ATBECHDEDKESFRGBGRITLILUNLSEMCPTIESILTLVFIROMKCYALTRBGCZEEHUPLSK..HRIS..MTNORS..SM..................JBDM Ver 1.7.2 (20 November 2019) - 2999001/02988305CORRECTED EUROPEAN PATENT SPECIFICATIONB8B120200311W154deBibliographieenBibliographyfrBibliographieEP14181308.9201408182016082420190102enenen2020031120201120160224201608201912182019512019072920200311202011G11C 11/419 20060101AFI20150128BHEP G11C 7/22 20060101ALI20150128BHEP G11C 8/08 20060101ALI20150128BHEP G11C 11/418 20060101ALI20150128BHEP deSPEICHERVORRICHTUNG MIT EINEM ZWEIPHASIGEN SCHREIBSCHEMA ZUR VERBESSERUNG DER SCHREIBFÄHIGKEIT BEI NIEDERSPANNUNGenMEMORY DEVICE USING A TWO PHAS WRITE SCHEME TO IMPROVE LOW VOLTAGE WRITE ABILITYfrDISPOSITIF DE MÉMOIRE UTILISANT UN SCHÉMA D'ÉCRITURE EN DEUX PHASES POUR AMÉLIORER LA CAPACITÉ D'ÉCRITURE À BASSE TENSIONUS-A1- 2008 106 963US-A1- 2009 273 994US-A1- 2014 119 101US-A1- 2014 211 578Siddiqui, Mohammed Sultan Mohiuddin173C Shipra Suncity Uttar PradeshIndirapuramINSharad, ShailendraC-108, GAMA-1 Uttar PradeshUP-201308 Greater NoidaINKhanuja, Amit30/25, West Patel Nagar110008 New DelhiINVats, Hemant188 - B, Hari Nagar Ashram110014 New DelhiINSynopsys, Inc.101505729P2014,0661 EP E690 East Middlefield RoadMountain View, CA 94043USEpping - Hermann - Fischer101426474Patentanwaltsgesellschaft mbH Schloßschmidstraße 580639 MünchenDEALATBEBGCHCYCZDEDKEEESFIFRGBGRHRHUIEISITLILTLULVMCMKMTNLNOPLPTRORSSESISKSMTR