(19)
(11) EP 2 262 933 A1

(12)

(43) Date de publication:
22.12.2010  Bulletin  2010/51

(21) Numéro de dépôt: 09735663.8

(22) Date de dépôt:  27.03.2009
(51) Int. Cl.: 
C30B 11/00(2006.01)
H01L 31/0288(2006.01)
H01L 31/18(2006.01)
C30B 15/04(2006.01)
C30B 29/06(2006.01)
H01L 31/068(2006.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR2009/000346
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2009/130409 (29.10.2009 Gazette  2009/44)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK TR
Etats d'extension désignés:
AL BA RS

(30) Priorité: 11.04.2008 FR 0801998

(71) Demandeur: Apollon Solar
75005 Paris (FR)

(72) Inventeurs:
  • KRAIEM, Jed
    F-38300 Bourgoin Jaillieu (FR)
  • EINHAUS, Roland
    F-38300 Bourgoin Jallieu (FR)
  • LAUVRAY, Hubert
    F-92250 La Garenne Colombes (FR)

(74) Mandataire: Talbot, Alexandre et al
Cabinet Hecké Europole 10, rue d'Arménie - BP 1537
FR-38025 Grenoble Cedex 1
FR-38025 Grenoble Cedex 1 (FR)

   


(54) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SILICIUM CRISTALLIN DE QUALITÉ PHOTOVOLTAÏQUE PAR AJOUT D'IMPURETÉS DOPANTES ET CELLULE PHOTO VOLTAÏQUE