(19)
(11) EP 2 188 830 A1

(12)

(43) Date de publication:
26.05.2010  Bulletin  2010/21

(21) Numéro de dépôt: 08837575.3

(22) Date de dépôt:  17.09.2008
(51) Int. Cl.: 
H01L 21/20(2006.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR2008/051669
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2009/047448 (16.04.2009 Gazette  2009/16)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL NO PL PT RO SE SI SK TR
Etats d'extension désignés:
AL BA MK RS

(30) Priorité: 18.09.2007 FR 0757652

(71) Demandeur: Centre National de la Recherche Scientifique- CNRS
75016 Paris (FR)

(72) Inventeurs:
  • SAINT-GIRONS, Guillaume
    F-69001 Lyon (FR)
  • LARGEAU, Ludovic
    F-91220 Bretigny Sur Orge (FR)
  • PATRIARCHE, Gilles
    F-91240 Saint Michel Sur Orge (FR)
  • REGRENY, Philippe
    F-69380 Chaselay (FR)
  • HOLLINGER, Guy
    F-38440 Moidieu-Detourbe (FR)

(74) Mandataire: Blot, Philippe Robert Emile et al
Cabinet Lavoix 2, place d'Estienne d'Orves
75441 Paris Cedex 09
75441 Paris Cedex 09 (FR)

   


(54) HÉTÉROSTRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES MONOLITHIQUES ÉPITAXIÉES ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION