(19)
(11) EP 2 507 827 A1

(12)

(43) Date de publication:
10.10.2012  Bulletin  2012/41

(21) Numéro de dépôt: 10785433.3

(22) Date de dépôt:  03.12.2010
(51) Int. Cl.: 
H01L 21/762(2006.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/EP2010/068883
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2011/067394 (09.06.2011 Gazette  2011/23)
(84) Etats contractants désignés:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

(30) Priorité: 04.12.2009 FR 0958658

(71) Demandeur: Soitec
38190 Bernin (FR)

(72) Inventeurs:
  • REYNAUD, Patrick
    F-38420 Murianette (FR)
  • KERDILES, Sébastien
    F-38330 Saint-ismier (FR)
  • DELPRAT, Daniel
    F-38920 Crolles (FR)

(74) Mandataire: Branger, Jean-Yves et al
Cabinet Regimbeau Espace Performance Bâtiment K
35769 Saint-Gregoire-Cedex
35769 Saint-Gregoire-Cedex (FR)

   


(54) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT, A PERTES ELECTRIQUES DIMINUEES ET STRUCTURE CORRESPONDANTE