[0001] L'invention concerne un dispositif radiofréquence magnétique à réponse variable intégré
sur un substrat.
[0002] Par radiofréquence, on désigne ici des fréquences usuelles comprises entre 1 MHz
et 5 GHz.
[0003] Ces dispositifs sont réalisés en utilisant les mêmes procédés de fabrication collectifs
que ceux utilisés pour réaliser les puces microélectroniques. Par exemple, ces dispositifs
sont réalisés à partir de plaquettes en silicium monocristallin ou en verre sur lesquelles
on dépose des matériaux métalliques et diélectriques que l'on structure par lithographie
et gravure.
[0004] Les dispositifs dont il s'agit ici sont des dispositifs variables continûment dits
« analogiques » par opposition aux dispositifs variables par commutation discrète
d'éléments, dits « digitaux ». La variation continue est assurée par la variation
continue de la perméabilité magnétique d'un élément magnétique.
[0005] Les dispositifs radiofréquences magnétiques à réponse variable ont de nombreuses
applications. Ils permettent de modifier une caractéristique d'un signal électrique
qui traverse le dispositif en fonction de la perméabilité de l'élément magnétique.
Ils peuvent donc être appelés « Dispositif de modification d'une caractéristique d'un
signal électrique ». Par exemple, ils peuvent être utilisés en tant qu'inductance
variable, déphaseur (« Phase shifter » en anglais), transformateur d'impédance («
Impedance tuner » en anglais), ligne à retard de phase (« delay line » en anglais).
[0006] De tels dispositifs connus comportent :
- une poutre mobile par rapport au substrat présentant à chaque extrémité une partie
transversale ancrée mécaniquement au substrat et au moins une branche centrale reliant
les parties transversales entre elles, au moins l'une des parties transversales étant
réalisée dans un matériau piézoélectrique,
- des électrodes d'actionnement associées au matériau piézoélectrique pour appliquer
une contrainte sur la branche centrale,
- un élément magnétique directement déposé sur la branche centrale dont la perméabilité
varie en fonction de la contrainte, et
- un ruban conducteur placé d'un seul côté de la poutre et couplé électromagnétiquement
avec l'élément magnétique.
[0007] Le signal électrique, dont la caractéristique est modifiée, est véhiculé par le ruban
conducteur.
[0008] La demande de brevet
FR 2 905 793 divulgue un tel dispositif. En particulier, la demande
FR 2 905 793 décrit une inductance variable ayant une forte valeur d'inductance (c'est-à-dire
supérieure à 1 nH) et une faible résistivité (c'est-à-dire inférieure à 1 Ohm).
[0009] L'utilisation d'une branche centrale permet d'appliquer sur l'élément magnétique
une contrainte le long de l'axe longitudinal de cette branche sans quasiment appliquer
de contrainte transversale à cet axe. Cela améliore très sensiblement le fonctionnement
du dispositif.
[0010] Dans la demande
FR 2 905 793, le ruban conducteur est mécaniquement indépendant de l'élément magnétique. Pour
cela, le ruban conducteur est espacé de l'élément magnétique par une cavité vide ou
remplie d'un matériau mou. Plus précisément, le ruban conducteur est soit bobiné autour
de l'élément magnétique soit uniquement disposé sous l'élément magnétique et la branche
centrale.
[0011] La fabrication du ruban conducteur bobiné autour de l'élément magnétique est compliquée.
[0012] Lorsque le ruban conducteur est uniquement placé sous la branche centrale, les variations
d'inductance sont limitées.
[0013] Enfin ces dispositifs sont dépourvus de moyens d'adaptation de l'impédance.
[0014] De l'état de la technique est également connu de :
- FR2 905 793 A1,
- JP 2000 296612 A,
- JP 11 040427 A,
- JP 8 288143 A,
- ARAI K I et AI : « A new hybride device using magnetostrictive amorphous films and
piezoelectric substrates », IEEE Transactions on magnetics, IEEE Service Center, New
York, NY, US LNKD-DOI : 10.1109/20.312444, Vol. 30, n°2, part 02, 1 mars 1994 (1994-03-01),
pages 916-918, XP000461510, ISSN : 0018-9464
[0015] L'invention vise donc à résoudre au moins l'un de ces problèmes.
[0016] Elle a donc pour objet un dispositif conforme à la revendication 1.
[0017] Dans le dispositif ci-dessus, le fait de rendre la partie centrale du ruban conducteur
solidaire de l'élément magnétique peut augmenter sa raideur et tendre à limiter les
variations de sa perméabilité. Toutefois, ceci est largement compensé par l'amélioration
du couplage électromagnétique entre le ruban et l'élément magnétique. Cette amélioration
est causée par la proximité de la partie centrale du ruban avec l'élément magnétique.
En effet, la branche centrale n'est plus interposée entre l'élément magnétique et
le ruban conducteur.
[0018] Par ailleurs, le fait de déposer la partie centrale du ruban conducteur sur l'élément
magnétique simplifie la fabrication du dispositif. Il n'est plus nécessaire de procéder
au dépôt puis à l'élimination d'une couche sacrificielle pour rendre le ruban conducteur
mécaniquement indépendant de l'élément magnétique.
[0019] Ainsi, le dispositif ci-dessus permet d'accroître l'amplitude des variations d'inductance
tout en étant réalisable simplement.
[0020] Les modes de réalisation de ce dispositif peuvent comprendre une ou plusieurs des
caractéristiques suivantes :
- l'élément magnétique est un matériau magnétique uniaxial dont l'axe de plus facile
aimantation est parallèle à la direction dans laquelle s'étend principalement la partie
centrale du ruban conducteur;
- la branche centrale s'étend le long d'un axe longitudinal et la partie centrale du
ruban conducteur s'étend perpendiculairement à cet axe longitudinal ;
- la branche centrale s'étend le long d'un axe longitudinal et la partie centrale du
ruban conducteur s'étend parallèlement à cet axe longitudinal ;
- le dispositif comprend également des éléments de masse s'étendant parallèlement au
ruban conducteur pour permettre la propagation d'un signal radiofréquence entre le
ruban conducteur et les éléments de masse ;
- le ruban conducteur comprend également deux extrémités de part et d'autre de sa partie
centrale fixées sans aucun degré de liberté au substrat et les éléments de masse comprennent
deux rubans de masse coplanaires à ces extrémités et isolés électriquement de ces
extrémités par des fentes dont les dimensions sont choisies pour adapter l'impédance
de ces extrémités sur une valeur prédéterminée ;
- le ruban conducteur comprend également deux extrémités de part et d'autre de sa partie
centrale fixées sans aucun degré de liberté au substrat et espacées des éléments de
masse par une distance prédéterminée pour adapter l'impédance de ces extrémités sur
une valeur prédéterminée et les éléments de masse comprennent aussi un plan de masse
disposé sous la branche centrale et espacé de la partie centrale du ruban conducteur
par une hauteur h choisie pour maintenir l'impédance entre la partie centrale et le
plan de masse égale à la valeur prédéterminée à ±50 % près ;
- la partie centrale du ruban conducteur est directement déposée sur la face supérieure
de l'élément magnétique ;
- le dispositif comprend une couche électriquement isolante directement déposée sur
la face supérieure de l'élément magnétique et la partie centrale du ruban conducteur
est directement déposée sur cette couche isolante ;
- la couche électriquement isolante a une épaisseur inférieure à 1 µm ;
- la partie centrale du ruban conducteur est conformée en méandre formé de plusieurs
brins parallèles à l'axe de plus facile aimantation de l'élément magnétique et juxtaposés
les uns à côté des autres de manière à ce que l'inductance mutuelle entre chaque paire
de brins immédiatement l'un à côté de l'autre soit négative.
[0021] Ces modes de réalisation présentent en outre les avantages suivants :
- aligner la direction de plus facile aimantation de l'élément magnétique sur la direction
dans laquelle s'étend principalement la partie centrale du ruban accroît la plage
dans laquelle les variations d'inductance sont linéaires ;
- le fait de placer la branche centrale et la partie centrale du ruban conducteur perpendiculairement
l'une à l'autre permet d'empêcher que le ruban conducteur ne gène l'implantation des
électrodes d'actionnement,
- le fait de placer la partie centrale du ruban conducteur parallèlement à la branche
centrale limite les contraintes mécaniques appliquées par le ruban conducteur sur
l'élément magnétique ;
- la présence d'éléments de masse s'étendant parallèlement au ruban conducteur permet
la propagation d'un signal radiofréquence à travers le dispositif et le réglage de
l'impédance,
- placer la partie centrale du ruban conducteur directement sur la face supérieure de
l'élément magnétique permet d'augmenter l'amplitude de la variation du signal en réponse
à une variation de la contrainte,
- la présence d'une couche d'isolant électrique entre la partie centrale du ruban conducteur
et l'élément magnétique lui-même conducteur permet d'utiliser un ruban conducteur
de faible résistance réalisé dans un matériau dont la conductivité est insuffisante
pour pouvoir être directement déposé sur l'élément magnétique sans augmenter l'effet
de peau dans ce dernier (réduit la perméabilité à haute fréquence) ;
- la conformation en méandre de la partie centrale du ruban conducteur maximise la plage
de variation de l'inductance du dispositif.
[0022] L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre donnée
uniquement à titre d'exemple non limitatif et faite en se référant aux dessins sur
lesquels :
- la figure 1 est une illustration schématique et en perspective d'un dispositif radiofréquence
magnétique à réponse variable,
- la figure 2 est une illustration schématique et en coupe transversale du dispositif
de la figure 1,
- la figure 3 est une illustration schématique et en vue de dessus d'une poutre du dispositif
de la figure 1,
- la figure 4 est une illustration schématique et en perspective d'un autre mode de
réalisation d'un dispositif radiofréquence magnétique à réponse variable,
- la figure 5 est une illustration schématique et en coupe verticale d'un autre mode
de réalisation du dispositif de la figure 4,
- la figure 6 est un organigramme d'un procédé de fabrication du dispositif de la figure
5,
- les figures 7 à 13 sont des illustrations schématiques et en coupe verticale de différentes
étapes du procédé de la figure 6, et
- les figures 14 et 15 sont des illustrations schématiques et en vue de dessus de modes
particuliers de réalisation d'un ruban conducteur d'un dispositif radiofréquence magnétique
à réponse variable.
[0023] Dans ces figures, les mêmes références sont utilisées pour désigner les mêmes éléments.
[0024] Dans la suite de cette description, les caractéristiques et fonctions bien connues
de l'homme du métier ne sont pas décrites en détail.
[0025] Les figures 1 à 3 représentent un dispositif radiofréquence magnétique 2 à réponse
variable intégré sur un substrat 12. Sur la figure 1, le dispositif 2 s'étend essentiellement
dans un plan horizontal repéré par des directions orthogonales X et Y. La verticale
est repérée par une direction Z.
[0026] Le dispositif 2 comprend une poutre 7 en matériau piézoélectrique destinée à générer
des contraintes mécaniques dans un élément magnétique 8 (figure 2).
[0027] La poutre 7 a la forme d'une éprouvette de traction et comporte, selon un axe longitudinal
de référence A1 (figure 3), parallèle à la direction Y, deux parties transversales
9 de largeur W1 et une branche centrale 10 de largeur W2. De préférence, la largeur
W2 est inférieure à la largeur W1. Avantageusement, la largeur W2 est au moins deux
fois inférieure à la largeur W1.
[0028] La poutre 7 est ancrée dans le substrat 12 sur lequel est formé le dispositif 2.
Plus précisément, la poutre 7 est ancrée au substrat 12 au niveau de zones d'ancrage
mécanique 16 situées aux extrémités des parties transversales 9. La poutre 7 est ainsi
libre de mouvement vis-à-vis du substrat 12 hors de ces zones d'ancrage 16 pour permettre
une amplitude maximale de déformation de la branche centrale 10.
[0029] Les zones d'ancrage 16, de longueur L1 et de largeur W1 (Figure 3), définissent l'extrémité
des zones transversales 9 opposées à la branche centrale 10. Ces zones d'ancrage assurent
une liaison mécanique forte sans aucun degré de liberté avec le substrat 12.
[0030] La branche 10 présente une longueur L4 dans la direction Y. Cette branche centrale
10 correspond à la zone de la poutre 7 directement en contact avec une face inférieure
de l'élément magnétique 8.
[0031] Le profil de la poutre 7 est choisi et optimisé pour générer des contraintes uniaxiales
et homogènes dans l'élément magnétique 8. Par « contraintes uniaxiales » on désigne
le fait que les contraintes s'exercent essentiellement et quasiment uniquement dans
la direction Y alors qu'aucune contrainte ou presque aucune contrainte ne s'exerce
dans la branche centrale le long de la direction X. Par exemple, les contraintes qui
s'exercent dans la direction Y sont dix ou cent fois supérieures aux contraintes qui
s'exercent dans la direction X.
[0032] A cet effet, les parties transversales 9 comportent également une zone 17 de longueur
L2 et de largeur W1 qui assure l'essentiel de la génération des contraintes dans la
branche centrale 10.
[0033] Chaque partie transversale 9 est prolongée par une zone de transition 18 facultative
de longueur L3 et de largeur variable. La zone de transition 18 s'étend de la zone
17 jusqu'à la branche 10. Par exemple, la zone de transition 18 présente un profil
elliptique avantageusement tangent à la zone 17 et à la branche 10.
[0034] Les zones de transition 18, avec un profil elliptique, permettent notamment de concentrer
et répartir les contraintes de manière homogène tout en assurant une compacité maximale
au dispositif 2.
[0035] Une telle poutre 7 encastrée uniquement à ses extrémités (zone d'ancrage 16) permet
notamment d'appliquer de plus fortes contraintes et de mieux maîtriser ces contraintes.
[0036] Le dispositif 2 comporte des électrodes d'actionnement inférieures 11a et supérieures
11b (figure 2) placées de part et d'autre de la poutre 7. Ces électrodes 11a et 11b
coopèrent avec la poutre 7 pour générer la tension d'actionnement nécessaire à l'application
des contraintes mécaniques dans l'élément magnétique 8. Suivant la tension appliquée
entre les électrodes 11a et 11b, à savoir positive ou négative, des contraintes de
compression ou de traction sont générées dans l'élément magnétique 8. Ici, les électrodes
11a sont reliées à la masse.
[0037] Les électrodes 11a et 11b s'étendent sur la majeure partie de la surface des parties
transversales 9, respectivement, au-dessous et au-dessus de celles-ci. Toutefois,
de préférence, les électrodes 11a et 11b ne s'étendent pas au niveau des zones de
transition 18.
[0038] L'élément magnétique 8 est directement déposé sur la branche 10 de la poutre 7. Il
est donc fixé sans aucun degré de liberté à cette branche 10 et en contact direct
avec celle-ci. En particulier, aucun ruban conducteur ou électrode conductrice n'est
interposée entre l'élément magnétique 8 et la branche 10.
[0039] L'élément magnétique 8 est réalisé dans un matériau magnétique ayant une perméabilité
qui varie en fonction des contraintes qui lui sont appliquées. De préférence, le matériau
magnétique utilisé est uniaxial. Par exemple, il est composé d'un alliage à base de
fer et/ou de cobalt et/ou de nickel. L'élément magnétique 8 peut être déposé sous
champ magnétique pour favoriser l'anisotropie du matériau. Ici, l'élément magnétique
présente une direction de plus facile aimantation sensiblement parallèle ou perpendiculaire
à l'axe longitudinal A1. Plus précisément, dans ce mode de réalisation, la direction
de plus facile aimantation est perpendiculaire à l'axe A1.
[0040] A titre d'illustration, l'élément magnétique 8 est un parallélépipède dont les plus
grandes faces sont horizontales. La largeur de l'élément magnétique dans la direction
X est par exemple comprise entre 100 et 500 µm. La longueur de l'élément magnétique
dans la direction Y est par exemple également comprise entre 100 et 500 µm.
[0041] Le dispositif 2 comprend également un ruban conducteur 20 (Figure 1) qui s'étend
principalement parallèlement à la direction de plus facile aimantation de l'élément
magnétique 8. Dans cet exemple, le ruban conducteur 20 s'étend donc perpendiculairement
à l'axe A1 dans un plan situé au-dessus de l'élément magnétique 8. Ce ruban 20 véhicule
le signal électrique qui traverse le dispositif 2.
[0042] Ce ruban 20 comprend :
- une partie centrale 22 mécaniquement fixée sans aucun degré de liberté sur l'élément
magnétique 8, et
- deux extrémités 24, 25 situées de part et d'autre de la partie centrale 22 et fixées
sans aucun degré de liberté au substrat 12.
[0043] Les extrémités 24 et 25 sont mécaniquement et électriquement raccordées à la partie
centrale 22 par l'intermédiaire de ponts 26, 27 suspendus au-dessus d'une cavité 30.
La cavité 30 est la même que celle qui isole mécaniquement la branche 10 du substrat
12.
[0044] La partie centrale 22 est déposée sur l'élément magnétique 8. Plus précisément, ici,
la partie centrale 22 est directement déposée sur une couche 32 d'isolant électrique
elle-même directement déposée sur une face supérieure de l'élément magnétique 8. Cette
couche 32 est facultative, surtout pour les basses fréquences (c'est-à-dire pour les
fréquences inférieures à 100MHz typiquement). L'épaisseur de cette couche 32 dans
la direction Z est inférieure à 1 µm et, de préférence, inférieure à 0,1 µm de manière
à minimiser la distance qui sépare la partie centrale 22 de l'élément magnétique 8.
[0045] Les extrémités 24 et 25 sont soit directement déposées sur le substrat 12, soit directement
déposées, comme représenté ici, sur une couche 34 en matériau électriquement isolant
elle-même directement déposée sur le substrat 12. Cette couche 34 est prévue afin
de ramener dans le même plan les extrémités 24, 25, la partie centrale 22 et des éléments
de masse qui sont décrits ultérieurement.
[0046] La partie centrale 22 et les extrémités 24 et 25 présentent une largeur L (figure
1) constante dans la direction Y. Les ponts 26 et 27 présentent quant à eux une largeur
L' strictement inférieure à la largeur L de manière à ne pas lier trop rigidement
la partie centrale 22 aux extrémités 24 et 25 du ruban conducteur.
[0047] Par exemple, la largeur L est comprise entre 10 et 100 µm. La longueur totale du
ruban conducteur 20 entre ces deux extrémités est par exemple comprise entre 750 et
1150 µm.
[0048] Le ruban 20 est réalisé dans un matériau conducteur de faible raideur pour ne pas
trop limiter les déformations de l'élément magnétique 8. Par exemple, le matériau
choisi présente un module de Young inférieur à 100 GPa. De plus, pour limiter sa raideur,
l'épaisseur du ruban conducteur est choisie inférieure à 1 µm et de préférence inférieure
à 0,5 µm. Le matériau du ruban conducteur est typiquement un métal tel que de l'or,
de l'argent ou de l'aluminium.
[0049] Le dispositif 2 comprend également des éléments de masse qui s'étendent parallèlement
au ruban 20 de manière à permettre la propagation d'ondes radiofréquences au travers
de ce dispositif avec une impédance adaptée. A cet effet, le dispositif 2 comprend
deux rubans de masse 36 et 38 qui s'étendent le long du ruban 20 dans le même plan
que ce ruban. Ces rubans 36 et 38 sont fixés sans aucun degré de liberté au substrat
12. A cet effet, ici, les rubans 36 et 38 sont directement déposés sur la couche isolante
34. Ces rubans 36 et 38 sont conformés de manière à adapter l'impédance des parties
fixes du ruban 20, c'est-à-dire des extrémités 24 et 25. A cet effet, les rubans 36
et 38 sont électriquement isolés des extrémités 24 et 25 par des fentes 40, 41 d'épaisseur
e constante. L'épaisseur
e et la largeur L des extrémités 24, 25 sont choisies pour adapter l'impédance des
parties fixes du ruban 20 sur une valeur prédéterminée telle que 50 Ohms. A cet effet,
l'épaisseur e est par exemple comprise entre 10 et 100 µm.
[0050] Les éléments de masse comprennent également un plan de masse inférieur 44 qui a pour
fonction d'adapter l'impédance de la partie centrale 22 du ruban 7. Ce plan de masse
est situé en dessous de la partie centrale 22 et plus précisément en dessous de la
branche 10. Le plan de masse 44 est ici déposé sur le fond de la cavité 30. Le plan
de masse 40 est espacé d'une face inférieure de la partie centrale 22 par une hauteur
h constante (figure 2). Cette hauteur h est choisie pour adapter l'impédance de la
partie centrale 22 sur la même valeur que celle choisie pour les extrémités 24 et
25. Cette valeur est donc ici égale à 50 Ohms. Toutefois, étant donné que la perméabilité
de l'élément magnétique 8 est destinée à varier, l'adaptation de l'impédance de la
partie centrale 22 consiste à maintenir l'impédance de cette partie centrale 22 autour
de 50 Ohms. Par exemple, l'adaptation est réalisée de telle façon que l'impédance
de la partie centrale 22, lors du fonctionnement du dispositif 2, soit systématiquement
égale à 50 Ohms à ±50 % près. Dans l'exemple décrit ici, la hauteur h est choisie
de manière à ce que l'impédance de la partie centrale soit comprise entre 30 et 70
Ohms quelle que soit la variation de perméabilité de l'élément magnétique 8. Par exemple,
la hauteur h est comprise entre 5 et 50 µm.
[0051] Ici, le plan de masse 44 s'étend sous les zones 17 des parties transversales 9 de
manière à former également les électrodes d'actionnement 11a.
[0052] Lors du fonctionnement du dispositif 2, une différence de tension est appliquée sur
les électrodes d'actionnement 11a et 11b ce qui met sous contrainte l'élément magnétique
8. L'élément magnétique 8 se déforme élastiquement ce qui fait varier sa perméabilité.
Cette variation de la perméabilité modifie au moins une caractéristique du signal
électrique qui traverse le dispositif 2 le long du ruban 20. En particulier, la variation
de la perméabilité de l'élément magnétique 8 affecte les équations de propagation
du signal électrique.
[0053] Ce mode de réalisation du dispositif radiofréquence présente plusieurs avantages
:
- le ruban 20 ne gène pas l'implémentation des électrodes d'actionnement 11b,
- la combinaison dans un seul bloc de matière du plan de masse 44 et des électrodes
d'actionnement 11a permet de raccorder cet ensemble d'élément à la masse à l'aide
d'un seul plot de connexion,
- la faible distance qui sépare la partie centrale 22 de l'élément magnétique 8 accroît
le couplage électromagnétique entre ces deux éléments et donc la variation du signal
en réponse à une variation de contrainte exercée sur l'élément magnétique 8.
[0054] Il a été mesuré, par exemple, que la variation d'inductance est améliorée de 50 à
100 % par rapport au dispositif décrit en regard de la figure 5 dans la demande de
brevet
FR 2 905 793.
[0055] La figure 4 représente un dispositif 50 similaire au dispositif 2 à l'exception du
fait que le ruban 20 est remplacé par un ruban conducteur 52 qui s'étend parallèlement
à l'axe longitudinal de la poutre 7. Par conséquent, ce ruban 52 s'étend sur les parties
transversales 9 de la poutre 7. Par exemple, le ruban 52 comporte deux extrémités
58 directement déposé sur les parties transversales 9 et une partie centrale 60 directement
déposée sur la branche 10 et l'élément magnétique 8. Dans cet exemple, la couche isolante
32 est omise. En effet, cette couche isolante 32 peut être omise si la résistivité
du ruban 52 est très inférieure à celle de l'élément magnétique 8. Par exemple, la
résistivité du ruban 52 est inférieure à 1000 µΩ/cm.
[0056] L'élément magnétique 8 est tourné pour que sa direction de plus facile aimantation
reste parallèle à la direction dans laquelle s'étend le ruban 52.
[0057] Les électrodes d'actionnement 11b sont également remplacées par des électrodes d'actionnement
54 et 55 disposées de chaque côté des extrémités 58 du ruban conducteur 52. Ces électrodes
54 et 55 sont disposées en vis-à-vis des électrodes d'actionnement inférieures 11a.
[0058] Le plan de masse inférieur 44 et les rubans de masse 36, 38 sont remplacés par deux
rubans de masse 62, 64 qui s'étendent parallèlement à la direction Y.
[0059] Les extrémités distales de ces rubans 62 et 64 sont disposées sous la poutre 7 sensiblement
à la verticale des électrodes d'actionnement 54 et 55. Ainsi ces extrémités forment
les électrodes d'actionnement 11a. Ensuite, les rubans de masse 62 et 64 se prolongent
sur le fond de la cavité 30.
[0060] Ces rubans 62 et 64 permettent d'adapter l'impédance du dispositif 50. A cet effet,
les extrémités distales des rubans 62 et 64 sont espacées des extrémités du ruban
52 par des fentes 66, 68 dont l'épaisseur e est choisie pour adapter l'impédance du
dispositif 50 sur une valeur prédéterminée telle que 50 Ohms.
[0061] La hauteur entre le fond de la cavité 30 et le ruban 52 est choisie pour être inférieure
à 1 µm. Dans ces conditions, en première approximation, les rubans 62 et 64 peuvent
être considérés comme étant coplanaires au ruban 52 sur toute leur longueur. Ainsi,
l'impédance du dispositif 50 est uniquement réglée en jouant sur l'épaisseur e des
fentes 66, 68 et la largeur L du ruban 52.
[0062] La figure 5 représente un dispositif 70 identique au dispositif 50 à l'exception
que les rubans de masse 62 et 64 sont électriquement raccordés l'un à l'autre par
un plan de masse 72 situé en dessous de la branche 10 de la poutre 7. Dans ce cas,
l'impédance de la partie centrale 60 du ruban 52 est réglée en jouant sur la hauteur
h qui sépare cette partie centrale du plan de masse 72. Cette hauteur h est typiquement
comprise entre 5 et 50µm. Le fait que la hauteur h varie légèrement lorsque le ruban
52 passe au-dessus de l'élément magnétique 8 peut être négligé car l'épaisseur de
l'élément magnétique 8 est faible. Par exemple, l'épaisseur de l'élément magnétique
est comprise entre 0,2 et 0,5 µm.
[0063] La figure 6 représente un organigramme d'un procédé de fabrication du dispositif
70. Les figures 7 à 13 représentent plus en détail différentes étapes de ce procédé
de fabrication. Initialement, lors d'une étape 80, le substrat 12 est gravé pour créer
la cavité 30 (figure 7).
[0064] Ensuite, lors d'une étape 82, le plan de masse 72 et les extrémités des rubans 62
et 64 formant les électrodes d'actionnement inférieures 11a sont déposés (figure 8).
[0065] Lors d'une étape 84, la cavité 30 est remplie d'un matériau sacrificiel 86 (figure
9), une résine organique ou une couche minérale comme de la silice ou un métal. Ce
matériau 86 est destiné à être enlevé, par exemple, à l'aide d'un solvant ou par un
procédé fluoré dans le cas d'une couche minérale.
[0066] Ensuite, lors d'une étape 88, la poutre 7 en matériau piézoélectrique est déposée
(Figure 10). La poutre 7 s'étend aussi bien sur les électrodes d'actionnement inférieures
11a qu'au-dessus du matériau 86.
[0067] Ensuite, lors d'une étape 90, les électrodes d'actionnement supérieures 54 et 55
ainsi que l'élément magnétique 8 sont directement déposés sur la poutre 7 (figure
11). Lors de l'étape 90, les électrodes d'actionnement supérieures 54 et 55 sont structurées
de manière à laisser un emplacement pour déposer le ruban conducteur 52.
[0068] Lors d'une étape 92, le ruban conducteur 52 est déposé directement sur la poutre
7 et l'élément magnétique 8 (figure 12).
[0069] Enfin, lors d'une étape 94, le matériau 86 est éliminé de manière à créer la cavité
30 (figure 13).
[0070] La figure 14 représente un ruban conducteur 100 susceptible d'être utilisé à la place
de l'un quelconque des rubans conducteurs précédemment décrits. Ce ruban 100 est par
exemple identique au ruban conducteur 52 à l'exception du fait que dans sa partie
centrale, celui-ci est conformé en méandre. Plus précisément, dans la partie centrale
directement déposée au-dessus de l'élément magnétique 8, le ruban 100 présente plusieurs
brins 102 juxtaposés les uns à côté des autres et s'étendant parallèlement les uns
aux autres. Ces brins 102 sont juxtaposés les uns à côté des autres dans la direction
X et s'étendent tous parallèlement à la direction Y c'est-à-dire parallèlement à la
direction de plus facile aimantation de l'élément magnétique 8. Ces brins sont électriquement
raccordés les uns aux autres de manière à ce que l'inductance mutuelle entre deux
brins consécutifs soit négative. Cette conformation particulière de la partie centrale
du ruban conducteur permet d'augmenter la plage de variation de l'inductance du dispositif.
Par exemple, on estime que l'amplitude de la plage de variation de l'inductance est
au moins deux fois plus grande lorsque le ruban conducteur est conformée en méandre
que lorsque le ruban conducteur est uniquement rectiligne.
[0071] La figure 15 représente un ruban conducteur 110 identique au ruban 100 sauf que le
méandre comporte un nombre pair de brins. Ici, le méandre est uniquement formé de
deux brins 112 et 114. La longueur Lsp de chaque brin est par exemple comprise entre
300 et 500 µm. La largeur des brins 112 et 114 est comprise entre 5 et 30 µm. Enfin,
l'espacement Esp entre les deux brins est compris entre 50 et 150 µm. Dans ces conditions,
l'utilisation d'une conformation en méandre au-dessus de l'élément magnétique 8 permet
de multiplier par deux l'amplitude de la plage de variation de l'inductance. Un nombre
pair de brins permet d'avoir les deux extrémités du ruban conducteur 110 du même côté
de la poutre 7 ce qui simplifie la connectique.
[0072] De nombreux autres modes de réalisation sont possibles. Par exemple, les moyens d'adaptation
d'impédance réalisés à l'aide des différents éléments de masse peuvent être omis si
le dispositif 2 est uniquement utilisé en tant qu'inductance variable. Dans ce cas,
les rubans de masse et les plans de masse sont omis.
[0073] En variante, les largeurs L, L' et L", respectivement, des extrémités 24, 25, des
ponts 26, 27 et de la partie centrale 22 sont différentes. Par exemple, dans le cas
où le dispositif 2 est utilisé en tant qu'inductance variable, de préférence, la largeur
L est supérieure à la largeur L' et la largeur L' est très supérieure à la largeur
L". Par exemple, la largeur L' est au moins deux ou trois fois supérieure à la largeur
L" de la partie centrale 22. Par exemple, la partie centrale 22 présente une largeur
L", dans la direction Y, de 1 à 10 µm afin de maximiser sa contribution dans l'inductance
globale et les extrémités 24 et 25 présentent une largeur L typiquement autour de
100 µm pour faciliter la connectique.
[0074] L'impédance des dispositifs précédents peut être adaptée sur une autre valeur que
la valeur de 50 Ohms. Par exemple, ce qui vient d'être décrit peut être appliqué à
toute valeur d'impédance caractéristique souhaitée telle que par exemple 600 Ohms.
[0075] La plupart des variantes décrites dans la demande
FR 2 905 793 s'applique également ici. Par exemple, une seule des parties transversales 9 peut
être équipée d'électrode d'actionnement. Dans ce cas, l'autre partie transverse sert
essentiellement de point d'ancrage de la poutre 7 sur le substrat.
[0076] D'autres profils que celui représenté sont possibles pour la zone de transition 18.
Par exemple les différents profils décrits dans la demande de brevet
FR 2 905 793 sont utilisables.
[0077] Des orifices peuvent être ménagés au travers des zones 17 et 18 de la poutre 7 pour
faciliter la libération du matériau sacrificiel lors de l'étape 94.
[0078] L'élément magnétique 8 peut avoir différentes formes. Des exemples de formes sont
donnés dans la demande de brevet
FR 2 905 793. En particulier, l'élément magnétique 8 peut être formé de plusieurs blocs magnétiques
distincts. Par exemple, dans le mode de réalisation de la figure 14, l'élément magnétique
8 est remplacé par un élément magnétique formé de cinq blocs magnétiques distincts
disposés chacun, respectivement, sous les brins 102. L'espace entre ces blocs magnétiques
est alors rempli, par exemple, par un matériau non magnétique, c'est-à-dire ne présentant
pas d'aimantation mesurable en absence de champ magnétique extérieur. Chacun de ces
blocs magnétiques est oblong est s'étend parallèlement au brin en dessous duquel il
est placé. Cette conformation de l'élément magnétique facilite le contrôle de l'inductance
mutuelle entre les brins.
[0079] Dans les modes de réalisation des figures 14 et 15, le dispositif doit comporter
au moins deux brins et peut comporter trois, quatre ou plus de cinq brins pour former
le méandre.
[0080] Le dispositif peut également comporter plusieurs branches centrales parallèles les
unes aux autres comme décrit dans la demande de brevet
FR 2 905 793.
[0081] La cavité sous la branche centrale peut être remplie par un matériau suffisamment
mou pour permettre les déformations de l'élément magnétique 8.
[0082] La branche centrale ainsi que la zone de transition de la poutre 7 peuvent être réalisées
dans un autre matériau qu'un matériau piézoélectrique. Par exemple, la branche centrale
est réalisée dans un matériau plus dur que le matériau piézoélectrique utilisé pour
réaliser les parties transversales.
[0083] Le dispositif décrit ici est utilisable pour réaliser une inductance variable, un
déphaseur, un transformateur d'impédance ou une ligne à retard de phase.
1. Dispositif de modification d'une caractéristique d'un signal électrique, intégré sur
un substrat, ce dispositif comportant :
- une poutre (7) mobile par rapport au substrat présentant à chaque extrémité une
partie transversale (9) ancrée mécaniquement au substrat et au moins une branche centrale
(10) reliant les parties transversales entre elles, au moins l'une des parties transversales
étant réalisée dans un matériau piézoélectrique,
- des électrodes d'actionnement (11a, 11b) associées au matériau piézoélectrique pour
appliquer une contrainte sur la branche centrale,
- un élément magnétique (8) directement déposé sur la branche centrale, sans qu'aucun
ruban conducteur ou électrode conductrice ne soit interposée entre l'élément magnétique
et la branche centrale, dont la perméabilité varie en fonction de la contrainte, et
- un ruban conducteur (20 ; 52 ; 100) placé d'un seul côté de la poutre et couplé
électromagnétiquement avec l'élément magnétique,
caractérisé en ce que le ruban conducteur (20; 52; 100) comprend une partie centrale (22 ; 60) fixée sur
une face supérieure de l'élément magnétique (8) opposée à la face inférieure de cet
élément magnétique tournée vers la branche centrale.
2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel l'élément magnétique (8) est un matériau
magnétique uniaxial dont l'axe de plus facile aimantation est parallèle à la direction
dans laquelle s'étend principalement la partie centrale du ruban conducteur.
3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la branche centrale (10) s'étend
le long d'un axe longitudinal (A1) et la partie centrale (22) du ruban conducteur
(20) s'étend perpendiculairement à cet axe longitudinal.
4. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la branche centrale (10) s'étend
le long d'un axe longitudinal (A1) et la partie centrale (60) du ruban conducteur
(52 ; 100) s'étend parallèlement à cet axe longitudinal.
5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dispositif
comprend également des éléments de masse (36, 38 , 44 ; 62, 64 ; 72) s'étendant parallèlement
au ruban conducteur (20 ; 52) pour permettre la propagation d'un signal radiofréquence
entre le ruban conducteur et les éléments de masse.
6. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel le ruban conducteur (20) comprend
également deux extrémités (24, 25 ; 58) de part et d'autre de sa partie centrale fixées
sans aucun degré de liberté au substrat et les éléments de masse comprennent deux
rubans (36, 38 ; 62, 64) de masse s'étendant parallèlement à ces extrémités et isolés
électriquement de ces extrémités par des fentes dont les dimensions sont choisies
pour adapter l'impédance de ces extrémités sur une valeur prédéterminée.
7. Dispositif selon la revendications 5, dans lequel le ruban conducteur comprend également
deux extrémités (24, 25 ; 58) de part et d'autre de sa partie centrale fixées sans
aucun degré de liberté au substrat et espacées des éléments de masse par une distance
prédéterminée pour adapter l'impédance de ces extrémités sur une valeur prédéterminée,
et les éléments de masse comprennent aussi un plan de masse (44 ; 72) disposé sous
la branche centrale (10) et espacé de la partie centrale du ruban conducteur (20 ;
52) par une hauteur h choisie pour maintenir l'impédance entre la partie centrale
et le plan de masse égale à la valeur prédéterminée à ±50 % près.
8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la partie
centrale (60) du ruban conducteur (52) est directement déposée sur la face supérieure
de l'élément magnétique (8).
9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le dispositif
comprend une couche (32) électriquement isolante directement déposée sur la face supérieure
de l'élément magnétique (8) et la partie centrale (22) du ruban conducteur est directement
déposée sur cette couche isolante.
10. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel la couche (32) électriquement isolante
a une épaisseur inférieure à 1 µm.
11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 10, dans lequel la partie
centrale du ruban conducteur (100) est conformée en méandre formé de plusieurs brins
parallèles à l'axe de plus facile aimantation de l'élément magnétique (8) et juxtaposés
les uns à côté des autres de manière à ce que l'inductance mutuelle entre chaque paire
de brins immédiatement l'un à côté de l'autre soit négative.
1. Vorrichtung zur Veränderung eines Merkmals eines elektrischen Signals, die auf einem
Substrat integriert ist, wobei diese Vorrichtung Folgendes aufweist:
- einen Träger (7), der gegenüber dem Substrat beweglich ist, der an jedem Ende ein
Querteil (9), das mechanisch an dem Substrat verankert ist, und mindestens einen Mittelschenkel
(10) aufweist, der die Querteile miteinander verbindet, wobei mindestens eines der
Querteile aus einem piezoelektrischen Material hergestellt ist,
- Betätigungselektroden (11a, 11b), die mit dem piezoelektrischen Material verbunden
sind, um eine Spannung auf den Mittelschenkel auszuüben,
- ein magnetisches Element (8), das direkt auf dem Mittelschenkel aufgebracht ist,
ohne dass ein leitendes Band oder eine leitende Elektrode zwischen dem magnetischen
Element und dem Mittelschenkel angeordnet ist, dessen Durchlässigkeit in Abhängigkeit
von der Spannung variiert, und
- ein leitendes Band (20; 52; 100), das an einer einzigen Seite des Trägers angeordnet
ist und mit dem magnetischen Element elektromagnetisch gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, dass das leitende Band (20; 52; 100) einen Mittelteil (22; 60) aufweist, der auf einer
Oberseite des magnetischen Elements (8) befestigt ist, die der Unterseite dieses magnetischen
Elements gegenüberliegt, die dem Mittelschenkel zugewandt ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das magnetische Element (8) ein einachsiges magnetisches
Material ist, dessen Achse der leichteren Magnetisierung parallel zu der Richtung
ist, in die sich der Mittelteil des leitenden Bandes hauptsächlich erstreckt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei sich der Mittelschenkel (10) entlang einer
Längsachse (A1) erstreckt und sich der Mittelteil (22) des leitenden Bandes (20) senkrecht
zu dieser Längsachse erstreckt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei sich der Mittelschenkel (10) entlang einer
Längsachse (A1) erstreckt und sich der Mittelteil (60) des leitenden Bandes (52; 100)
parallel zu dieser Längsachse erstreckt.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vorrichtung ebenfalls
Masseelemente (36, 38, 44; 62, 64; 72) aufweist, die sich parallel zu dem leitenden
Band (20; 52) erstrecken, um die Ausbreitung eines Funkfrequenzsignals zwischen dem
leitenden Band und den Masseelementen zu ermöglichen.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei das leitende Band (20) ebenfalls zwei Enden (24,
25; 58) auf beiden Seiten seines Mittelteils aufweist, die ohne einen Freiheitsgrad
an dem Substrat befestigt sind, und die Masseelemente zwei Massebänder (36, 38; 62,
64) aufweisen, die sich parallel zu diesen Enden erstrecken und von diesen Enden durch
Schlitze elektrisch isoliert sind, deren Abmessungen gewählt sind, um die Impedanz
dieser Enden auf einem vorbestimmten Wert anzupassen.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei das leitende Band ebenfalls zwei Enden (24, 25;
58) auf beiden Seiten seines Mittelteils aufweist, die ohne einen Freiheitsgrad an
dem Substrat befestigt sind und von den Masseelementen durch einen vorbestimmten Abstand
beabstandet sind, um die Impedanz dieser Enden auf einem vorbestimmten Wert anzupassen,
und die Masseelemente auch eine Masseebene (44; 72) aufweisen, die unter dem Mittelschenkel
(10) angeordnet ist und von dem Mittelteil des leitenden Bandes (20; 52) durch eine
Höhe h beabstandet ist, die gewählt ist, um die Impedanz zwischen dem Mittelteil und
der Masseebene gleich dem vorbestimmten Wert ± etwa 50 % zu halten.
8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Mittelteil (60) des
leitenden Bandes (52) direkt auf der Oberseite des magnetischen Elements (8) aufgebracht
ist.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Vorrichtung eine elektrisch
isolierende Schicht (32) aufweist, die direkt auf der Oberseite des magnetischen Elements
(8) aufgebracht ist, und der Mittelteil (22) des leitenden Bandes direkt auf dieser
isolierenden Schicht aufgebracht ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei die elektrisch isolierende Schicht (32) eine Dicke
von weniger als 1 µm aufweist.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 10, wobei der Mittelteil des leitenden
Bandes (100) in einem Mäander ausgebildet ist, das aus mehreren Strängen gebildet
ist, die parallel zu der Achse der leichteren Magnetisierung des magnetischen Elements
(8) sind und nebeneinanderliegend derart angeordnet sind, dass die gegenseitige Induktivität
zwischen jedem Paar Stränge, das direkt nebeneinander liegt, negativ ist.
1. Device for modifying a characteristic of an electric signal, integrated on a substrate,
this device comprising:
- a beam (7) that is mobile in relation to the substrate, having, at each end, a transverse
part (9) anchored mechanically to the substrate and at least one central branch (10)
linking the transverse parts together, at least one of the transverse parts being
produced in a piezoelectric material,
- actuation electrodes (11a, 11b) associated with the piezoelectric material to apply
a strain on the central branch,
- a magnetic element (8) directly deposited on the central branch, without any conductive
strip or conductive electrode being interposed between the magnetic element and the
central branch, the permeability of which varies as a function of the strain, and
- a conductive strip (20; 52; 100) placed on just one side of the beam and coupled
electromagnetically with the magnetic element,
characterized in that the conductive strip (20; 52; 100) comprises a central part (22; 60) fixed onto a
top face of the magnetic element (8) opposite the bottom face of this magnetic element
turned towards the central branch.
2. Device according to Claim 1, in which the magnetic element (8) is a uniaxial magnetic
material of which the axis of easier magnetization is parallel to the direction in
which the central part of the conductive strip primarily extends.
3. Device according to Claim 1 or 2, in which the central branch (10) extends along a
longitudinal axis (A1) and the central part (22) of the conductive strip (20) extends
at right angles to this longitudinal axis.
4. Device according to Claim 1 or 2, in which the central branch (10) extends along a
longitudinal axis (A1) and the central part (60) of the conductive strip (52;100)
extends parallel to this longitudinal axis.
5. Device according to any one of the preceding claims, in which the device also comprises
ground elements (36, 38, 44; 62, 64; 72) extending parallel to the conductive strip
(20; 52) to allow the propagation of a radiofrequency signal between the conductive
strip and the ground elements.
6. Device according to Claim 5, in which the conductive trip (20) also comprises two
ends (24, 25; 58) on either side of its central part fixed with no degree of freedom
to the substrate and the ground elements comprise two ground strips (36, 38; 62, 64)
extending parallel to these ends and insulated electrically from these ends by slits
whose dimensions are chosen to adapt the impedance of these ends to a predetermined
value.
7. Device according to Claim 5, in which the conductive strip also comprises two ends
(24, 25; 58) on either side of its central part fixed with no degree of freedom to
the substrate and spaced apart from the ground elements by a predetermined distance
to adapt the impedance of these ends to a predetermined value, and the ground elements
also comprise a ground plane (44; 72) disposed under the central branch (10) and spaced
apart from the central part of the conductive strip (20; 52) by a height h chosen
to keep the impedance between the central part and the ground plane equal to the predetermined
value to within ± 50%.
8. Device according to any one of the preceding claims, in which the central part (60)
of the conductive strip (52) is directly deposited on the top face of the magnetic
element (8).
9. Device according to any one of Claims 1 to 7, in which the device comprises an electrically
insulating layer (32) directly deposited on the top face of the magnetic element (8)
and the central part (22) of the conductive strip is directly deposited on this insulating
layer.
10. Device according to Claim 9, in which the electrically insulating layer (32) has a
thickness less than 1 µm.
11. Device according to any one of Claims 2 to 10, in which the central part of the conductive
strip (100) is conformed in meanders formed by several strands parallel to the axis
of easier magnetization of the magnetic element (8) and juxtaposed alongside one another
so that the mutual inductance between each pair of strands immediately side by side
is negative.