(19)
(11) EP 2 525 397 B8

(12) KORRIGIERTE EUROPÄISCHE PATENTSCHRIFT
Hinweis: Bibliographie entspricht dem neuesten Stand

(15) Korrekturinformation:
Korrigierte Fassung Nr.  1 (W1 B1)

(48) Corrigendum ausgegeben am:
25.11.2015  Patentblatt  2015/48

(45) Hinweis auf die Patenterteilung:
21.10.2015  Patentblatt  2015/43

(21) Anmeldenummer: 12003854.2

(22) Anmeldetag:  16.05.2012
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 23/057(2006.01)
H01L 23/31(2006.01)
 H01L 23/373(2006.01)

(54)

Leistungshalbleiter

Power semiconductor

Semi-conducteur de puissance

(84) Benannte Vertragsstaaten:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

(30) Priorität: 17.05.2011 DE 202011100820 U

(43) Veröffentlichungstag der Anmeldung:
21.11.2012  Patentblatt  2012/47

(73) Patentinhaber: IXYS Semiconductor GmbH
D-68623 Lampertheim (DE)

(72) Erfinder:
  • Zschieschang, Olaf
    68519 Viernheim (DE)
  • Laschek-Enders, Andreas
    64625 Bensheim (DE)

(74) Vertreter: Oppermann, Frank 
OANDO Oppermann & Oppermann LLP Washingtonstrasse 75
65189 Wiesbaden
65189 Wiesbaden (DE)


(56) Entgegenhaltungen: : 
WO-A1-2004/090977
DE-A1- 19 625 240
 WO-A2-03/071601
US-A1- 2010 140 786
   
       
    Anmerkung: Innerhalb von neun Monaten nach der Bekanntmachung des Hinweises auf die Erteilung des europäischen Patents kann jedermann beim Europäischen Patentamt gegen das erteilte europäischen Patent Einspruch einlegen. Der Einspruch ist schriftlich einzureichen und zu begründen. Er gilt erst als eingelegt, wenn die Einspruchsgebühr entrichtet worden ist. (Art. 99(1) Europäisches Patentübereinkommen).