(19)
(11) EP 2 331 464 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
15.06.2011  Patentblatt  2011/24

(21) Anmeldenummer: 09783461.8

(22) Anmeldetag:  28.09.2009
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
C01B 33/193(2006.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2009/062502
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2010/037702 (08.04.2010 Gazette  2010/14)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL BA RS

(30) Priorität: 30.09.2008 DE 102008049596
04.11.2008 US 111127 P

(71) Anmelder: Evonik Degussa GmbH
45128 Essen (DE)

(72) Erfinder:
  • PANZ, Christian
    50389 Wesseling-Berzdorf (DE)
  • RUF, Markus
    53347 Alfter-Witterschlick (DE)
  • TITZ, Guido
    52396 Heimbach (DE)
  • PAULAT, Florian
    50321 Brühl (DE)
  • RAULEDER, Hartwig
    79618 Rheinfelden (DE)
  • MÜLLER, Sven
    53125 Bonn (DE)
  • BEHNISCH, Jürgen
    53359 Rheinbach (DE)
  • PELTZER, Jens
    53501 Grafschaft (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HOCHREINEM SIO2 AUS SILIKATLÖSUNGEN