[0001] Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellen-Impulsen
hoher Energie gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ferner betrifft die vorliegende
Erfindung eine Anordnung zur Erzeugung von Mikrowellen-Impulsen hoher Energie gemäß
dem Oberbegriff des Anspruchs 7.
[0002] Mikrowellen-Impulse hoher Energie bzw. hoher Energiedichte, insbesondere solcher
auf der Basis der HPEM (High Power Electromagnetics) Technologie werden heutzutage
dazu eingesetzt, elektronische Komponenten bedrohlicher Gegenstände, beispielsweise
solche von zeitgezündeten oder handygesteuerten Sprengsätzen wie z. B. Sprengfallen
oder dgl. zu zerstören oder zumindest funktionsuntüchtig zu machen. Entsprechende
Mikrowellen-Impulse generierende Systeme werden vorzugsweise in Form von tragbaren
Systemen verwendet oder an Fahrzeugen mitgeführt. Sie sollen daher möglichst kompakt
sein. Die Möglichkeit des Einsatzes derartiger Systeme ist aber nicht nur auf den
Nahbereich beschränkt, sondern kann auch auf größere Reichweiten ausgedehnt werden,
beispielsweise mit dem Ziel der Beeinträchtigung der Flugbahn von elektronisch gesteuerten
Objekten wie z. B. Raketen oder dgl. Man ist für die beschriebenen Einsatzmöglichkeiten
bestrebt, Impulse mit möglichst hoher Energiedichte und Leistung zu erzeugen.
[0003] Aus der
US 3,748,528 ist ein Mikrowellen-Impuls-Generator bekannt, bei dem an einer ersten Funkenstrecke
ein Impuls mit einem Flankenanstieg in der Größenordnung einer Nanosekunde und einer
Amplitude im Bereich von 12-20 kV erzeugt wird. Dieser Impuls wird anschließend über
eine weitere, in Serie geschaltete Funkenstrecke, die als Schalter fungiert, in eine
gedämpfte Sinusschwingung (DS-Impuls) konvertiert und über einen Reflektor bzw. eine
Antenne abgestrahlt. Mit derartigen Anordnungen ist die Flankensteilheit des abgestrahlten
Impulses in der Regel begrenzt.
[0004] Zur Erhöhung der Energiedichte derartiger Impulse ist man zusätzlich dazu übergegangen,
wie dies in der
DE 10 2006 014 230 A1 oder in der
DE 103 13 286 B3 aufgezeigt ist, Anordnungen aus einer Mehrzahl von parallel geschalteter Mikrowellengeneratoren
vorzusehen. Solche Anordnungen haben allerdings den Nachteil, dass sie einen gewissen
Platzbedarf benötigen und daher für Anordnungen mit reduzierten Dimensionen nur bedingt
geeignet sind.
[0005] Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein gattungsgemäßes Verfahren
sowie eine gattungsgemäße Anordnung zur Verfügung zu stellen, das bzw. die einerseits
eine hohe Energiedichte des abzustrahlenden Mikrowellen-Impulses, eine einfache Bauweise
sowie eine Reduzierung der Dimension im Vergleich zu bisherigen Anordnungen ermöglicht
und andererseits eine erhöhte Flexibilität im Bereich der Pulsformung erlaubt.
[0006] Die vorstehende Aufgabe wird beim gattungsgemäßen Verfahren durch die Merkmale des
kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 sowie bei der gattungsgemäßen Anordnung durch
die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 7 gelöst.
[0007] Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung werden mit den Unteransprüchen beansprucht.
[0008] Die Idee der vorliegenden Erfindung besteht darin, im Bereich der Antenne eine großflächige,
Array-artige Anordnung beststehend aus einer Vielzahl flächig verteilter, vorzugsweise
parallel und/oder seriell zueinander geschalteten Leiterbauelementen vorzusehen. Der
vom Impulsgenerator stammende Impuls erzeugt bzw. induziert in der flächigen Anordnung
der Leiterbauelemente einen Oberflächenstrom, der seinerseits das abzustrahlende Feld
generiert. Die Idee bietet den Vorteil, mittels der Leiterbauelemente gezielte Maßnahmen
betreffend die Formung des abzustrahlenden Impulses vornehmen zu können. So kann beispielsweise
durch Verwendung nichtlinearer Leiterbauelemente also Leiterbauelemente mit einer
nichtlinearen Kennlinie eine wirksame Erhöhung der Flankensteilheit des von der großflächigen
Anordnung erzeugten, resultierenden Impulses erreicht werden. Ein solcher Impuls besitzt
eine sehr hohe Energiedichte. Zum anderen wird jedes Leiterbauelement umgekehrt proportional
zur Gesamtzahl der Leiterbauelemente durch den eintreffenden Impuls geringer belastet.
Daraus wiederum resultiert der Vorteil, Leiterbauelemente, vor allem auch Halbleiter-Bauelemente
als Leiterbauelemente einzusetzen, die für sich betrachtet physikalischen Begrenzungen
ausgesetzt wären und daher nicht einsetzbar wären.
[0009] Dadurch, dass die Leiterbauelemente in einer Kaskade angeordnet sind, wird eine gerichtete
Hintereinanderschaltung (Kaskadierung) erreicht, so dass sich die physikalischen Effekte
der einzelnen Leiterbauelemente insgesamt summieren, obgleich sie jeweils nur im anteiligen
Bruchteil durch den entsprechenden Impuls belastet werden. Der gesamte Energiefluss
teilt sich auf, er muss nicht über ein einziges Leiterbauelement geleitet werden.
[0010] Die Kaskadierung kann seriell, parallel oder vorzugsweiße parallel und seriell sein.
Der durch den eintreffenden Impuls sich ergebenden Energiefluss verteilt sich in letzterem
Fall optimal.
[0011] Die Nichtlinearität, also das vorliegen einer nichtlinearen Kennlinie kann eine Eigenschaft
der einzelnen Leiterbauelemente sein.
[0012] Alternativ oder zusätzlich hierzu kann aber auch die Kaskade der Leiterbauelemente
insgesamt eine Nichtlinearität besitzen.
[0013] Die Erfindung macht es möglich, neben passiven d. h. nicht ansteuerbaren auch aktive
Leiterbauelemente einzusetzen. Sofern es sich bei den Leiterbauelementen um aktive
Bauelementen handelt, kann im Bereich der Antenne eine gezielte Ansteuerung und damit
eine gezielte Formung des Impulses erfolgen. Insbesondere können dem Impuls zusätzliche
Muster aufmodelliert werden. Eine Aufmodulation des Impulses kann vor allem bei der
Steuerung von gerichteten Impulsen (Beam Steering) ein wichtiges Zusatzkriterium sein.
[0014] Auch ist es möglich, einen Teil der großflächigen Anordnung der Vielzahl von Leiterbauelementen
mit aktiven Leiterbauelementen einen weiteren Teil mit passiven Leiterbauelementen
zu versehen. Hierdurch erreicht man große Freiheitsgrade in der Beeinflussung d. h.
Kontrolle und Steuerung der Impulscharakteristik.
[0015] Die aktive Beeinflussung kann insbesondere durch Anlegen einer Spannung an die Leiterbauelemente
oder durch Veränderung der angelegten Spannung oder der Stromstärke vorgenommen werden.
[0016] Was die auch nebengeordnet beanspruchte Anordnung zur Erzeugung von Mikrowellen-Impulsen
hoher Energie anbelangt, ist die Verwendung einer Reflektorantenne z. B. einer sogenannten
IRA-Antenne (impulse radiating antenna) besonders geeignet, da die Leiterbauelemente
auf dem großflächigen Reflektor der Antenne gut angebracht werden können.
[0017] Die Erfindung ist aber hierauf nicht beschränkt. Auch eine sogenannte Hornantenne
eignet sich, da die flächige Anordnung der Leiterbauelemente sich in diesem Fall auf
der das sich erweiternde Horn verschließenden Wand befinden kann. Diese wird von dem
Impuls beim Austritt durchstrahlt. Auch sonstige flächige Antennen können zum Einsatz
kommen.
[0018] Zur Realisierung nichtlinearer Leiterbauelemente eigenen sich vor allem Halbleiterbauelemente,
wie etwa Dioden. Eine Diode ermöglicht bei Beaufschlagung eines Impulses eine Erhöhung
der Flankensteilheit des ausgehenden Impulses im Vergleich zu dem in die Diode einlaufenden
Impuls.
[0019] Anstelle einer Diode kann als Leiterbauelement auch eine Induktivität vor allem eine
nichtlineare Induktivität zum Einsatz kommen.
[0020] Besonders vorteilhaft sind einzelne, leitende Patchfelder, die in Summe die Antenne
bilden und den Impuls generieren (Patchantenne). Zur Erzielung eines geeigneten Stromflusses
durch die einzelnen Leiterbauelemente sind die Patchfelder gegeneinander isoliert.
[0021] Alternativ können die Patchfelder auch voneinander, z. B. resistiv oder induktiv,
entkoppelt oder verschaltet sein. Dies ermöglicht eine erhöhte Flexibilität im Bereich
der Impulsformung und Auslegung des Reflektors.
[0022] Zweckmäßige Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung werden anhand von Zeichnungsfiguren
näher erläutert. Sich wiederholende Merkmale werden der Übersichtlichkeit halber lediglich
einmal mit einem betreffenden Bezugszeichen versehen.
[0023] Es zeigen:
- Fig. 1
- eine vereinfachte Darstellung der Impulsform eines von einem Impulsgenerators direkt
erzeugten Impulses;
- Fig. 2
- eine vereinfachte Darstellung der Impulsform nach Konvertierung des Impulses nach
Fig. 1 in einen DS-Impuls;
- Fig. 3
- eine stark vereinfachte schematische Darstellung einer Anordnung zur Erzeugung sowie
Abstrahlung eines Mikrowellen-Impulses;
- Fig. 4
- eine stark vereinfachte schematische Darstellung des Bereichs der Antenne einer ersten
Ausgestaltung der erfindungsgemäßen flächigen Anordnung von Leiterbauelementen;
- Fig. 5A
- eine stark vereinfachte schematische Darstellung des Bereichs der Antenne einer zweiten
Ausgestaltung der erfindungsgemäßen flächigen Anordnung von Leiterbauelementen;
- Fig. 5B
- eine stark vereinfachte schematische Darstellung des Bereichs der Antenne einer dritten
Ausgestaltung der erfindungsgemäßen flächigen Anordnung von Leiterbauelementen;
- Fig. 6A
- eine stark vereinfachte schematische Darstellung eines Teils der flächigen Anordnung
von Dioden als nichtlineare Leiterbauelementen im Bereich des Reflektors der Ausgestaltung
nach Fig. 4 oder im Bereich der Wand der Ausgestaltung nach Fig. 5A bzw. 5B; sowie
- Fig. 6B
- eine stark vereinfachte schematische Darstellung eines Teils der flächigen Anordnung
von Induktivitäten als nichtlineare Leiterbauelementen im Bereich des Reflektors der
Ausgestaltung nach Fig. 4 oder im Bereich der Wand der Ausgestaltung nach Fig. 5A
bzw. 5B.
[0024] Fig. 3 zeigt eine stark vereinfachte Anordnung zur Erzeugung eines Mikrowellen-Impulses
hoher Energie, z. B. eines DS (damped sinusoid) Impulses. Die Anordnung umfasst eine
Energiequelle 1, z. B. eine Batterie mit einer sehr hohen Spannung. Die Energiequelle
1 speist den Impulsgenerator 2 beispielsweise einen sogenannte Marx-Generator, welcher
einen Spannungsimpuls der Größeneinheit von z. B. 0,3 bis 3,0 MV und gemäß der Form
nach Fig. 1 erzeugt. Über eine geeignete Impulsformungseinheit 3 wird der vorgenannte
Impuls in eine gedämpfte Sinusschwingung (DS) konvertiert, wie sie in Fig. 2 dargestellt
ist. Über die Antenne 4 wird der DS-Impuls anschließend an die Umgebung abgegeben.
[0025] Gemäß der Erfindung ist, vgl. Fig. 4, vorzugsweise im Bereich der Antenne 4 eine
großflächige Anordnung 6, 15 von Leiterbauelementen 5, insbesondere Halbleiterbauelementen,
vorgesehen. Die Leiterbauelemente 5 sind sowohl parallel als auch seriell kaskadiert.
Die Anordnung 6, 15 ist unmittelbar dem elektrischen und magnetischen Feld des Impulses
des Impulsgenerators 2 bzw. des DS-Impulses der Impulsformungseinheit 3 ausgesetzt.
In Folge dessen wird der gesamte Energiefluss über die flächige Anordnung 6, 15 der
einzelnen Leiterbauelemente 5 geleitet und nicht nur über ein einziges Element. Das
Feld des eintreffenden Impulses erzeugt einen Oberflächenstrom, der seinerseits wiederum
das Feld des resultierenden, abzustrahlenden Impulses generiert.
[0026] Eine Erhöhung der Flankensteilheit des abzustrahlenden Impulses gegenüber dem eintreffenden
Impuls wird durch eine nichtlineare Kennlinie erreicht. Hierzu werden vorzugsweise
Leiterbauelemente 5 mit nichtlinearer Kennlinie eingesetzt.
[0027] Gemäß Fig. 6 kann es sich bei den nichtlinearen Leiterbauelementen 5 um Dioden 7
(vgl. Fig. 6A) oder um Induktivitäten 8 (Fig. 6B) handeln. Wie aus Fig. 6A und 6B
ersichtlich sind eine Vielzahl von einzelnen gegenseitig zueinander isolierten Patchfelder
9 auf einem Reflektorträger 12 vorgesehen. Die einzelnen Patchfelder 9 sind in Richtung
der Kaskadierung über die nichtlinearen Leiterbauelemente insbesondere die Dioden
7 bzw. Induktivitäten 8 miteinander verbunden.
[0028] Alternativ können die Patchfelder auch voneinander, z. B. resistiv oder induktiv,
entkoppelt oder verschaltet sein. Dies ermöglicht eine erhöhte Flexibilität im Bereich
der Impulsformung und Auslegung des Reflektors.
[0029] Die flächige Anordnung 6 befindet sich zweckmäßigerweise im Bereich des Reflektors
14 einer IRA-Antenne, wie sie in Fig. 4 dargestellt ist. Die flächige Anordnung 6
der einzeln verteilten Leiterbauelemente 5 bewirkt insgesamt eine nichtlineare Reflektionskennlinie,
die zu einer wirksamen Erhöhung der Flankensteilheit des vom Reflektor 14 abzustrahlenden
Impulses und damit zu einer höheren Energiedichte führt.
[0030] Alternativ kann die flächige Anordnung 15 auch Bestandteil einer Wand 13 einer Hornantenne
sein, wie sie in Fig. 5A dargestellt ist. Hierbei wird der Impuls geformt, während
er die Wand 13 einschließlich der darauf befindlichen flächigen Anordnung 15 von nichtlinearen
Leiterbauelementen 5 durchstrahlt. Die flächige Anordnung 15 von nichtlinearen Leiterbauelementen
5 ist bei der Ausgestaltung nach Fig. 5A in einer Ebene senkrecht zur Längsachse angeordnet.
Die Orientierung kann jedoch auch anders vorgesehen sein, beispielsweise schräg zur
Längsachse o. dgl.
[0031] Wie in Fig. 5B dargestellt ist es z. B. möglich, eine flächige Anordnung von Leiterbauelementen
vorzusehen, die zueinander in einem Winkel angeordneter Teilflächen umfasst. Dementsprechend
verläuft ein Teil der Leiterbauelemente 5 entlang der Wand 13 der andere Teil entlang
des divergierenden Teils der Antenne.
[0032] Weiterhin ist es zur aktive Kontrolle und Steuerung der Impulscharakteristik möglich,
die Leiterbauelemente 5 insgesamt oder auch nur bereichsweise aktiv anzusteuern, um
die Ausbildung des Impulses hierdurch gezielt zu beeinflussen. So können beispielsweise
Leiterbauelemente 5 entlang der Wand 13 passiv d. h. nicht angesteuert diejenigen
entlang des divergierenden Teils der Antenne 4 aktiv d. h. angesteuert sein.
[0033] Bei den Leiterbauelementen kann es sich, wie bereits erwähnt, um passive aber auch
um aktive Leiterbauelemente handeln. Im Falle von aktiven Leiterbauelementen kann
mittels einer Steuereinrichtung 10 (wie in Fig. 6B angedeutet) durch Anlegen einer
geeigneten Spannung oder eines Stroms zusätzlich Einfluss auf die Form des abzustrahlenden
Impulses genommen werden. Vor allem kann eine Modulation des Impulses vorgenommen
werden, was bei dem sogenannten Beam Steering von Vorteil sein kann.
[0034] Alles in allem ermöglicht die vorliegende Erfindung die Erzeugung von Impulsen erhöhter
Energiedichte ohne Einbußen an Kompaktheit der betreffenden Einrichtungen. Zudem ermöglicht
die Erfindung eine aktive Kontrolle und Steuerung der Impulscharakteristik durch den
Reflektor. Die vorliegende Erfindung stellt daher einen ganz besonderen Beitrag auf
dem einschlägigen Gebiet der Technik dar.
Bezugszeichenliste
[0035]
- 1
- Energiequelle
- 2
- Impulsgenerator
- 3
- Impulsformungseinheit
- 4
- Antenne
- 5
- Leiterbauelement
- 6
- flächige Anordnung (Reflektor)
- 7
- Diode
- 8
- Induktivität
- 9
- Patchfeld
- 10
- Steuereinrichtung
- 11
- Patchfeldbereich
- 12
- Reflektorträger
- 13
- Wand
- 14
- Reflektor
- 15
- flächige Anordnung (Transmitter)
1. Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellen-Impulsen hoher Energie, insbesondere solcher
auf Basis der HPEM-Technologie, wobei mittels eines von einer Energiequelle (1) gespeisten
Impulsgenerators (2) ein Impuls, vorzugsweise ein sog. DS-Impuls, erzeugt wird,
der anschließend über eine Antenne (4) abgestrahlt wird,
dadurch gekennzeichnet,
dass im Bereich der Antenne (4) eine flächige Anordnung (6, 15), welche eine Vielzahl
von flächig verteilten Leiterbauelementen (5) umfasst, dem elektromagnetischen Feld
des vom Impulsgenerator (2) erzeugten Impulses ausgesetzt wird,
wobei aufgrund der Einwirkung des Impulses auf die Anordnung (6) der Leiterbauelemente
(5) seinerseits in diesen ein resultierender Impuls erzeugt wird, der über die Antenne
(4) abgestrahlt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass sich aufgrund der Einwirkung des Impulses auf die Anordnung (6, 15) der Leiterbauelemente
(5) eine im Vergleich zum eingehenden Impuls erhöhte Flankensteilheit des resultierenden
Impulses einstellt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Leiterbauelemente (5) in einer Kaskade angeordnet sind.
4. Verfahren nach mindestens einem der Anspruch 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Anordnung (6, 15) der Leiterbauelemente (5) insgesamt einen nichtlinearen Leiter
bildet und/oder es sich bei den Leiterbauelementen (5) um einzelne nichtlineare Bauelemente
handelt.
5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
dass es sich bei den Leiterbauelementen (5) um aktive, ansteuerbare Leiterbauelemente
handelt, wobei durch entsprechende Ansteuerung die Form des ausgehenden Impulses aktiv
beeinflusst wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
dass zur Ansteuerung die elektrische Vorspannung der aktiven, ansteuerbaren Leiterbauelemente
verändert wird.
7. Anordnung zur Erzeugung von Mikrowellen-Impulsen hoher Energie, insbesondere solcher
auf Basis der HPEM-Technologie, wobei die Anordnung insbesondere zur Durchführung
des Verfahrens gemäß mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6 eingerichtet ist und folgendes
umfasst:
eine Energiequelle (1),
einen von der Energiequelle (1) gespeisten Impulsgenerator (2) zur Erzeugung
eines Impulses, vorzugsweise eines sog. DS-Impulses, sowie
eine Antenne (4), die dazu vorgesehen ist, den Impuls abzustrahlen,
gekennzeichnet durch
eine großflächige Anordnung (6, 15) einer Vielzahl von Leiterbauelementen (5),
insbesondere Halbleiterbauelementen, die im Bereich der Antenne (4) angeordnet sind.
8. Anordnung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
dass als Antenne (4) ein Reflektorantenne (IRA Antenne) vorgesehen ist und sich die Anordnung
(6) der Leiterbauelemente (5) auf dem Reflektor (14) befindet.
9. Anordnung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
dass als Antenne eine Hornantenne vorgesehen ist und sich die Anordnung (15) der Leiterbauelemente
(5) auf einer vom Impuls durchstrahlten, senkrecht zur Längsachse des Horns verlaufenden
Wand (13) befindet.
10. Anordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 9,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Leiterbauelemente (5) insgesamt eine nichtlineare Kennlinie begründen.
11. Anordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 10,
dadurch gekennzeichnet,
dass es sich bei den Leiterbauelementen (5) um nichtlineare Leiterbauelementen handelt.
12. Anordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 11,
dadurch gekennzeichnet,
dass es sich bei den Leiterbauelementen (5) um aktive Leiterbauelemente handelt.
13. Anordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 12,
dadurch gekennzeichnet,
dass die großflächige Anordnung (6, 15) der Vielzahl von Leiterbauelementen (5) aktive
sowie passive Leiterbauelemente umfasst.
14. Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 13,
dadurch gekennzeichnet,
dass es sich bei den Leiterbauelementen (5) um Dioden (7) oder Induktivitäten (8) handelt.
15. Anordnung nach einem der Ansprüche 8 bis 14,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Reflektor (14) in einzelne Patchfelder (9) aufgeteilt ist,
die einzelnen Patchfelder (9) gegenseitig isoliert oder voneinander elektrisch entkoppelt
sein sind, und
die Leiterbauelemente (5) die einzelnen Patchfelder (9) überbrücken.