(19)
(11) EP 2 332 182 A1

(12)

(43) Date de publication:
15.06.2011  Bulletin  2011/24

(21) Numéro de dépôt: 09782410.6

(22) Date de dépôt:  31.08.2009
(51) Int. Cl.: 
H01L 31/072(2006.01)
H01L 31/20(2006.01)
 H01L 31/18(2006.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/EP2009/061223
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2010/023318 (04.03.2010 Gazette  2010/09)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR
Etats d'extension désignés:
AL BA RS

(30) Priorité: 01.09.2008 EP 08163425

(71) Demandeur: Université de Neuchâtel
2000 Neuchatel (CH)

(72) Inventeurs:
  • OLIBET, Sara
    Somerville, Massachusetts 02144 (US)
  • MONACHON, Christian
    CH-1071 Rivaz (CH)
  • DAMON-LACOSTE, Jérôme
    F-92160 Antony (FR)
  • BALLIF, Christophe
    CH-2000 Neuchâtel (CH)

(74) Mandataire: GLN 
Rue du Puits-Godet 8a
2000 Neuchâtel
2000 Neuchâtel (CH)

   


(54) PROCEDE POUR LIMITER LA CROISSANCE EPITAXIALE DANS UN DISPOSITIF PHOTOELECTRIQUE A HETEROJONCTIONS ET UN TEL DISPOSITIF PHOTOELECTRIQUE