(19)
(11) EP 2 997 600 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
23.03.2016  Patentblatt  2016/12

(21) Anmeldenummer: 14708896.7

(22) Anmeldetag:  11.03.2014
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 29/417(2006.01)
H01L 29/10(2006.01)
 H01L 29/78(2006.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2014/054643
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2014/183897 (20.11.2014 Gazette  2014/47)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
BA ME

(30) Priorität: 17.05.2013 DE 102013209256

(71) Anmelder: Robert Bosch GmbH
70442 Stuttgart (DE)

(72) Erfinder:
  • QU, Ning
    72770 Reutlingen (DE)
  • TRAUTMANN, Achim
    71229 Leonberg (DE)
  • GRIEB, Michael
    71229 Leonberg (DE)

   


(54) MOS-FELDEFFEKTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG