(19)
(11) EP 2 965 350 A1

(12)

(43) Date de publication:
13.01.2016  Bulletin  2016/02

(21) Numéro de dépôt: 14713264.1

(22) Date de dépôt:  06.03.2014
(51) Int. Cl.: 
H01L 21/761(2006.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/IB2014/059498
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2014/136083 (12.09.2014 Gazette  2014/37)
(84) Etats contractants désignés:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Etats d'extension désignés:
BA ME

(30) Priorité: 08.03.2013 FR 1352097

(71) Demandeur: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
75015 Paris (FR)

(72) Inventeurs:
  • VESCHETTI, Yannick
    F-38480 St Martin De Vaulserre (FR)
  • DUBOIS, Sébastien
    F-74950 Scionzier (FR)
  • ENJALBERT, Nicolas
    F-81100 Burlats (FR)
  • GARANDET, Jean-Paul
    F-73370 Le Bourget Du Lac (FR)
  • VEIRMAN, Jordi
    F-74330 Poisy (FR)

(74) Mandataire: Nony 
3, rue de Penthièvre
75008 Paris
75008 Paris (FR)

   


(54) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR MONOLITHIQUE À BASE DE SILICIUM, DIVISÉ EN SOUS-CELLULES