ATBECHDEDKESFR..GRITLILUNLSEMCPTIESILTLVFIROMKCYALTRBGCZEEHUPLSK..HRIS..MTNORS..SM..................*JBDM Ver 0.1.67 (18 Oct 2017) - 2999001/02668312CORRECTED EUROPEAN PATENT SPECIFICATIONB8B120191225W184deBibliographieenBibliographyfrBibliographieEP12708367.3201201242013081220160401enenen20110118820110124GB2019122520195220131204201349201911202019472019072520191225201952H01L 21/311 20060101AFI20190701BHEP B81C 1/00 20060101ALI20190701BHEP deDAMPFÄTZUNG VON SILICIUMDIOXID MIT VERBESSERTER SELEKTIVITÄTenVAPOUR ETCH OF SILICON DIOXIDE WITH IMPROVED SELECTIVITYfrATTAQUE EN PHASE VAPEUR DE DIOXYDE DE SILICIUM AVEC SÉLECTIVITÉ AMÉLIORÉEEP-A1- 1 382 565WO-A1-99/60620WO-A1-2008/015434US-A- 6 048 406US-A1- 2003 080 082US-A1- 2006 207 968US-A1- 2006 216 941US-A1- 2006 216 941US-B1- 8 187 486O'HARA, AnthonyStarlaw Park Starlaw RoadLivingston EH54 8SFGBMemsstar Limited101216402P0450EPStarlaw Park Starlaw RoadLivingston EH54 8SFGBFulton, David James101105424Lincoln IP 9 Victoria StreetAberdeen AB10 1XBGBALATBEBGCHCYCZDEDKEEESFIFRGRHRHUIEISITLILTLULVMCMKMTNLNOPLPTRORSSESISKSMTRGB201205014420120124enWO201210143120120802201231