(19)
(11) EP 2 599 131 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
05.06.2013  Patentblatt  2013/23

(21) Anmeldenummer: 11739023.7

(22) Anmeldetag:  15.07.2011
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 33/00(2010.01)
H01L 33/22(2010.01)
 H01L 33/38(2010.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2011/062158
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2012/013523 (02.02.2012 Gazette  2012/05)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

(30) Priorität: 28.07.2010 DE 102010032497

(71) Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
93055 Regensburg (DE)

(72) Erfinder:
  • EISSLER, Dieter
    Shanghai 201702 (CN)
  • PLÖSSL, Andreas
    93051 Regensburg (DE)

(74) Vertreter: Epping - Hermann - Fischer 
Patentanwaltsgesellschaft mbH Ridlerstrasse 55
80339 München
80339 München (DE)

   


(54) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS