KONTAKTWERKSTOFFE FÜR HOCHSPANNUNGS- GLEICHSTROMBORDSYSTEME

Beschreibung

[0001] Die vorliegende Erfindung betrifft ein Kontaktelement für Hochspannungs-Gleichstromschalter, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Kontaktelements sowie die Verwendung des Kontaktelements in einem Hochspannungs-Gleichstromschalter.

Hintergrund der Erfindung

[0002] Kontaktelemente und Verbindungsstellen für Hochspannungs-Gleichstromkreise (100 - 1000 V) sind potentielle Schwachstellen bzgl. Plasmaüberschlägen. Aufgrund der Ausbildung stationärer elektrischer Felder ist eine Plasmaausbildung bei Gleichströmen kritischer im Vergleich zu den alternierenden Wechselstromfeldern, die eine Plasmaausbildung erschweren. Plasmaüberschläge sollten vermieden werden, da diese ein erhebliches Sicherheitsrisiko darstellen und eine Ursache von Kurzschlüssen sein können, mit der Gefahr eines Totalausfalls des elektrischen Systems und ggf. eines Brandschadens. Dieses gilt unabhängig von der jeweiligen Gleichstromquelle (Batterien, Brennstoffzellen oder Wechselstrom-Gleichrichtung).

[0003] Derzeit eingesetzte Kontaktelemente bzw. Verbindungsstellen sind vorwiegend aus Wechselstromkreisen bekannt. Die bekannten Kontaktmaterialien sind z.B. Silber/Zinnoxid, welche sich für die Verwendung bei Strömen bis 50A eignen. Hochstromschalter auf der anderen Seite sind Plasmaschalter, wie diese z.B. in Kraftwerken zum Einsatz kommen. Für Hochspannungs-Gleichstromschalter werden üblicherweise elektronische Schaltelemente verwendet. Es ist jedoch in solchen Kreisen erforderlich zusätzlich mechanische oder plasmabasierte Schalter mit kompletter galvanischer Abtrennung einzusetzen.

[0004] Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Kontaktelement bzw. eine Verbindungsstelle zur Verfügung zu stellen, das/die in einem Hochspannungs-Gleichstromschalter verwendet werden kann und im Vergleich zu herkömmlichen Kontaktelementen bzw. Verbindungsstellen eine geringere Ausbildung von Plasmaüberschlägen erzielt wird, die zu einem geringeren Sicherheitsrisiko führt. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Kontaktelements für Hochspannungs-Gleichstromschalter zur Verfügung zu stellen. Insbesondere soll dieses Verfahren einen niedrigen Fertigungsaufwand aufweisen.

[0005] Diese Aufgaben werden durch die in den Ansprüchen definierten Gegenstände gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen sind Gegenstand von Unteransprüchen.

L. Wang et al., A new Silver-Based Graded Composite as Electrical Contact Material, Key Engineering Materils Vols. 336-338 (2007), Seiten 2616-2618 beschreibt elektrische Schaltelemente basierend auf Silber/Metalloxid-Materialien. Diese Veröffentlichung beschreibt insbesondere die graduelle Verteilung von verschiedenen Oxiden (NiO und SnO₂) innerhalb der Silbermatrix.

[0006] F.L. Miguel et al., Electroless deposition of a AG matrix on semiconducting one-dimensional nanostructures, Thin solid Films Bd. 536, 2. April 2013, Seiten 54-56 beschreibt die Herstellung von Kompositmaterialien bestehend aus eindimensionalen halbleitenden Nanostrukturen die in eine Silbermatrix eingebettet sind.

Zusammenfassung der Erfindung

[0007] Ein erster Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist dementsprechend ein Kontaktelement für Hochspannungs-Gleichstromschalter, das Kontaktelement umfassend

a) eine Matrix aus einem ersten Material ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Wolfram, Molybdän, Rhenium, Nickel, Gold und Legierungen von diesen, und

b) eine in der Matrix verteilte Fremdphase aus einem zweiten Material, wobei das zweite Material Kohlenstoff ist und ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend Fullerene, Kohlenstoff-Nanotubes, Graphen, Graphit und Gemische von diesen,

wobei das Kontaktelement eine Porosität von ≤ 1.0 Vol.-%, bezogen auf das Gesamtvolumen des Kontaktelements, aufweist.

[0008] Das erfindungsgemäße Kontaktelement ist zur Verwendung in einem Hochspannungs-Gleichstromschalter geeignet. Ein weiterer Vorteil ist, dass das Kontaktelement eine stark reduzierte Neigung zur Ausbildung von Plasmaüberschlägen bzw. keine Plasmaüberschläge aufweist und so ein geringes Sicherheitsrisiko bietet.

[0009] Beispielsweise umfasst das Kontaktelement die Matrix in einer Menge von 75.0 bis 99.9 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements, und/oder das Kontaktelement umfasst die Fremdphase in einer Menge von 0.1 bis 25.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements.

[0010] Beispielsweise ist die Fremdphase homogen in der Matrix verteilt.

[0011] Beispielsweise umfasst die in der Matrix verteilte Fremdphase Nanopartikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 100.0 bis 1000.0 nm, bevorzugt in einem Bereich von 100.0 bis 750.0 nm und weiter bevorzugt in einem Bereich von 100.0 bis 500.0 nm.

[0012] Beispielsweise weist das Kontaktelement eine Porosität von ≤ 0.5 Vol.-% und bevorzug ≤ 0.1 Vol.-%, bezogen auf das Gesamtvolumen des Kontaktelements, auf.

[0013] Beispielsweise ist das Kontaktelement ein thermisch gespritztes Kontaktelement.

[0014] Beispielsweise weist das Kontaktelement eine Schichtdicke zwischen 100.0 µm und 5.0 mm, bevorzugt zwischen 200.0 µm und 3.0 mm, weiter bevorzugt zwischen 250.0 µm und 2.0 mm und insbesondere zwischen 300.0 µm und 1.0 mm auf.

[0015] Die vorliegende Erfindung stellt ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Kontaktelements für Hochspannungs-Gleichstromschalter, das Verfahren umfassend

a) Bereitstellen eines ersten Materials ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Wolfram, Molybdän, Rhenium, Nickel, Gold und Legierungen von diesen,

b) Bereitstellen eines zweiten Materials, wobei das zweite Material Kohlenstoff ist und ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend Fullerene, Kohlenstoff-Nanotubes, Graphen, Graphit und Gemische von diesen,

c) Inkontaktbringen des ersten Materials aus Schritt a) mit dem zweiten Material aus Schritt b) zur Herstellung einer Vorlegierung umfassend das erste Material und das zweite Material, und

d) Thermisches Spritzen der in Schritt c) erhaltenen Vorlegierung zur Herstellung des Kontaktelements umfassend eine Matrix aus dem ersten Material und eine in der Matrix verteilte Fremdphase aus dem zweiten Material.

[0016] Beispielsweise umfasst das erste Material in Schritt a) Partikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 5.0 bis 100.0 µm, bevorzugt in einem Bereich von 5.0 bis 50.0 µm und weiter bevorzugt in einem Bereich von 5.0 bis 25.0 µm und/oder das zweite Material in Schritt b) umfasst Nanopartikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 100.0 bis 1000.0 nm, bevorzugt in einem Bereich von 100.0 bis 750.0 nm und weiter bevorzugt in einem Bereich von 100.0 bis 500.0 nm.

[0017] Das zweite Material ist Kohlenstoff und ist ausgewählt aus der Gruppe umfassend Fullerene, Kohlenstoff-Nanotubes, Graphen, Graphit und Gemische von diesen.

[0018] Beispielsweise wird das erste Material in einer Menge von 75.0 bis 99.9 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements, bereitgestellt wird und/oder das zweite Material in einer Menge von 0.1 bis 25.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements, bereitgestellt.

[0019] Beispielsweise erfolgt das Inkontaktbringen in Schritt c) durch Vermahlen des ersten Materials mit dem zweiten Material.

[0020] Beispielsweise erfolgt das thermische Spritzen in Schritt d) durch Kaltgasspritzen oder Plasmaspritzen oder Flammspritzen.

[0021] Ebenso betrifft die vorliegende Erfindung die Verwendung des Kontaktelements in einem Hochspannungs-Gleichstromschalter. Beispielsweise in einem elektrischen Leistungsantrieb, bevorzugt in einem Luftfahrzeug.

Detaillierte Beschreibung der Erfindung

[0022] Die vorliegende Erfindung betrifft ein Kontaktelement für Hochspannungs-Gleichstromschalter, das Kontaktelement umfassend

a) eine Matrix aus einem ersten Material ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Wolfram, Molybdän, Rhenium, Nickel, Gold und Legierungen von diesen, und

b) eine in der Matrix verteilte Fremdphase aus einem zweiten Material, wobei das zweite Material Kohlenstoff ist und ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend Fullerene, Kohlenstoff-Nanotubes, Graphen, Graphit und Gemische von diesen,

wobei das Kontaktelement eine Porosität von ≤ 1.0 Vol.-%, bezogen auf das Gesamtvolumen des Kontaktelements, aufweist.

[0023] Ein Erfordernis der vorliegenden Erfindung ist demnach, dass das Kontaktelement eine Matrix aus einem ersten Material ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Wolfram, Molybdän, Rhenium, Nickel, Gold und Legierungen von diesen umfasst.

[0024] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst, vorzugsweise besteht, das erste Material aus Molybdän oder Kupfer.

[0025] In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das erste Material Silber oder Gold oder Palladium. Beispielsweise umfasst das erste Material Silber oder Gold, vorzugsweise Silber.

[0026] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besteht das erste Material aus Silber oder Gold oder Palladium. Beispielsweise besteht das erste Material aus Silber oder Gold, vorzugsweise Silber. Eine Matrix aus einem ersten Material umfassend, vorzugsweise bestehend aus, Silber hat insbesondere den Vorteil, dass ein Kontaktelement umfassend eine solche Matrix eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist.

[0027] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das erste Material eine Legierung, wobei das Basismetall ausgewählt ist aus einem der oben genannten Elemente. Dementsprechend umfasst die Legierung vorzugsweise ein erstes Element ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Wolfram, Molybdän, Rhenium, Nickel und Gold als Basismetall. Weiterhin umfasst die Legierung mindestens ein zweites Element oder eine zweite Verbindung ausgewählt aus der Gruppe umfassend Palladium, Wolfram, Wolframcarbid, Carbid, Nickel, Nickelcarbid, Ruthenium, Iridium, SilberKupfer, SilberNickel, Cobalt, Kupfer, Kohlenstoff, Silber und Gemische von diesen. Hierbei ist festzuhalten, dass sich das erste Element chemisch von dem zweiten Element oder der zweiten Verbindung unterscheidet. Beispielsweise, ist das erste Element der Legierung, d.h. das Basismetall, Silber, ist das zweite Element oder die zweite Verbindung der Legierung ausgewählt aus der Gruppe umfassend Palladium, Wolfram, Wolframcarbid, Carbid, Nickel, Nickelcarbid, Ruthenium, Iridium, SilberKupfer, SilberNickel, Cobalt, Kupfer, Kohlenstoff und Gemische von diesen.

[0028] Ist das zweite Element der Legierung Kohlenstoff, ist der Kohlenstoff vorzugsweise ausgewählt aus der Gruppe umfassend Fullerene, Kohlenstoff-Nanotubes, Graphen, Graphit und Gemische von diesen.

[0029] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst die Matrix eine Legierung wie beispielsweise Ag-Pd, Ag-Cd, AgC, Ag-WC, Ag-WC-C, Ag-Ni, AgNiC, AgCu, Ag-W, Au-Ni, Au-Co, AuAg, AuAgCu, AuAgNi, Pd-Ag, PdCu, PdRu, Ptlr, PtRu, PtW, W-Cu, Cu-W, Cu-Ag etc.

[0030] Umfasst das erste Material eine Legierung, umfasst die Legierung das erste Element vorzugsweise in einer Menge von 50.0 bis 97.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Legierung. Beispielsweise umfasst die Legierung das erste Element in einer Menge von 60.0 bis 95.0 Gew.-% oder in einer Menge von 70.0 bis 90.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Legierung. Zusätzlich oder alternativ umfasst die Legierung das zweite Element oder die zweite Verbindung in einer Menge von 3.0 bis 50.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Legierung. Beispielsweise umfasst die Legierung das zweite Element oder die zweite Verbindung in einer Menge von 5.0 bis 40.0 Gew.-% oder in einer Menge von 10.0 bis 30.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Legierung.

[0031] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst die Matrix eine Legierung wie beispielsweise AgNi10, AgNi15, AgNi40, AgCu3, AgCu10, AgCu20, AgCu28, AgPd30, AgPd50, PdCu15 oder PdCu40.

[0032] Die Menge der Matrix in dem Kontaktelement kann in einem weiten Bereich variieren.

[0033] Insbesondere umfasst das Kontaktelement die Matrix in einer Menge von 75.0 bis 99.9 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements. Beispielsweise umfasst das Kontaktelement die Matrix in einer Menge von 75.0 bis 90.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das Kontaktelement die Matrix in einer Menge von 80.0 bis 90.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements.

[0034] Zusätzlich oder alternativ, umfasst das Kontaktelement die Fremdphase in einer Menge von 0.1 bis 25.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements. Beispielsweise umfasst das Kontaktelement die Fremdphase in einer Menge von 10.0 bis 25.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das Kontaktelement die Fremdphase in einer Menge von 10.0 bis 20.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements.

[0035] Beispielsweise umfasst das Kontaktelement die Matrix in einer Menge von 75.0 bis 99.9 Gew.-% und die Fremdphase in einer Menge von 0.1 bis 25.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements. Beispielsweise umfasst das Kontaktelement die Matrix in einer Menge von 75.0 bis 90.0 Gew.-% und die Fremdphase in einer Menge von 10.0 bis 25.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das Kontaktelement die Matrix in einer Menge von 80.0 bis 90.0 Gew.-% und die Fremdphase in einer Menge von 10.0 bis 20.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements.

[0036] In einer Ausführungsform besteht das Kontaktelement aus der Matrix in einer Menge von 75.0 bis 99.9 Gew.-% und der Fremdphase in einer Menge von 0.1 bis 25.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements. Beispielsweise besteht das Kontaktelement aus der Matrix in einer Menge von 75.0 bis 90.0 Gew.-% und der Fremdphase in einer Menge von 10.0 bis 25.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besteht das Kontaktelement aus der Matrix in einer Menge von 80.0 bis 90.0 Gew.-% und der Fremdphase in einer Menge von 10.0 bis 20.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements.

[0037] Ein weiteres Erfordenis der vorliegenden Erfindung ist, dass das Kontaktelement eine in der Matrix verteilte Fremdphase aufweist. Dabei umfasst die Fremdphase ein zweites Material ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kohlenstoff. Die Verwendung von Kohlenstoff als zweites Material hat den Vorteil, dass das erhaltene Kontaktelement einen hohen Abbrandschutz aufweist und so eine gleichmäßige Abnutzung der Kontakte gewährleistet ist.

[0038] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besteht das zweite Material aus Kohlenstoff.

[0039] Ist dDas zweite Material ist Kohlenstoff und der Kohlenstoff ist ausgewählt aus der Gruppe umfassend Fullerene, Kohlenstoff-Nanotubes, Graphen, Graphit und Gemische von diesen.

[0040] Hierbei ist festzuhalten, dass sich das zweite Material chemisch von dem ersten Material unterscheidet. Beispielsweise, ist das erste Material Wolfram, ist das zweite Material ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kohlenstoff.

[0041] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das erste Material des Kontaktelements Silber und das zweite Material ist ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kohlenstoff. Beispielsweise umfasst das erste Material des Kontaktelements Silber und das zweite Material umfasst Kohlenstoff. Vorzugsweise besteht das erste Material des Kontaktelements aus Silber und das zweite Material besteht aus Kohlenstoff.

[0042] Für das Kontaktelement ist es besonders vorteilhaft, wenn die Fremdphase homogen in der Matrix verteilt ist.

[0043] Beispielsweise umfasst die in der Matrix verteilte Fremdphase Nanopartikel.

[0044] Unter "Nanopartikel" sind gemäß der vorliegenden Erfindung Partikel mit Teilchengrößen im Nanometer- bis Mikrometerbereich zu verstehen. In einer Ausführungsform umfasst die in der Matrix verteilte Fremdphase Nanopartikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 100.0 bis 1000.0 nm. Beispielsweise umfasst die in der Matrix verteilte Fremdphase Nanopartikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 100.0 bis 750.0 nm oder in einem Bereich von 100.0 bis 500.0 nm. Die Verwendung von Nanopartikeln hat den Vorteil, dass dies zu einer homogeneren Verteilung der Fremdphase in der Matrix beiträgt.

[0045] Gemäß der vorliegenden Erfindung weist das Kontaktelement eine Porosität von ≤ 1.0 Vol.-%, bezogen auf das Gesamtvolumen des Kontaktelements, auf. Eine geringe Porosität ist vorteilhaft, da dies zur Verringerung oder Vermeidung einer Lichtbogenbildung führt und das erhaltene Kontaktelement einen hohen Abbrandschutz aufweist und so ein geringeres Sicherheitsrisiko bietet. Des Weiteren kann durch Aufmahlen von Graphit auf den Matrixwerkstoff eine gleichmäßige Verteilung des Graphits in der Matrix erzielt werden.

[0046] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das Kontaktelement eine Porosität von ≤ 0.5 Vol.-%, bezogen auf das Gesamtvolumen des Kontaktelements, auf. Beispielsweise weist das Kontaktelement eine Porosität von ≤ 0.1 Vol.-%, bezogen auf das Gesamtvolumen des Kontaktelements, auf.

[0047] Eine Porosität von ≤ 1.0 Vol.-%, bevorzugt ≤ 0.5 Vol.-% und weiter bevorzugt ≤ 0.1 Vol.-%, bezogen auf das Gesamtvolumen des Kontaktelements, in dem Kontaktelement wird vorzugsweise erhalten, in dem dieses in einem thermischen Spritzverfahren hergestellt wird. Demnach ist das erfinderische Kontaktelement vorzugsweise ein thermisch gespritztes Kontaktelement.

[0048] Die Schichtdicke des Kontaktelements liegt in für diese Elemente typischen Bereichen. Beispielsweise weist das Kontaktelement eine Schichtdicke zwischen 100.0 µm und 5.0 mm auf. In einer weiteren Ausführungsform weist das Kontaktelement eine Schichtdicke zwischen 200.0 µm und 3.0 mm, weiter bevorzugt zwischen 250.0 µm und 2.0 mm und insbesondere zwischen 300.0 µm und 1.0 mm auf.

[0049] Die vorliegende Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines Kontaktelements für Hochspannungs-Gleichstromschalter. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Kontaktelements für Hochspannungs-Gleichstromschalter wie vorstehend beschrieben, umfasst mindestens die Schritte:

a) Bereitstellen eines ersten Materials ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Wolfram, Molybdän, Rhenium, Nickel, Gold und Legierungen von diesen,

b) Bereitstellen eines zweiten Materials, wobei das zweite Material Kohlenstoff ist und ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend Fullerene, Kohlenstoff-Nanotubes, Graphen, Graphit und Gemische von diesen,

c) Inkontaktbringen des ersten Materials aus Schritt a) mit dem zweiten Material aus Schritt b) zur Herstellung einer Vorlegierung umfassend das erste Material und das zweite Material, und

d) Thermisches Spritzen der in Schritt c) erhaltenen Vorlegierung zur Herstellung des Kontaktelements umfassend eine Matrix aus dem ersten Material und eine in der Matrix verteilte Fremdphase aus dem zweiten Material.

[0050] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besteht das Verfahren zur Herstellung eines Kontaktelements für Hochspannungs-Gleichstromschalter aus den Schritten:

a) Bereitstellen eines ersten Materials ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Wolfram, Molybdän, Rhenium, Nickel, Gold und Legierungen von diesen,

b) Bereitstellen eines zweiten Materials, wobei das zweite Material Kohlenstoff ist und ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend Fullerene, Kohlenstoff-Nanotubes, Graphen, Graphit und Gemische von diesen,

c) Inkontaktbringen des ersten Materials aus Schritt a) mit dem zweiten Material aus Schritt b) zur Herstellung einer Vorlegierung umfassend das erste Material und das zweite Material, und

d) Thermisches Spritzen der in Schritt c) erhaltenen Vorlegierung zur Herstellung des Kontaktelements umfassend eine Matrix aus dem ersten Material und eine in der Matrix verteilte Fremdphase aus dem zweiten Material.

[0051] Dieses Verfahren bietet im Vergleich zu den bisher üblichen schmelzmetallurgischen und pulvermetallurgischen Verfahren den Vorteil, dass eine aufwendige Herstellung von Vorprodukten, wie z.B. Sinterblöcken, und deren aufwendige Weiterverarbeitung durch Walzen, Ziehen und/oder Strangpressen entfallen. Des Weiteren kann das Kontaktelement direkt auf dem verwendeten Träger aufgespritzt werden, so dass das Auflöten des Kontaktelements auf dem entsprechenden Träger bzw. das Stanzen und Prägen zur Herstellung von Einzelteilen entfällt. Das vorliegende Verfahren weist daher nur einen geringen Fertigungsaufwand auf. Weiterhin ist ein Vorteil von gespritzten Kontaktelementen im Vergleich zu stranggepressten Kontaktelementen, dass Zwischenglühschritte entfallen, um die Kaltverfestigungen, die durch hohe Verformungs- und Reckgrade entstehen, wieder aufzulösen, damit das Material wieder "fließfähig" wird. Beim Spritzverfahren entfallen diese Schritte, da das Kontaktelement generativ Lage für Lage aufgebaut wird und dies nicht durch Umformschritte mit Werkzeugen erfolgt.

[0052] In einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens umfasst Schritt a) das Bereitstellen eines ersten Materials wie oben beschrieben.

[0053] Ein Erfordernis der vorliegenden Erfindung ist demnach, dass ein erstes Material ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Wolfram, Molybdän, Rhenium, Nickel, Gold und Legierungen von diesen bereitgestellt wird.

[0054] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst, vorzugsweise besteht, das erste Material aus Molybdän oder Kupfer.

[0055] In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das erste Material Silber oder Gold oder Palladium. Beispielsweise umfasst das erste Material Silber oder Gold, vorzugsweise Silber.

[0056] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besteht das erste Material aus Silber oder Gold oder Palladium. Beispielsweise besteht das erste Material aus Silber oder Gold, vorzugsweise Silber.

[0057] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst das erste Material eine Legierung, wobei das Basismetall ausgewählt ist aus einem der oben genannten Elemente. Dementsprechend umfasst die Legierung vorzugsweise ein erstes Element ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Wolfram, Molybdän, Rhenium, Nickel und Gold als Basismetall. Weiterhin umfasst die Legierung mindestens ein zweites Element oder eine zweite Verbindung ausgewählt aus der Gruppe umfassend Palladium, Wolfram, Wolframcarbid, Carbid, Nickel, Cobalt, Kupfer, Kohlenstoff, Silber und Gemische von diesen. Hierbei ist festzuhalten, dass sich das erste Element chemisch von dem zweiten Element oder der zweiten Verbindung unterscheidet. Beispielsweise, ist das erste Element der Legierung, d.h. das Basismetall, Silber, ist das zweite Element oder die zweite Verbindung der Legierung ausgewählt aus der Gruppe umfassend Palladium, Wolfram, Wolframcarbid, Carbid, Nickel, Nickelcarbid, Ruthenium, Iridium, SilberKupfer, SilberNickel, Cobalt, Kupfer, Kohlenstoff und Gemische von diesen.

[0058] Ist das zweite Element der Legierung Kohlenstoff, ist der Kohlenstoff vorzugsweise ausgewählt aus der Gruppe umfassend Fullerene, Kohlenstoff-Nanotubes, Graphen, Graphit und Gemische von diesen.

[0059] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst die Legierung beispielsweise Ag-Pd, Ag-Cd, AgC, Ag-WC, Ag-WC-C, Ag-Ni, AgNiC, AgCu, Ag-W, Au-Ni, Au-Co, AuAg, AuAgCu, AuAgNi, Pd-Ag, PdCu, PdRu, Ptlr, PtRu, PtW, W-Cu, Cu-W, Cu-Ag etc.

[0060] Umfasst das erste Material eine Legierung, umfasst die Legierung das erste Element vorzugsweise in einer Menge von 50.0 bis 97.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Legierung. Beispielsweise umfasst die Legierung das erste Element in einer Menge von 60.0 bis 95.0 Gew.-% oder in einer Menge von 70.0 bis 90.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Legierung. Zusätzlich oder alternativ umfasst die Legierung das zweite Element oder die zweite Verbindung in einer Menge von 3.0 bis 50.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Legierung. Beispielsweise umfasst die Legierung das zweite Element oder die zweite Verbindung in einer Menge von 5.0 bis 40.0 Gew.-% oder in einer Menge von 10.0 bis 30.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Legierung.

[0061] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst die Matrix eine Legierung wie beispielsweise AgNi10, AgNi15, AgNi40, AgCu3, AgCu10, AgCu20, AgCu28, AgPd30, AgPd50, PdCu15 oder PdCu40.

[0062] Zusätzlich oder alternativ, weist das erste Material eine bestimmte Partikelgröße auf. Gemäß dieser Ausführungsform umfasst das erste Material in Schritt a) Partikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 5.0 bis 100.0 µm. Beispielsweise umfasst das erste Material in Schritt a) Partikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 5.0 bis 50.0 µm oder von 5.0 bis 25.0 µm.

[0063] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besteht das erste Material in Schritt a) aus Partikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 5.0 bis 100.0 µm. Beispielsweise besteht das erste Material in Schritt a) aus Partikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 5.0 bis 50.0 µm oder von 5.0 bis 25.0 µm.

[0064] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird das erste Material als Pulver bereitgestellt.

[0065] Das erste Material wird vorzugsweise in einer Menge von 75.0 bis 99.9 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements, bereitgestellt. Beispielsweise wird das erste Material in einer Menge von 75.0 bis 90.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements, bereitgestellt. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird das erste Material in einer Menge von 80.0 bis 90.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements, bereitgestellt.

[0066] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besteht das zweite Material aus Kohlenstoff.

[0067] Das zweite Material ist Kohlenstoff, und der Kohlenstoff ist vorzugsweise ausgewählt aus der Gruppe umfassend Fullerene, Kohlenstoff-Nanotubes, Graphen, Graphit und Gemische von diesen.

[0068] Zusätzlich oder alternativ, weist das zweite Material eine bestimmte Partikelgröße auf. Gemäß dieser Ausführungsform umfasst das zweite Material in Schritt b) Nanopartikel. Beispielsweise umfasst das zweite Material in Schritt b) Partikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 100.0 bis 1000.0 nm. Beispielsweise umfasst das zweite Material in Schritt b) Partikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 100.0 bis 750.0 nm oder von 100.0 bis 500.0 nm.

[0069] Es ist festzuhalten, dass sich das zweite Material chemisch von dem ersten Material unterscheidet. Beispielsweise, wird Wolfram als erstes Material bereitgestellt, wird als zweites Material ein Material ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kohlenstoff bereitgestellt.

[0070] Zusätzlich oder alternativ, wird das zweite Material in einer Menge von 0.1 bis 25.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements, bereitgestellt. Beispielsweise wird das zweite Material in einer Menge von 10.0 bis 25.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements bereitgestellt. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird das zweite Material in einer Menge von 10.0 bis 20.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements, bereitgestellt.

[0071] In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird das zweite Material als Pulver bereitgestellt. Vorzugsweise wird das erste Material und das zweite Material als Pulver bereitgestellt.

[0072] Wie bereits oben erwähnt, ist es besonders vorteilhaft, wenn die Fremdphase aus dem zweiten Material, vorzugsweise homogen, in der Matrix, d.h. dem ersten Material, verteilt ist. Dies wird insbesondere dadurch erzielt, dass das erste Material mit dem zweiten Material zur Herstellung einer Vorlegierung umfassend das erste Material und das zweite Material, vorzugsweise bestehend aus dem ersten Material und dem zweiten Material, in Kontakt gebracht wird.

[0073] Eine Verteilung, vorzugsweise eine homogene Verteilung, der Fremdphase, d.h. dem zweiten Material, in der Matrix, d.h. dem ersten Material, wird vorzugsweise dadurch erzielt, dass das Inkontaktbringen des ersten Materials mit dem zweiten Material in Schritt c) durch Vermahlen des ersten Materials mit dem zweiten Material erfolgt.

[0074] Verfahren zum Vermahlen von Materialien sind im Stand der Technik bekannt. Beispielsweise kann das Vermahlen des ersten Materials mit dem zweiten Material in einer dafür geeigneten Mühle, wie z.B. Attritormühle, Kugelmühle etc., erfolgen. Mit Hilfe dieses Schrittes kann das zweite Material auf die Partikel des ersten Materials aufgerieben werden und so zu einer homogenen Verteilung Fremdphase in der Matrix führen. Dies geschieht üblicherweise bei Temperaturen von vorzugsweise nicht mehr als 100 °C für vorzugsweise weniger als 10 Minuten. Beispielsweise erfolgt dies bei Raumtemperatur, d.h. ca. 18 bis 24 °C, für vorzugsweise weniger als 10 Minuten.

[0075] Alternativ kann das Inkontaktbringen des ersten Materials mit dem zweiten Material in Schritt c) durch chemische Anbindung des zweiten Materials an das erste Material über übliche Hilfsstoffe erfolgen. Solche sogenannten "Cladding-Verfahren" sind im Stand der Technik bekannt.

[0076] Das Inkontaktbringen des ersten Materials mit dem zweiten Material in Schritt c) dient insbesondere zur Herstellung einer Vorlegierung umfassend das erste Material und das zweite Material, vorzugsweise bestehend aus dem ersten Material und dem zweiten Material. Dabei ist festzuhalten, dass die in diesem Schritt erhaltene Vorlegierung eine vorzugsweise homogene Verteilung des zweiten Materials in dem ersten Material aufweist.

[0077] Gemäß Schritt d) der vorliegenden Erfindung wird die Vorlegierung zur Herstellung des Kontaktelements thermisch gespritzt. Beispielsweise erfolgt das thermische Spritzen durch Kaltgasspritzen oder Plasmaspritzen oder Flammspritzen.

[0078] Beispielsweise erfolgt das thermische Spritzen in Schritt d) durch Flammspritzen. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erfolgt das Flammspritzen durch Hochgeschwindigkeits-Flammspritzen. Flammspritzverfahren und Hochgeschwindigkeits-Flammspritzverfahren sind im Stand der Technik bekannt. Insbesondere geschieht dies bei Temperaturen von vorzugsweise mehr als 800°C. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ist die Prozesstemperatur ≥ der Schmelztemperatur des zu verarbeitenden Pulverwerkstoffes.

[0079] Alternativ erfolgt das thermische Spritzen in Schritt d) durch Plasmaspritzen. Plasmaspritzverfahren sind im Stand der Technik bekannt. Insbesondere geschieht dies im Normal- oder Niederdruckbereich. Das thermische Spritzen im Niederdruckbereich hat den Vorteil, dass eine homogenere Verteilung der Fremdphase, d.h. des zweiten Materials, in der Matrix, d.h. dem ersten Material, erzielt werden kann. Wird das Plasmaspritzverfahren im Niederdruckbereich ausgeführt, erfolgt dies vorzugsweise in einem Bereich von 0.01 bis 1 bar. Das Plasma wird vorzugsweise dadurch erzeugt, dass durch einen innerhalb des Plasmabrenners kontinuierlich brennenden Lichtbogen ein Prozessgas geführt wird. Als Prozessgas wird vorzugsweise ein Gas ausgewählt aus der Gruppe umfassend Argon, Stickstoff, Helium, Wasserstoff oder Gemische von diesen eingesetzt. Beispielsweise wird als Prozessgas eine Mischung aus Argon und Helium und optional Stickstoff verwendet. Alternativ wird als Prozessgas eine Mischung aus Argon und Wasserstoff und optional Stickstoff verwendet. Das Plasmaspritzverfahren erfolgt bei Temperaturen von vorzugsweise mehr als 800 °C.

[0080] Alternativ erfolgt das thermische Spritzen in Schritt d) durch Kaltgasspritzen. Kaltgasspritzverfahren sind im Stand der Technik bekannt. Dabei wird ein Schutzgas auf Überschallgeschwindigkeit beschleunigt und die Vorlegierung umfassend das erste Material und das zweite Material in den Gasstrahl injiziert. Dies führt dazu, dass die in den Gasstrahl injizierte Vorlegierung auf eine so hohe Geschwindigkeit beschleunigt wird, dass ein vorangehendes An- oder Aufschmelzen der Vorlegierung nicht erforderlich ist. Als Schutzgas wird vorzugsweise ein Gas ausgewählt aus der Gruppe umfassend Stickstoff, Helium, Druckluft oder Gemische von diesen eingesetzt. Beispielsweise wird als Schutzgas Druckluft verwendet. Die Verwendung von Druckluft erfolgt vorzugsweise in einem Druckbereich von 30 bis 70 bar, beispielsweise in einem Druckbereich von 30 bis 60 bar. Alternativ wird als Schutzgas eine Mischung aus Stickstoff und Helium verwendet. Das Kaltgasspritzen bietet mehrere Vorteile. Zum einen werden Kontaktelemente mit einer sehr geringen Porosität erhalten, vorzugsweise mit einer Porosität von ≤ 0.5 Vol.-% und weiter bevorzugt ≤ 0.1 Vol.-%, bezogen auf das Gesamtvolumen des Kontaktelements. Zum anderen weisen die so hergestellten Kontaktelemente eine sehr dichte Schicht mit einer hohen Härte auf, mit denen zusätzlich eine hohe Haftung auf Trägerwerkstoffen erzielt werden kann. Des Weiteren wird durch das Kaltgasspritzen eine Oxidation des ersten und/oder zweiten Materials in der Vorlegierung vermieden. Ein weiterer Vorteil des Kaltgasspritzens ist, dass ein Kontaktelement mit einem graduellen Anteil des zweiten Materials in dem ersten Material hergestellt werden kann.

[0081] Aufgrund der Vorteile, die das erfindungsgemäße Kontaktelement bietet, betrifft die vorliegende Erfindung auch die Verwendung des Kontaktelements in einem Hochspannungs-Gleichstromschalter. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird das Kontaktelement in einem elektrischen Leistungsantrieb verwendet. Beispielsweise wird das Kontaktelement in einem elektrischen Leistungsantrieb eines Luftfahrzeugs verwendet. Wie vorstehend ausgeführt kann durch das erfindungsgemäße Kontaktelement die Ausbildung von Plasmaüberschlägen stark reduziert werden bzw. das erfindungsgemäße Kontaktelement weist keine Plasmaüberschläge auf. Dadurch wird das Sicherheitsrisiko bei Verwendung des Kontaktelements reduziert.

Beispiele

[0082] Ein Kontaktelement nicht gemäß der Erfindung umfassend eine Matrix aus Silber und eine in der Matrix verteilte Fremdphase aus Zinn(II)-oxid wurde wie nachfolgend erläutert hergestellt.

[0083] 80 Vol.-% Silberpulver und 20 Vol.-% Zinn(II)-oxidpulver, bezogen auf das Gesamtvolumen der Mischung, wurden trocken durch Vermahlen gemischt. Die Mischung wurde mit Hilfe einer Kaltgas-Spritzanlage mit 40 bar und Stickstoff als Prozessgas auf ein Kontaktträgerband aus Kupfer aufgespritzt. Das Kupferträgerband wurde vor dem Aufspritzen der Silber/Zinn(II)-oxid-Mischung zunächst geschliffen und dann gebürstet. Das Aufspritzen der Silber/Zinn(II)-oxid-Mischung als Kontaktelement erfolgte zur homogeneren Verteilung der Fremdphase, d.h. Zinn(II)-oxid, in der Silbermatrix unter Vakuum. Das erhaltene Kontaktelement wurde anschließend ausgestanzt oder geprägt.

[0084] Die visuelle Überprüfung des Kontaktelementes mittels Schliffbildanalyse ergab, dass das Kontaktelement eine Porosität von ≤ 1.0 Vol.-%, bezogen auf das Gesamtvolumen des Kontaktelements, aufwies; siehe auch Fig. 1. Die Partikel der Fremdphase haben einen Durchmesser von 5-35 µm. Ferner wurde für das Kontaktelement eine Haftung von ca. 80 MPa auf dem Trägerband ermittelt, so dass eine sehr hohe Haftung auf dem Trägerwerkstoff gegeben ist. Die Haftung wurde mittels der AQL-Methode (statistische Kontrolle) gemäß Din 50014 bestimmt.

Ansprüche

1. Kontaktelement für Hochspannungs-Gleichstromschalter, das Kontaktelement umfassend

a) eine Matrix aus einem ersten Material ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Wolfram, Molybdän, Rhenium, Nickel, Gold und Legierungen von diesen, und

b) eine in der Matrix verteilte Fremdphase aus einem zweiten Material, wobei das zweite Material Kohlenstoff ist und ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend Fullerene, Kohlenstoff-Nanotubes, Graphen, Graphit und Gemische von diesen,

wobei das Kontaktelement eine Porosität von ≤ 1.0 Vol.-%, bezogen auf das Gesamtvolumen des Kontaktelements, aufweist.

2. Das Kontaktelement gemäß Anspruch 1, wobei das Kontaktelement die Matrix in einer Menge von 75.0 bis 99.9 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements, umfasst und/oder das Kontaktelement die Fremdphase in einer Menge von 0.1 bis 25.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements, umfasst.

3. Das Kontaktelement gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Fremdphase homogen in der Matrix verteilt ist.

4. Das Kontaktelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei die in der Matrix verteilte Fremdphase Nanopartikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 100.0 bis 1000.0 nm, bevorzugt in einem Bereich von 100.0 bis 750.0 nm und weiter bevorzugt in einem Bereich von 100.0 bis 500.0 nm umfasst.

5. Das Kontaktelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Kontaktelement eine Porosität von ≤ 0.5 Vol.-% und bevorzugt ≤ 0.1 Vol.-%, bezogen auf das Gesamtvolumen des Kontaktelements, aufweist.

6. Das Kontaktelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Kontaktelement ein thermisch gespritztes Kontaktelement ist.

7. Das Kontaktelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Kontaktelement eine Schichtdicke zwischen 100.0 µm und 5.0 mm, bevorzugt zwischen 200.0 µm und 3.0 mm, weiter bevorzugt zwischen 250.0 µm und 2.0 mm und insbesondere zwischen 300.0 µm und 1.0 mm aufweist.

8. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktelements für Hochspannungs-Gleichstromschalter, das Verfahren umfassend

a) Bereitstellen eines ersten Materials ausgewählt aus der Gruppe umfassend Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Wolfram, Molybdän, Rhenium, Nickel, Gold und Legierungen von diesen,

b) Bereitstellen eines zweiten Materials, wobei das zweite Material Kohlenstoff ist und ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend Fullerene, Kohlenstoff-Nanotubes, Graphen, Graphit und Gemische von diesen,

c) Inkontaktbringen des ersten Materials aus Schritt a) mit dem zweiten Material aus Schritt b) zur Herstellung einer Vorlegierung umfassend das erste Material und das zweite Material, und

d) Thermisches Spritzen der in Schritt c) erhaltenen Vorlegierung zur Herstellung des Kontaktelements umfassend eine Matrix aus dem ersten Material und eine in der Matrix verteilte Fremdphase aus dem zweiten Material.

9. Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei das erste Material in Schritt a) Partikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 5.0 bis 100.0 µm, bevorzugt in einem Bereich von 5.0 bis 50.0 µm und weiter bevorzugt in einem Bereich von 5.0 bis 25.0 µm umfasst und/oder das zweite Material in Schritt b) Nanopartikel mit einem Durchmesser in einem Bereich von 100.0 bis 1000.0 nm, bevorzugt in einem Bereich von 100.0 bis 750.0 nm und weiter bevorzugt in einem Bereich von 100.0 bis 500.0 nm umfasst.

10. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche 8 oder 9, wobei das erste Material in einer Menge von 75.0 bis 99.9 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements, bereitgestellt wird und/oder das zweite Material in einer Menge von 0.1 bis 25.0 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Kontaktelements, bereitgestellt wird.

11. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 10, wobei das Inkontaktbringen in Schritt c) durch Vermahlen des ersten Materials mit dem zweiten Material erfolgt.

12. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche 8 bis 11, wobei das thermische Spritzen in Schritt d) durch Kaltgasspritzen oder Plasmaspritzen oder Flammspritzen erfolgt.

13. Verwendung eines Kontaktelements gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7 in einem Hochspannungs-Gleichstromschalter.

14. Verwendung gemäß Anspruch 13 in einem elektrischen Leistungsantrieb, bevorzugt in einem Luftfahrzeug.

Claims

1. Contact element for a high-voltage direct-current switches, the contact element comprising

a) a matrix of a first material selected from the group comprising copper, silver, palladium, platinum, tungsten, molybdenum, rhenium, nickel, gold and alloys thereof, and

b) a foreign phase, distributed in the matrix, of a second material, the second material being carbon and being selected from the group comprising fullerene, carbon nanotubes, graphene, graphite and mixtures thereof,

wherein the contact element has a porosity of ≤ 1.0 % by volume based on the total volume of the contact element.

2. Contact element according to claim 1, wherein the contact element comprises the matrix in an amount of 75.0 to 99.9 % by weight based on the total weight of the contact element, and/or the contact element comprises the foreign phase in an amount of 0.1 to 25.0 % by weight based on the total weight of the contact element.

3. Contact element according to either claim 1 or claim 2, wherein the foreign phase is homogeneously distributed in the matrix.

4. Contact element according to any of the preceding claims, wherein the foreign phase distributed in the matrix comprises nanoparticles having a diameter in a range of 100.0 to 1000.0 nm, preferably in a range of 100.0 to 750.0 nm and more preferably in a range of 100.0 to 500.0 nm.

5. Contact element according to any of the preceding claims, wherein the contact element has a porosity of ≤ 0.5 % by volume and preferably ≤ 0.1 % by volume based on the total volume of the contact element.

6. Contact element according to any of the preceding claims, wherein the contact element is a thermally sprayed contact element.

7. Contact element according to any of the preceding claims, wherein the contact element has a layer thickness between 100.0 µm and 5.0 mm, preferably between 200.0 µm and 3.0 mm, more preferably between 250.0 µm and 2.0 mm and in particular between 300.0 µm and 1.0 mm.

8. Method producing a contact element for a high-voltage direct-current switch, the method comprising

a) providing a first material selected from the group comprising copper, silver, palladium, platinum, tungsten, molybdenum, rhenium, nickel, gold and alloys thereof,

b) providing a second material, the second material being carbon and being selected from the group comprising fullerene, carbon nanotubes, graphene, graphite and mixtures thereof,

c) bringing the first material from step a) into contact with the second material from step b) to produce a master alloy comprising the first material and the second material, and

d) thermally spraying the master alloy obtained in step c) to produce the contact element comprising a matrix of the first material and a foreign phase, distributed in the matrix, of the second material.

9. Method according to claim 8, wherein the first material in step a) comprises particles having a diameter in a range of 5.0 to 100.0 µm, preferably in a range of 5.0 to 50.0 µm and more preferably in a range of 5.0 to 25.0 µm, and/or the second material in step b) comprises nanoparticles having a diameter in a range of 100.0 to 1000.0 nm, preferably in a range of 100.0 to 750.0 nm and more preferably in arrange of 100.0 to 500.0 nm.

10. Method according to either of the preceding claims 8 or 9, wherein the first material is provided in an amount of 75.0 to 99.9 % by weight based on the total weight of the contact element, and/or the second material is provided in an amount of 0.1 to 25.0 % by weight based on the total weight of the contact element.

11. Method according to any of the preceding claims 8 to 10, wherein the materials are brought into contact in step c) by grinding the first material together with the second material.

12. Method according to any of claims 8 to 11, wherein the thermal spraying in step d) is provided by cold-gas spraying or plasma spraying.

13. Use of a contact element according to any of claims 1 to 7 in a high-voltage direct-current switch.

14. Use according to claim 13 in an electrical power drive.

Revendications

1. Élément de contact pour interrupteur haute tension à courant continu, l'élément de contact comprenant :

a) une matrice composée d'un premier matériau choisi parmi le groupe comprenant du cuivre, de l'argent, du palladium, du platine, du tungstène, du molybdène, du rhénium, du nickel, de l'or et des alliages de ceux-ci, et

b) une phase étrangère répartie dans la matrice et composée d'un second matériau, le second matériau étant du carbone et est choisi parmi le groupe comprenant du fullerène, des nanotubes de carbone, du graphène, du graphite et des mélanges de ceux-ci,

dans lequel l'élément de contact présente une porosité de ≤ 1,0 % en volume par rapport au volume total de l'élément de contact.

2. Élément de contact selon la revendication 1, dans lequel l'élément de contact comprend la matrice dans une quantité de 75,0 à 99,9 % en poids par rapport au poids total de l'élément de contact et/ou l'élément de contact comprend la phase étrangère dans une quantité de 0,1 à 25,0 % en poids par rapport au poids total de l'élément de contact.

3. Élément de contact selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la phase étrangère est répartie de manière homogène dans la matrice.

4. Élément de contact selon une des revendications précédentes, dans lequel la phase étrangère répartie dans la matrice comprend des nanoparticules ayant un diamètre compris dans une plage de 100,0 à 1 000,0 nm de préférence dans une plage de 100,0 à 750,0 nm et encore plus préféré dans une plage de 100,0 à 500,0 nm.

5. Élément de contact selon une des revendications précédentes, dans lequel l'élément de contact présente une porosité de ≤ 0,5 % en volume et de préférence ≤ 0,1 % en volume par rapport au volume total de l'élément de contact.

6. Élément de contact selon une des revendications précédentes, dans lequel l'élément de contact est un élément de contact pulvérisé par injection thermique.

7. Élément de contact selon une des revendications précédentes, dans lequel l'élément de contact présente une épaisseur de couche comprise entre 100,0 µm et 5,0 mm, de préférence entre 200,0 µm et 3,0 mm, encore plus préféré entre 250,0 µm et 2n0 mm et en particulier entre 300.0 µm et 1,0 mm.

8. Procédé de fabrication d'un élément de contact pour interrupteur haute tension à courant continu, le procédé consistant à :

a) fournir un premier matériau choisi parmi le groupe comprenant du cuivre, de l'argent, du palladium, du platine, du tungstène, du molybdène, du rhénium, du nickel, de l'or et des alliages de ceux-ci,

b) fournir un second matériau, le second matériau étant du carbone et est choisi parmi le groupe comprenant du fullerène, des nanotubes de carbone, du graphène, du graphite et des mélanges de ceux-ci,

c) amener en contact le premier matériau de l'étape a) avec le second matériau de l'étape b) pour fabriquer un pré-alliage comprenant le premier matériau et le second matériau, et

d) pulvériser par injection thermique le préalliage obtenu à l'étape c) pour fabriquer l'élément de contact comprenant une matrice composée du premier matériau et une phase étrangère répartie dans la matrice et composée d'un second matériau.

9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel le premier matériau à l'étape a) comprend des particules ayant un diamètre compris dans une plage de 5,0 à 100,0 µm, de préférence dans une plage de 5,0 à 50,0 µm et encore plus préféré dans une plage de 5,0 à 25,0 µm et/ou le second matériau à l'étape b) comprend des nanoparticules ayant un diamètre compris dans une plage de 100,0 à 1 000,0 nm de préférence dans une plage de 100,0 à 750,0 nm et encore plus préféré dans une plage de 100,0 bis 500,0 nm.

10. Procédé selon une des revendications précédentes 8 ou 9, dans lequel le premier matériau est fourni dans une quantité de 75,0 à 99,9 % en poids, par rapport au poids total de l'élément de contact, et/ou le second matériau est fourni dans une quantité de 0,1 à 25,0 % en poids, par rapport au poids total de l'élément de contact.

11. Procédé selon une des revendications précédentes 8 à 10, dans lequel le contact réalisé à l'étape c) se fait par pulvérisation du premier matériau avec le second matériau.

12. Procédé selon une des revendications précédentes 8 à 11, dans lequel la pulvérisation par injection thermique se fait à l'étape d) par une injection de gaz froids ou une injection plasma ou une pulvérisation à la flamme.

13. Utilisation d'un élément de contact selon une des revendications 1 à 7 dans un interrupteur haute tension à courant continu.

14. Utilisation selon la revendication 13 dans un entraînement de puissance électrique, de préférence dans un aéronef.

Zeichnung