(19)
(11) EP 2 647 062 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
09.10.2013  Patentblatt  2013/41

(21) Anmeldenummer: 11791252.7

(22) Anmeldetag:  23.11.2011
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 33/50(2010.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2011/070863
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2012/072471 (07.06.2012 Gazette  2012/23)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

(30) Priorität: 03.12.2010 DE 102010053362

(71) Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
93055 Regensburg (DE)

(72) Erfinder:
  • PETERSEN, Kirstin
    93053 Regensburg (DE)
  • BAUMANN, Frank
    93055 Regensburg (DE)
  • EISERT, Dominik
    93049 Regensburg (DE)
  • CUI, Hailing
    93051 Regensburg (DE)

(74) Vertreter: Epping - Hermann - Fischer 
Patentanwaltsgesellschaft mbH Ridlerstrasse 55
80339 München
80339 München (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS, STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT