2006.01)
 F03H 1/00(2006.01)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL NO PL PT RO SE SI SK TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL BA MK RS

(30) Priorität: 02.08.2007 DE 102007036592

(71) Anmelder: Astrium GmbH
81663 München (DE)

(72) Erfinder:
  • Kadrnoschka, Werner
    82110 Germering (DE)
  • Lebeda, Anton
    85579 Neubiberg (DE)
  • Müller, Johann
    81929 München (DE)
  • Weis, Stefan
    35781 Weilburg (DE)
  • Killinger, Rainer, Dr.
    45569 Recklinghausen (DE)

(74) Vertreter: Hummel, Adam 
EADS Deutschland GmbH Patentabteilung
81663 München
81663 München (DE)

   


(54) Hochfrequenzgenerator für Ionen- und Elektronenquellen


(57) Die Erfindung beschreibt eine Vorrichtung zur Einkopplung von lonisationsenergie in eine induktiv oder induktiv-kapazitiv angeregte lonen- oder Elektronenquelle. Die erfindungsgemäße Vorrichtung umfasst folgende Merkmale: ein Entladungsgefäß (4) für ein zu ionisierendes Gas; eine um das Entladungsgefäß (4) gewickelte Koppelspule (5) zur Einspeisung einer zur Plasma-Anregung notwendigen Hochfrequenz-Energie; einen mit der Koppelspule (5) elektrisch gekoppelten Koppelkondensator (22); einen mit der Koppelspule elektrisch gekoppelten Hochfrequenzgenerator (16). Der Hochfrequenzgenerator (16) bildet zusammen mit dem zumindest einen Koppelkondensator (22) einen Resonanzkreis aus. Ferner weist der Hochfrequenzgenerator (16) eine PLL-Regelungsvorrichtung (34) zur automatischen Impedanzanpassung des Resonanzkreises auf, so dass der Resonanzkreis mit einer Resonanzfrequenz betreibbar ist.







Recherchenbericht