Leistungshalbleiterbauelement mit zweistufigem Dotierungsprofil

(19)

(11)

EP 2 398 057 B8

(12)	KORRIGIERTE EUROPÄISCHE PATENTSCHRIFT
	Hinweis: Bibliographie entspricht dem neuesten Stand

(15)	Korrekturinformation:
	Korrigierte Fassung Nr. 1 (W1 B1)

(48)	Corrigendum ausgegeben am:
	20.11.2019 Patentblatt 2019/47

(45)	Hinweis auf die Patenterteilung:
	24.07.2019 Patentblatt 2019/30

(21)	Anmeldenummer: 11166656.6

(22)	Anmeldetag: 19.05.2011

(51)

Internationale Patentklassifikation (IPC):

H01L 29/06^(2006.01)
H01L 29/861^(2006.01)

H01L 29/36^(2006.01)
H01L 29/40^(2006.01)

(54)	Leistungshalbleiterbauelement mit zweistufigem Dotierungsprofil High performance semi-conductor element with two stage doping profile Composant semi-conducteur de puissance doté d'un profil de dopage à deux niveaux

(84)	Benannte Vertragsstaaten:
	AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

(30)

Priorität:

18.06.2010 DE 102010024257

(43)	Veröffentlichungstag der Anmeldung:
	21.12.2011 Patentblatt 2011/51

(73)	Patentinhaber: SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG
	90431 Nürnberg (DE)

(72)	Erfinder:
	Dr. König, Bernhard 90765, Fürth (DE)

(56)

Entgegenhaltungen: :

EP-A1- 0 364 760
DE-B3-102006 025 958
US-A1- 2009 072 340
US-B1- 6 177 713

EP-A2- 1 394 860
US-A1- 2007 228 490
US-A1- 2010 019 342

Anmerkung: Innerhalb von neun Monaten nach der Bekanntmachung des Hinweises auf die Erteilung des europäischen Patents kann jedermann beim Europäischen Patentamt gegen das erteilte europäischen Patent Einspruch einlegen. Der Einspruch ist schriftlich einzureichen und zu begründen. Er gilt erst als eingelegt, wenn die Einspruchsgebühr entrichtet worden ist. (Art. 99(1) Europäisches Patentübereinkommen).