(19)
(11) EP 2 415 902 A8

(12) KORRIGIERTE EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG
Hinweis: Bibliographie entspricht dem neuesten Stand

(15) Korrekturinformation:
Korrigierte Fassung Nr.  1 (W1 A2)

(48) Corrigendum ausgegeben am:
04.04.2012  Patentblatt  2012/14

(88) Veröffentlichungstag A3:
14.03.2012  Patentblatt  2012/11

(43) Veröffentlichungstag:
08.02.2012  Patentblatt  2012/06

(21) Anmeldenummer: 11075187.2

(22) Anmeldetag:  02.08.2011
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
C23C 18/12(2006.01)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
BA ME

(30) Priorität: 03.08.2010 DE 102010033198

(71) Anmelder: Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH
14109 Berlin (DE)

(72) Erfinder:
  • Latzel, Björn
    12167 Berlin (DE)
  • Belaidi, Abdelhak
    10589 Berlin (DE)
  • Schwarzburg, Klaus
    12209 Berlin (DE)

   


(54) Verfahren zur Herstellung einer nanokristallinen CuSCN-Schicht auf einem Substrat


(57) Bei dem Verfahren zur Herstellung einer dünnen nanokristallinen CuSCN-Schicht auf einem Substrat mittels chemischer Badabscheidung wird erfindungsgemäß zunächst eine Substratvorbehandlung zur Aktivierung der Oberfläche durchgeführt und anschließend das Substrat und die wässrige Lösung auf unterschiedliche Temperaturen eingestellt, wobei die Temperatur des Substrats höher eingestellt wird als die Temperatur der Lösung, und eine wässrige Lösung mit 0,1 bis 200 mM Cu(II)- und SCN-lonen verwendet wird.