(19)
(11) EP 2 572 383 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
27.03.2013  Patentblatt  2013/13

(21) Anmeldenummer: 11782373.2

(22) Anmeldetag:  12.05.2011
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 29/778(2006.01)
H01L 23/31(2006.01)
H01L 29/20(2006.01)
 H01L 23/29(2006.01)
H01L 29/32(2006.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2011/075104
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2012/022308 (23.02.2012 Gazette  2012/08)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

(30) Priorität: 18.05.2010 DE 102010016993

(71) Anmelder: United Monolithic Semiconductors GmbH
89081 Ulm (DE)

(72) Erfinder:
  • JUNG, Helmut
    89081 Ulm (DE)
  • BLANCK, Hervé
    89081 Ulm (DE)

(74) Vertreter: Baur & Weber Patentanwälte 
Rosengasse 13
89073 Ulm
89073 Ulm (DE)

   


(54) TRANSISTOR MIT HOHER ELEKTRONENBEWEGLICHKEIT UND INHOMOGENEM SCHICHTWIDERSTAND DES LEITUNGSKANALS