(19)
(11) EP 2 220 267 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
25.08.2010  Patentblatt  2010/34

(21) Anmeldenummer: 08855886.1

(22) Anmeldetag:  04.12.2008
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
C23C 16/18(2006.01)
C23C 16/40(2006.01)
 C23C 16/455(2006.01)
H01L 21/768(2006.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2008/002037
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2009/071076 (11.06.2009 Gazette  2009/24)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL NO PL PT RO SE SI SK TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL BA MK RS

(30) Priorität: 05.12.2007 DE 102007058571

(71) Anmelder:
  • Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
    80686 München (DE)
  • Technische Universität Chemnitz
    09170 Chemnitz (DE)

(72) Erfinder:
  • WÄCHTLER, Thomas
    09573 Dittmansdorf (DE)
  • GESSNER, Thomas
    09113 Chemnitz (DE)
  • SCHULZ, Stefan
    09120 Chemnitz (DE)
  • LANG, Heinrich
    09125 Chemnitz-Harthau (DE)
  • JAKOB, Alexander
    08132 Mülsen (DE)

(74) Vertreter: Epping - Hermann - Fischer 
Patentanwaltsgesellschaft mbH Ridlerstrasse 55
80339 München
80339 München (DE)

   


(54) SUBSTRAT MIT EINER KUPFER ENTHALTENDEN BESCHICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG MITTELS ATOMIC LAYER DEPOSITION