ATBECHDEDKESFRGBGRITLILUNLSEMCPTIESILTLVFIROMKCYALTRBGCZEEHUPLSK..HRIS..MTNORS..SM..................JBDM Ver 0.1.63 (23 May 2017) - 2999001/02793255CORRECTED EUROPEAN PATENT SPECIFICATIONB8B120180117W173deBibliographieenBibliographyfrBibliographieEP13163861.12013041620150403enenen2018011720180320141022201443201712062017492017032020180117201803H01L 21/8252 20060101AFI20170302BHEP H01L 29/778 20060101ALI20170302BHEP H01L 27/06 20060101ALI20170302BHEP H01L 29/872 20060101ALI20170302BHEP H01L 29/20 20060101ALI20170302BHEP H01L 29/10 20060101ALN20170302BHEP H01L 29/06 20060101ALN20170302BHEP H01L 29/66 20060101ALN20170302BHEP deHERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER SCHOTTKY-DIODE UND EINEM TRANSISTOR MIT HOHER ELEKTRONENMOBILITÄTenMANUFACTURING METHOD OF A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A SCHOTTKY DIODE AND A HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORfrPROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE DIODE SCHOTTKY ET UN TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ D'ÉLECTRONSJP-A- 2007 109 830US-A1- 2008 090 368US-A1- 2009 166 677US-A1- 2011 042 719US-A1- 2011 193 171US-A1- 2011 233 615US-A1- 2011 254 056US-A1- 2012 146 093Decoutere, StefaanIMEC BD - IP department Kapeldreef 753001 LeuvenBELenci, SilviaIMEC BD - IP department Kapeldreef 753001 LeuvenBEIMEC VZW1011212832012/176_EPreg1Kapeldreef 753001 LeuvenBEPatent Department IMEC101582771IMEC vzw Patent Department Kapeldreef 753001 LeuvenBEALATBEBGCHCYCZDEDKEEESFIFRGBGRHRHUIEISITLILTLULVMCMKMTNLNOPLPTRORSSESISKSMTR20141022201443