Stand der Technik
[0001] Die Erfindung betrifft ein Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur,
mindestens umfassend eine durch den Schalldruck auslenkbare erste Membran, die als
auslenkbare Elektrode fungiert, ein feststehendes akustisch durchlässiges Gegenelement,
das als Gegenelektrode fungiert, und eine weitere Kapazität zur Auswertung der Kapazitätsänderungen
zwischen der ersten auslenkbaren Elektrode und der Gegenelektrode.
[0002] Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements.
[0003] Bei den aus der Praxis bekannten MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)-Mikrofonen
wird der Schalldruck meist in Form einer Kapazitätsänderung zwischen einer akustisch
aktiven Membran und einer weitgehend starren Gegenelektrode erfasst. Ein Auswertekonzept
für diese Art von Mikrofonen, bei dem die Kapazitätsänderung mit relativ geringer
Spannung zwischen der Membran und der Gegenelektrode bestimmt werden kann, beruht
auf einem Vergleich der Kapazitätsänderung mit einer festen Referenzkapazität. Vorteilhafterweise
befindet sich diese Referenzkapazität auf demselben Bauteil wie die Messkapazität.
Offenbarung der Erfindung
[0004] Mit der vorliegenden Erfindung wird eine sehr platzsparende mikromechanische Mikrofonstruktur
mit einer Messkapazität und einer Referenzkapazität vorgeschlagen, die im Verhältnis
zu ihrer geringen Baugröße eine hohe Empfindlichkeit aufweist.
[0005] Dazu ist das feststehende Gegenelement zwischen der auslenkbaren ersten Membran und
einer zweiten Membran angeordnet. Das feststehende Gegenelement fungiert erfindungsgemäß
nicht nur als Gegenelektrode für die auslenkbare erste Membran sondern bildet auch
eine Elektrode der weiteren Kapazität, während die zweite Membran die zweite Elektrode
dieser weiteren Kapazität bildet.
[0006] Erfindungsgemäß werden die Messkapazität und die weitere Kapazität demnach übereinander,
mit einer gemeinsamen Mittelelektrode realisiert. Diese Elektrodenanordnung ist nicht
nur sehr platzsparend, sondern ermöglicht auch unterschiedliche Auswertekonzepte,
je nach dem, ob es sich bei der weiteren Kapazität um eine konstante Referenzkapazität
oder eine vom Schalldruck abhängige Kapazität handeln soll.
[0007] In einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelements sind das feststehende
Gegenelement und die zweite Membran mechanisch gekoppelt aber gegeneinander elektrisch
isoliert, so dass sie eine konstante Referenzkapazität bilden. Die Referenzkapazität
verbraucht hier also keine zusätzliche Bauteiloberfläche sondern ist innerhalb der
aktiven Mikrofonfläche angeordnet. Bei dieser Variante kann einfach das aus dem Stand
der Technik bekannte Auswertekonzept angewendet werden.
[0008] Von besonderem Vorteil ist es, wenn sich auch die weitere Kapazität unter Einwirkung
des Schalldrucks verändert, d.h. wenn auch die zweite Membran unter Einwirkung des
Schalldrucks ausgelenkt wird. Da das Gegenelement erfindungsgemäß zwischen den beiden
Membranen angeordnet ist und eine feststehende Elektrode sowohl für die Messkapazität
als auch für die weitere Kapazität bildet, verändern sich die Messkapazität und die
weitere Kapazität bei gleichsinniger Auslenkung der beiden Membranen gegenläufig.
In diesem Fall kann das Messsignal einfach durch Verknüpfung der beiden Kapazitäten
verstärkt werden, um die Mikrofonempfindlichkeit zu erhöhen.
[0009] Eine Möglichkeit zur Realisierung einer solchen schalldruckabhängigen weiteren Kapazität
besteht darin, die beiden Membranen des erfindungsgemäßen Bauelements mechanisch zu
koppeln und gegeneinander elektrisch zu isolieren. In diesem Fall ist es ausreichend,
wenn im wesentlichen nur eine der beiden Membranen akustisch aktiv ist, da der Schalldruck
über die mechanische Kopplung direkt auf die andere Membran übertragen wird.
[0010] Eine mechanische Kopplung ist dann nicht erforderlich, wenn beide Membranen des Bauelements
akustisch aktiv sind. In diesem Fall ist es von Vorteil, wenn die beiden Membranen
in zueinander versetzten Teilbereichen akustisch aktiv und akustisch durchlässig ausgebildet
sind, um Wechselwirkungen zu vermeiden.
[0011] Vorteilhafterweise sind die dem Gegenelement zugewandten Membranoberflächen und/oder
die Oberflächen des Gegenelements mit einer dielektrischen Beschichtung versehen,
um einen Kurzschluss der Messkapazität und/oder der Referenzkapazität in Überlastsituationen
zu vermeiden.
[0012] Des Weiteren kann die Mikrofonstruktur einen Überlastschutz in Form von Anschlägen
umfassen, die in der dem Gegenelement zugewandten Oberfläche einer auslenkbaren Membran
und/oder in der einer auslenkbaren Membran zugewandten Oberfläche des Gegenelements
ausgebildet sind.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
[0013] Wie bereits voranstehend erörtert, gibt es verschiedene Möglichkeiten, die Lehre
der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Weise auszugestalten und weiterzubilden.
Dazu wird einerseits auf die dem unabhängigen Patentanspruch 1 nachgeordneten Patentansprüche
verwiesen und andererseits auf die nachfolgende Beschreibung mehrerer Ausführungsbeispiele
der Erfindung. Anhand der Figuren wird auch das beanspruchte Herstellungsverfahren
näher erläutert.
- Fig. 1
- zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines erfindungsge- mäßen Bauelements 10
mit zwei akustisch aktiven Membranen,
- Fig. 2a bis 2j
- veranschaulichen die einzelnen Verfahrensschritte zur Herstel- lung des Bauelements
10 anhand von schematischen Schnitt- darstellungen,
- Fig. 3
- zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer Variante des Bauelements 10, und
- Fig. 4
- zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer zweiten Varian- te eines erfindungsgemäßen
Bauelements 40.
Ausführungsformen der Erfindung
[0014] Das in
Fig. 1 dargestellte Bauelement 10 umfasst eine mikromechanische Mikrofonstruktur, die in
einem Schichtaufbau über einem Substrat 1 ausgebildet ist. Diese Mikrofonstruktur
besteht im Wesentlichen aus zwei übereinander angeordneten Membranen 11 und 12, zwischen
denen ein feststehendes Gegenelement 13 angeordnet ist. Die Membran 11 ist über Isolationsschichten
2 und 4 einerseits gegen das Substrat 1 und andererseits gegen das Gegenelement 13
elektrisch isoliert. Eine weitere Isolationsschicht 6 des Schichtaufbaus dient der
elektrischen Isolation zwischen dem Gegenelement 13 und der Membran 12. Die beiden
Membranen 11 und 12 sowie das Gegenelement 13 bestehen zumindest bereichsweise aus
einem elektrisch leitfähigen Material, wie z.B. einem entsprechend dotierten Polysilizium.
Auf diese Weise bildet die Membran 11 zusammen mit dem Gegenelement 13 eine erste
Kapazität, während die Membran 12 zusammen mit dem Gegenelement 13 eine zweite Kapazität
bildet.
[0015] Das Gegenelement 13 ist deutlich dicker als die beiden Membranen 11 und 12 und damit
im Wesentlichen starr. Außerdem sind im Gegenelement 13 Durchgangsöffnungen 131, 132
ausgebildet, so dass das Gegenelement 13 akustisch durchlässig ist. Im Gegensatz dazu
sind beide Membranen 11 und 12 im hier beschriebenen Ausführungsbeispiel akustisch
aktiv. Sie werden unabhängig voneinander durch den Schalldruck ausgelenkt, der von
der Bauteiloberseite ausgehend auf die Membran 12 einwirkt und über eine Schallöffnung
14 in der Bauteilrückseite auf die Membran 11 einwirkt. Im Mittelbereich der Membran
11 sind Durchgangsöffnungen 111 ausgebildet, so dass die Membran 11 im Wesentlichen
nur im geschlossenen Randbereich akustisch aktiv ist. Im Unterschied dazu ist dieser
Randbereich der Membran 12 mit Durchgangsöffnungen 121 versehen, so dass die Membran
12 im Wesentlichen nur im geschlossenen Mittelbereich akustisch aktiv ist. Diese versetzte
Anordnung der Durchgangsöffnungen 111 und 121 bzw. der akustisch aktiven Bereiche
der Membranen 11 und 12 dient der Vermeidung von Wechselwirkungen zwischen den beiden
Membranen 11 und 12. Aufgrund der Durchgangsöffnungen 111, 121 und 131, 132 in den
Membranen 11 und 12 sowie im Gegenelement 13 bewirkt der Schalldruck eine gleichsinnige
Auslenkung der beiden Membranen 11 und 12. Da das Gegenelement 13 sandwichartigen
zwischen den beiden Membranen 11 und 12 angeordnet ist, ändern sich die erste und
zweite Kapazität gegensinnig. Die Auswertung erfolgt hier durch Differenzbildung zwischen
der ersten und zweiten Kapazität
[0016] Die Herstellung des in Fig. 1 dargestellten Bauelements 10 wird nachfolgend anhand
der
Fig. 2a bis 2j erläutert.
[0017] Wie bereits erwähnt, geht das Herstellungsverfahren von einem Substrat 1, wie z.B.
einem Siliziumwafer, aus. Auf diesem Substrat wird zunächst eine erste Opferschicht
2 abgeschieden und strukturiert.
Fig. 2a zeigt den Schichtaufbau nach der Strukturierung der ersten Opferschicht 2, bei der
Öffnungen 21 erzeugt wurden, die mit den zu erzeugenden Durchgangsöffnungen 111 in
der ersten Membran 11 kommunizieren. Die erste Opferschicht 2 fungiert im Rahmen des
Bauelements 10 auch als erste Isolationsschicht 2. Typischerweise handelt es sich
dabei um ein thermisches Oxid oder ein TEOS-Oxid.
[0018] Auf der strukturierten ersten Opferschicht 2 wird nun eine erste Membranschicht 3
in Form einer Polysiliziumschicht abgeschieden und dotiert.
Fig. 2b zeigt den Schichtaufbau, nach der Strukturierung der Membranschicht 3, bei der nicht
nur die Durchgangsöffnungen 111 erzeugt wurden sondern auch eine Federaufhängung 31
für die Membran 11 ausgebildet wurde, um Membranauslenkungen zu begünstigen.
[0019] Darüber wird eine zweite Opferschicht 4 abgeschieden und strukturiert. Im hier beschriebenen
Ausführungsbeispiel wurden dabei Öffnungen 41 erzeugt, die mit den Durchgangsöffnungen
111 in der ersten Membranschicht 3 kommunizieren. Des Weiteren wurde eine Öffnung
42 erzeugt, die für die Realisierung der elektrischen Kontakte der einzelnen Kondensatorelektroden
des Bauelements 10 benötigt wird. Diese Situation ist in
Fig. 2c dargestellt. Da auch die zweite Opferschicht 4 im Rahmen des Bauelements 10 als Isolationsschicht
fungiert, kann diese - wie schon die erste Opferschicht 2 - durch ein thermisches
Oxid oder ein TEOS-Oxid gebildet werden.
[0020] Auf die zweite Opferschicht 4 wird eine zumindest bereichsweise elektrisch leitfähige
Schicht 5 aufgebracht, aus der das feststehende Gegenelements 13 herausgebildet wird.
Im hier beschriebenen Ausführungsbeispiel wurde dazu eine dickere Epi-Polysiliziumschicht
5 auf der zweiten Opferschicht 4 erzeugt und dotiert. Diese
Epi-Polysiliziumschicht 5 wurde zumindest im Membranbereich nicht strukturiert, so dass das Polysilizium
dieser Schicht 5 die Strukturierung der darunter liegenden Schichten 4, 3 und 2 ausfüllt,
was durch
Fig. 2d veranschaulicht wird. Zum Erzeugen der Epi-Polysiliziumschicht 5 wird typischerweise
zunächst eine Polysiliziumstartschicht abgeschieden, bevor darauf dann eine Epi-Polysiliziumschicht
abgeschieden wird. Dieses Epi-Polysilizium wird dotiert und kann zur besseren Weiterverarbeitung
planarisiert werden. Alternativ kann das feststehende Gegenelement aber auch in einer
dünneren Polysiliziumschicht realisiert werden, die steifer als die beiden Membranen
im Schichtaufbau aufgehängt wird. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, das Gegenelement
in Form eines Schichtstapels aus Polysilizium und Oxid bzw. Nitrid zu realisieren,
der unter Zugstress steht. Auf diese Weise kann ebenfalls erreicht werden, dass das
Gegenelement signifikant weniger auf Schallwellen reagiert als die Membranen.
[0021] Über der Epi-Polysiliziumschicht 5 wurde eine dritte Opferschicht 6 abgeschieden,
die im Rahmen des Bauelements 10 ebenfalls als
Isolationsschicht fungiert. Bei der Strukturierung dieser Opferschicht 6 wurden Öffnungen 61 erzeugt,
die mit den zu erzeugenden Öffnungen 121 in der zweiten Membran 12 des Bauelements
10 kommunizieren. Außerdem wurde eine Öffnung 62 erzeugt, die zur Realisierung von
elektrischen Kontakten benötigt wird.
Fig. 2e zeigt den Schichtaufbau mit der strukturierten dritten Opferschicht 6.
[0022] Dann wurde auf der dritten Opferschicht 6 eine zweite Membranschicht 7 in Form einer
weiteren Polysiliziumschicht abgeschieden, dotiert und strukturiert, wobei auch hier
neben den Durchgangsöffnungen 121 eine federartige Membranaufhängung 71 erzeugt wurde.
Der resultierende Schichtaufbau ist in
Fig. 2f dargestellt.
[0023] Zur späteren Kontaktierung umfasst der Schichtaufbau des Bauelements 10 schließlich
noch eine oder mehrere strukturierte Metallschichten 8. Im hier beschriebenen Ausführungsbeispiel
wurde die Metallschicht 8 auf die zweite Membranschicht 7 aufgebracht und strukturiert,
was in
Fig. 2g dargestellt ist, bevor das Gegenelement bzw. die Epi-Polysiliziumschicht 5 strukturiert
wurde und Ätzzugänge zu den Opferschichten 2, 4 und 6 zum Freilegen der Mikrofonstruktur
erzeugt wurden. Die Metallschicht 8 für die Realisierung elektrischer Kontakte kann
aber auch zu einem späteren Zeitpunkt erzeugt werden.
[0024] In einem von der Vorderseite bzw. Oberseite des Schichtaufbaus ausgehenden Trenchschritt
wurden nun die Durchgangsöffnungen 121 in der zweiten Membranschicht 7, die sich in
den Öffnungen 61 in der dritten Opferschicht 6 fortsetzen, in die Epi-Polysiliziumschicht
5 übertragen, um die Durchgangsöffnungen 131 im Randbereich des Gegenelements 13 zu
erzeugen. Dabei dient die zweite Opferschicht 4
als Ätzstoppgrenze. Das Ergebnis dieses ersten Trenchschritts ist in Form der Trenchgräben
91 in
Fig. 2h dargestellt.
[0025] In einem zweiten Trenchschritt, der von der Substratrückseite ausgeht, wird zunächst
die Schallöffnung 14 erzeugt, die das Rückseitenvolumen der Mikrofonstruktur bildet.
Dieser Trenchprozess stoppt an der ersten Opferschicht 2 und geht nur in dem Bereich
weiter in die Tiefe, in dem die Epi-Polysiliziumschicht 5 direkt an die Substratoberfläche
grenzt, d.h. im Bereich der Durchgangsöffnungen 111 in der ersten Membranschicht 3.
In diesem Bereich wird der Trenchprozess erst bei Erreichen der dritten Opferschicht
6 gestoppt, so dass im Mittelbereich des Gegenelements 13 Durchgangsöffnungen 132
entstehen. Die entsprechenden Trenchgräben 92 sind in
Fig. 2i zu erkennen.
[0026] Die Trenchgräben 91 und 92 in Verbindung mit der Schallöffnung 14 werden als Ätzzugänge
zum Freilegen der beiden Membranen 11 und 12 genutzt, was beispielsweise mit Hilfe
von HF oder in einem Gasphasenätzverfahren erfolgt. Dabei wird das Opferschichtmaterial
der Schichten 2, 4 und 6 in den Bereichen unter der ersten Membran 11 und zwischen
dem Gegenelement 13 und den beiden Membran 11 und 12 entfernt. Die resultierende Bauelementstruktur
ist in
Fig. 2j dargestellt. Diese Figur entspricht im Wesentlichen der Fig. 1.
[0027] An dieser Stelle sei angemerkt, dass auch Abweichungen von der voranstehend beschriebenen
Prozessfolge möglich sind. So kann der rückseitige Trenchprozess auch vor dem Vorderseiten-Trenchprozess
gefahren werden. Außerdem kann es sich als günstig erweisen, bereits nach dem ersten
Trenchschritt einen Teil des Opferschichtmaterials zu entfernen. Die beiden Membranen
werden dann nach dem zweiten Trenchschritt in einem zweiten Ätzschritt vollständig
freigestellt.
[0028] Gemäß einer vorteilhaften Variante der Erfindung wird vor den einzelnen Opferschichtabscheidungen
eine weitere Opferschicht abgeschieden und strukturiert, um definierte Anschläge für
die auslenkbaren Elektroden der Mikrofonstruktur zu realisieren. Ein derartiges Bauelement
30 ist in
Fig. 3 dargestellt. Das Bauelement 30 unterscheidet sich von dem in Fig. 1 dargestellten
Bauelement 10 lediglich durch Anschläge 122 und 133, die an der Unterseite der zweiten
Membran 12 und des Gegenelements 13 ausgebildet sind. Im Falle von Überlastsituationen
bilden die Anschläge 122 und 133 die Berührungsflächen zwischen den Elektroden der
Mikrofonstruktur. Je kleiner diese Berührungsflächen sind, um so geringer ist die
Haftkraft zwischen den Elektroden und dementsprechend auch die Kraft, die erforderlich
ist, um die Membranen 11 und 12 wieder in ihre Ausgangslage zu bringen.
Von besonderem Vorteil ist es, wenn die Anschläge 122 und 133 zudem aus einem dielektrischen
Material bestehen oder zumindest mit einem solchen beschichtet sind, so dass sie einen
Kurzschluss der ersten und/oder zweiten Kapazität in Überlastsituationen verhindern.
Dadurch wird die Elektronik geschützt und ein Festbrennen der Elektroden vermieden.
Zur Realisierung derartiger Anschläge kann vor oder auch nach der Opferschichtabscheidung
eine dielektrische Schicht abgeschieden werden, die vorteilhafterweise eine deutlich
geringer Ätzrate als die Opferschicht hat, wie beispielsweise SiN oder siliziumreiches
Nitrid. Zudem ist die Haftkraft zwischen SiN und Si so gering, dass sich die Membranen
nach Überlastsituationen besonders einfach wieder in ihre Ausgangslage bringen lassen.
Bei dem in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Anschläge 122 am äußeren
Rand des akustisch aktiven Bereichs der zweiten Membran 12 ausgebildet. Die Anschläge
133 erstrecken sich in Verlängerung dazu vom Gegenelement 13 in Richtung erste Membran
11, und zwar entlang des inneren Randes des akustisch aktiven Bereichs der ersten
Membran 11. Auf diese Weise tragen die Anschläge 122 und 133 auch noch zur Verringerung
des akustischen Kurzschlusses zwischen den versetzt akustisch aktiven und transparenten
Membranen 11 und 12 bei.
[0029] Fig. 4 zeigt ein Bauelement 50 mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur, die erfindungsgemäß
zwei übereinander angeordneten Membranen 51 und 52 umfasst, zwischen denen ein feststehendes
Gegenelement 53 angeordnet ist. Die beiden Membranen 51 und 52 sind jeweils über eine
Federaufhängung 31 bzw. 71 im Schichtaufbau des Bauelements 50 aufgehängt, um deren
Auslenkung zu begünstigen. Wie auch im Falle des in Fig. 1 dargestellten Bauelements
10 ist die Membran 51 über Isolationsschichten 2 und 4 einerseits gegen das Substrat
1 und andererseits gegen das Gegenelement 53 elektrisch isoliert. Eine weitere Isolationsschicht
6 des Schichtaufbaus dient der elektrischen Isolation zwischen dem Gegenelement 53
und der Membran 52. Die beiden Membranen 51 und 52 sowie das Gegenelement 53 bestehen
zumindest bereichsweise aus einem elektrisch leitfähigen Material, wie z.B. einem
entsprechend dotierten Polysilizium. Auf diese Weise bildet die Membran 51 zusammen
mit dem Gegenelement 53 eine erste Kapazität, während die Membran 52 zusammen mit
dem Gegenelement 53 eine zweite Kapazität bildet.
[0030] Das Gegenelement 53 ist hier deutlich dicker als die beiden Membranen 51 und 52 und
weist erste Durchgangsöffnungen 531 auf, so dass es im Wesentlichen starr und akustisch
transparent ist. Um zu erreichen, dass das Gegenelement deutlich weniger auf Schallwellen
reagiert als die Membranen, kann das Gegenelement aber auch in einer dünneren Polysiliziumschicht
realisiert werden, die steifer als die beiden Membranen im Schichtaufbau aufgehängt
ist. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, das Gegenelement in Form eines Schichtstapels
aus Polysilizium und Oxid bzw. Nitrid zu realisieren, der unter Zugstress steht. Außerdem
sind im Gegenelement 53 zweite Durchgangsöffnungen 532 für Verbindungsstege 55 ausgebildet,
über die die beiden Membranen 51 und 52 mechanisch gekoppelt sind. Bei der hier beschriebenen
Variante ist die erste Membran 51 weitgehend geschlossen und damit akustisch aktiv,
während die gesamte Mikrofonfläche der zweiten Membran 52 mit Durchgangsöffnungen
521 versehen ist, so dass die zweite Membran 52 akustisch allenfalls gering aktiv
ist. Die mechanische Kopplung zwischen den beiden Membranen 51 und 52 bewirkt jedoch,
dass beide Membranen 51 und 52 gleichsinnig ausgelenkt werden, wenn die erste Membran
51 über die Schallöffnung 54 in der Bauteilrückseite mit Schalldruck beaufschlagt
wird. Dementsprechend ändern sich die erste und zweite Kapazität, wie im Falle des
Bauteils 10, gegensinnig. Die Auswertung erfolgt auch hier durch Differenzbildung
zwischen der ersten und zweiten Kapazität.
1. Bauelement (10) mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur, mindestens umfassend
- eine durch den Schalldruck auslenkbare erste Membran (11), die als auslenkbare Elektrode
fungiert,
- ein feststehendes akustisch durchlässiges Gegenelement (13), das als Gegenelektrode
fungiert, und
- eine weitere Kapazität zur Auswertung der Kapazitätsänderungen zwischen der ersten
auslenkbaren Elektrode (11) und der Gegenelektrode (13);
dadurch gekennzeichnet, dass das feststehende Gegenelement (13) zwischen der auslenkbaren ersten Membran (11)
und einer zweiten Membran (12) angeordnet ist, dass das feststehende Gegenelement
(13) auch als Elektrode der weiteren Kapazität fungiert und dass die zweite Membran
(12) die zweite Elektrode der weiteren Kapazität bildet.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das feststehende Gegenelement und die zweite Membran mechanisch gekoppelt aber gegeneinander
elektrisch isoliert sind, so dass sie eine konstante Referenzkapazität bilden.
3. Bauelement (10; 30; 40) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich auch die weitere Kapazität unter Einwirkung des Schalldrucks verändert.
4. Bauelement (50) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass im wesentlichen nur eine der beiden Membranen (51) akustisch aktiv ist und dass die
beiden Membranen (51, 52) mechanisch gekoppelt aber gegeneinander elektrisch isoliert
sind.
5. Bauelement (10) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass beide Membranen (11, 12) in zueinander versetzten Teilbereichen akustisch aktiv und
akustisch durchlässig ausgebildet sind, so dass beide Membranen (11, 12) bei Schalleinwirkung
im Wesentlichen unabhängig voneinander ausgelenkt werden.
6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest die dem Gegenelement zugewandten Membranoberflächen und/oder die Oberflächen
des Gegenelements mit einer dielektrischen Beschichtung versehen sind.
7. Bauelement (30) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrofonstruktur einen Überlastschutz in Form von Anschlägen (122, 132) umfasst,
die in der dem Gegenelement (13) zugewandten Oberfläche einer auslenkbaren Membran
(12) und/oder in der einer auslenkbaren Membran (11) zugewandten Oberfläche des Gegenelements
(13) ausgebildet sind.
8. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur,
insbesondere zur Herstellung eines Bauelements (10) nach einem der Ansprüche 1 bis
7, bei dem die Membranstruktur im Schichtaufbau über einem Substrat (1) realisiert
wird, indem
- auf die Substratoberfläche eine erste elektrisch isolierende Opferschicht (2) aufgebracht
und strukturiert wird,
- über der ersten Opferschicht (2) eine erste zumindest bereichsweise elektrisch leitfähige
Membranschicht (3) erzeugt und strukturiert wird,
- über der ersten Membranschicht (3) eine zweite elektrisch isolierende Opferschicht
(4) aufgebracht und strukturiert wird,
- über der zweiten Opferschicht (4) eine zumindest bereichsweise elektrisch leitfähige
Schicht (5) zur Realisierung eines feststehenden Gegenelements (13) erzeugt wird,
- über der Schicht (5) eine dritte elektrisch isolierende Opferschicht (6) aufgebracht
und strukturiert wird,
- über der dritten Opferschicht (6) eine zweite zumindest bereichsweise elektrisch
leitfähige Membranschicht (7) erzeugt und strukturiert wird,
- in einem Vorder- und/oder Rückseiten-Trenchprozess die Schicht (5) strukturiert
wird und Ätzzugänge zu der ersten, der zweiten und der dritten Opferschicht (2, 4,
6) erzeugt werden und
- die erste, die zweite und die dritte Opferschicht (2, 4, 6) bereichsweise entfernt
werden, um eine erste Membran (11) in der ersten Membranschicht (3), ein Gegenelement
(13) in der Schicht (5) und eine zweite Membran (12) in der zweiten Membranschicht
(7) freizulegen.