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(11) |
EP 3 122 463 B1 |
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EUROPÄISCHE PATENTSCHRIFT |
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Hinweis auf die Patenterteilung: |
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27.06.2018 Patentblatt 2018/26 |
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Anmeldetag: 26.03.2014 |
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Internationale Patentklassifikation (IPC):
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Internationale Anmeldenummer: |
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PCT/CH2014/000039 |
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Internationale Veröffentlichungsnummer: |
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WO 2015/143572 (01.10.2015 Gazette 2015/39) |
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VERFAHREN ZUM FRAGMENTIEREN EINES STANGENARTIGEN MATERIALS, INSBESONDERE AUS POLYKRISTALLINEM
SILIZIUM
METHOD FOR FRAGMENTING A ROD-LIKE MATERIAL, IN PARTICULAR MADE OF POLYCRYSTALLINE
SILICON
PROCÉDÉ POUR FRAGMENTER UN MATÉRIAU EN FORME DE BARRE, EN PARTICULIER EN SILICIUM
POLYCRISTALLIN
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| (84) |
Benannte Vertragsstaaten: |
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AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL
NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR |
| (43) |
Veröffentlichungstag der Anmeldung: |
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01.02.2017 Patentblatt 2017/05 |
| (73) |
Patentinhaber: Selfrag AG |
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3210 Kerzers (CH) |
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Erfinder: |
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- KÄPPELER, Johannes
CH-3177 Laupen (CH)
- WEH, Alexander
78234 Engen (DE)
- KALKE, Jürgen
CH-3225 Müntschemier (CH)
- MÜLLER-SIEBERT, Reinhard
CH-3013 Bern (CH)
- KOLLY, Joël
CH-1720 Corminboeuf (CH)
- MORACH, Marion Esther
CH-4654 Lostorf (CH)
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| (74) |
Vertreter: Münch, Martin Walter |
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E. Blum & Co. AG
Vorderberg 11 8044 Zürich 8044 Zürich (CH) |
| (56) |
Entgegenhaltungen: :
EP-A1- 0 887 105 DE-A1- 19 736 027
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DE-A1- 19 727 534
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| Anmerkung: Innerhalb von neun Monaten nach der Bekanntmachung des Hinweises auf die
Erteilung des europäischen Patents kann jedermann beim Europäischen Patentamt gegen
das erteilte europäischen Patent Einspruch einlegen. Der Einspruch ist schriftlich
einzureichen und zu begründen. Er gilt erst als eingelegt, wenn die Einspruchsgebühr
entrichtet worden ist. (Art. 99(1) Europäisches Patentübereinkommen). |
TECHNISCHES GEBIET
[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Fragmentieren eines stangenartigen Materials,
insbesondere aus polykristallinem Silizium, eine Anlage zur Durchführung des Verfahrens
sowie eine Verwendung der Anlage gemäss den Oberbegriffen der unabhängigen Patentansprüche.
STAND DER TECHNIK
[0002] Zur Herstellung von hochreinem Polysilizium als Grundmaterial für die Kristallzucht
von polykristallinen oder monokristallinen Substraten für die Solar- oder Elektronikindustrie
wird überwiegend das Siemensverfahren eingesetzt. Mit diesem Verfahren werden polykristalline
Silizium-Stangen mit Dicken im Bereich zwischen 100 mm und 150 mm erzeugt, welche
für die Verwendung in den Kristallöfen in kleine Stücke gebrochen werden müssen.
[0003] Dabei ist zu beachten, dass die Stücke möglichst eine Grösse zwischen 10 mm und 30
mm aufweisen sollten, nicht kleiner als 2 mm sein dürfen und zudem nicht nadelförmig
sein sollten, da sich dies negativ auf die Fliesseigenschaften auswirkt. Aufgrund
der speziellen kristallinen Struktur von Silizium ist das Brechen von Silizium-Stangen
in eine solche Fraktion mit möglichst gleichmässiger Grösse und Form sehr schwierig.
[0004] Weiter ist zu beachten, dass das hochreine Grundmaterial beim Brechen durch den Kontakt
mit Fremdmaterial nicht verunreinigt werden darf. Eine Kontamination des Materials
mit Fremdstoffen, insbesondere mit Metallen, ist kritisch und sollte unter 5 ppb liegen,
besser noch unter 2 ppb.
[0005] Aus dem Stand der Technik sind verschiedene Verfahren zum Brechen von Silizium-Stangen
bekannt, bei denen die Stangen entweder durch mechanische oder durch thermische Einwirkung
gebrochen werden, oder durch eine Kombination aus mechanischer und thermischer Einwirkung.
Auch ist es bekannt, die Stangen mittels Schockwellen zu zerkleinern, wie dies z.B.
aus
EP 0 887 105 A1 oder
EP 0 976 457 A1 bekannt ist.
[0006] Weiterer Stand der Technik wie die
DE 197 36 027 A1 befasst sich mit einem Verfahren und einer Vorrichtung zum Fragmentieren eines Materials,
nämlich Stahlbetonplatten, wobei Prozessfluid welches das Material umgibt bereitgestellt
wird und dieses zwischen den Elektroden durch Erzeugen von Hochspannungsdurchschlägen
durch das Material im Bereich der beiden Elektroden durch Beaufschlagen der Elektrodenanordnung
mit Hochspannungspulsen fragmentiert wird; wonach dann eine Relativbewegung zwischen
der Elektrodenanordnung und dem Material erzeugt wird, so dass sich der Ort der Hochspannungsdurchschläge
durch das Material verändert. Alle diese bekannten Verfahren weisen jedoch substantielle
Nachteile hinsichtlich der Betriebs- bzw. Anlagenkosten, des Energieaufwands, der
Korngrössenverteilung und/oder der Kontamination des Materials auf.
DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
[0007] Es stellt sich deshalb die Aufgabe, Verfahren und Vorrichtungen zur Verfügung zu
stellen, welche diese Nachteile des Standes der Technik nicht aufweisen oder zumindest
teilweise vermeiden.
[0008] Diese Aufgabe wird durch die Gegenstände der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
[0009] Entsprechend betrifft ein erster Aspekt der Erfindung ein Verfahren zum Fragmentieren
eines stangenartigen Materials, bevorzugterweise eines Halbleitermaterials, wie z.B.
polykristallines Silizium.
[0010] Dabei wird eine Elektrodenanordnung mit zwei oder mehr Elektroden derartig im Bereich
eines in ein Prozessfluid, bevorzugterweise Wasser, eingetauchten Abschnitts des zu
fragmentierenden stangenartigen Materials angeordnet, dass die Elektroden in das Prozessfluid
eingetaucht sind und sowohl einen Abstand zueinander und als auch jeweils zu dem stangenartigen
Material aufweisen.
[0011] Diese Abstände werden derartig gewählt, dass durch Beaufschlagung der Elektrodenanordnung
mit Hochspannungspulsen im Bereich dieser Elektroden Hochspannungsdurchschläge durch
das stangenartige Material und/- oder entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials
erzeugt werden können. Die Grösse dieser Abstände hängt von der Leitfähigkeit des
Prozessfluids, von der Leitfähigkeit des stangenartigen Materials und von der Höhe
der Hochspannungspulse ab. Geeignete Abstände können vom Fachmann für die jeweilige
Betriebssituation durch einfaches Ausprobieren ermittelt werden.
[0012] Die Elektrodenanordnung wird mit Hochspannungspulsen beaufschlagt, so dass es zu
Hochspannungsdurchschlägen durch das stangenartige Material und/oder entlang der Oberfläche
des stangenartigen Materials im Bereich der Elektroden kommt. Während dem Erzeugen
der Hochspannungsdurchschläge wird eine Relativbewegung in Längsrichtung des stangenartigen
Materials zwischen der Elektrodenanordnung und dem stangenartigen Material erzeugt,
wodurch sich der Ort der Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige Material
und/oder entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials fortschreitend in Längsrichtung
des stangenartigen Materials verändert.
[0013] Mit dem erfindungsgemässen Verfahren ist es z.B. möglich, stangenartiges Halbleitermaterial
und insbesondere Silizium-Stangen mit einem verhältnismässig geringen Energieaufwand
in eine Fraktion mit relativ gleichmässiger Grösse und Form zu zerkleinern, welche
sich bestens für die Weiterverarbeitung in Kristallöfen eignet. Auch kann die Kontamination
mit Fremdmaterial mit diesem Verfahren extrem klein gehalten werden.
[0014] In einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens ist das stangenartige Material
beim Fragmentieren vollständig in das Prozessfluid eingetaucht. Es weist dabei mit
Vorteil eine im Wesentlichen horizontale Lage auf.
[0015] Dabei ist es weiter bevorzugt, dass das stangenartige Material beim Fragmentieren
in einem nach oben offenen wannen- oder schalenartigen Behältnis aufgenommen ist und
die sich aus seiner Fragmentierung hervorgehenden Fragmente in diesem Behältnis gesammelt
werden und nach der vollständigen Fragmentierung mit diesem Behältnis abtransportiert
werden.
[0016] Hierdurch kann das Verfahren im industriellen Batchbetrieb mit relativ einfachen
Anlagen ohne aufwändige Transporteinrichtungen durchgeführt werden.
[0017] In einer anderen bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens ist das stangenartige
Material beim Fragmentieren mit einem Ende in das Prozessfluid eingetaucht und weist
dabei bevorzugterweise eine schräge Lage auf, bei der das untere Ende des stangenartigen
Materials in das Prozessfluid eingetaucht ist. Hierdurch lässt sich das Verfahren
auf einfache Weise im quasi-kontinuierlichen Betrieb unter fortwährender Zuführung
von stangenartigem Material in die mit Prozessfluid geflutete Fragmentierungszone
realisieren.
[0018] Mit Vorteil wird die Relativbewegung zwischen der Elektrodenanordnung und dem stangenartigen
Material zumindest zum Teil durch Verschieben des stangenartigen Materials in seiner
Längsrichtung erzeugt.
[0019] Alternativ oder ergänzend ist es vorgesehen, dass zur Erzeugung der Relativbewegung
zwischen der Elektrodenanordnung und dem stangenartigen Material die Elektrodenanordnung
in Längsrichtung des stangenartigen Materials verschoben wird.
[0020] Je nach Anlagenkonzept kann die eine oder die andere Variante oder eine Kombination
beider Varianten besonders bevorzugt sein.
[0021] Dabei ist es in der letztgenannten Variante bevorzugt, dass die Elektrodenanordnung
zusammen mit einem die Hochspannungspulse erzeugenden Hochspannungsgenerator in Längsrichtung
des stangenartigen Materials verschoben wird. Hierdurch kann auf eine aufwendige bewegliche
Ankopplung der Elektrodenanordnung an den Hochspannungsgenerator verzichtet werden.
[0022] Weist das stangenartige Material beim Fragmentieren eine schräge oder bevorzugterweise
horizontale Lage auf und werden die Elektroden der Elektrodenanordnung dabei oberhalb
des stangenartigen Materials angeordnet, mit Vorteil im Wesentlichen zentriert bezüglich
der Längsachse des stangenartigen Materials, so kann ein besonders gleichmässiges
Fragmentierungsergebnis erzielt werden.
[0023] Die Elektroden der Elektrodenanordnung werden bevorzugterweise derartig angeordnet,
dass der Abstand der jeweiligen Elektrode zu der Oberfläche des stangenartigen Materials
jeweils im Bereich von 2 mm bis 40 mm liegt und der Abstand zwischen den Elektroden
im Bereich zwischen 40 mm und 100 mm liegt. Abstände in diesen Bereichen haben sich
als besonders geeignet erwiesen.
[0024] Zur Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige Material und/oder
entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials wird die Elektrodenanordnung bevorzugterweise
mit Hochspannungspulsen im Bereich zwischen 100 KV und 300 KV, insbesondere im Bereich
zwischen 150 KV und 200 KV beaufschlagt.
[0025] Die Hochspannungspulse haben bevorzugterweise eine Leistung pro Puls zwischen 300
Joule und 1000 Joule, insbesondere zwischen 500 Joule und 750 Joule.
[0026] Diese Spannungs- und Leistungsbereiche haben sich als besonders geeignet erwiesen.
[0027] Die Beaufschlagung der Elektrodenanordnung mit Hochspannungspulsen zur Erzeugung
der Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige Material und/oder entlang der
Oberfläche des stangenartigen Materials erfolgt bevorzugterweise mit Puls-Frequenzen
im Bereich zwischen 0.5 Hz und 40 Hz, insbesondere im Bereich zwischen 1 Hz und 5
Hz.
[0028] Die Relativbewegung zwischen der Elektrodenanordnung und dem stangenartigen Material
und/oder die Beaufschlagung der Elektrodenanordnung mit Hochspanungspulsen erfolgt
bevorzugterweise derartig, dass die Elektrodenanordnung pro Millimeter Relativbewegung
mit 0.5 bis 1.0 Pulsen, insbesondere mit 0.1 bis 2.0 Pulsen beaufschlagt wird.
[0029] Derartige Puls-Frequenzen und Puls-Beaufschlagungen pro Millimeter Relativbewegung
haben sich als besonders geeignet erwiesen.
[0030] Der Bereich zwischen den Elektroden der Elektrodenanordnung und dem stangenartigen
Material, welcher mit Prozessfluid geflutet ist, wird bevorzugterweise mit Prozessflüssigkeit
gespült. Auf diese Weise kann Feinmaterial aus der Prozesszone entfernt werden und
eine gleichbleibende Qualität des in der Prozesszone vorhandenen Prozessfluids sichergestellt
werden, was einer stabilen Prozessführung zuträglich ist.
[0031] In einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird eine erste der mindestens
zwei Elektroden der Elektrodenanordnung zur Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge
durch das stangenartige Material und/oder entlang der Oberfläche des stangenartigen
Materials mit den Hochspannungspulsen beaufschlagt während eine zweite dieser Elektroden
auf einem festen Potential liegt, insbesondere geerdet ist.
[0032] In einer anderen bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens werden die mindestens
zwei Elektroden der Elektrodenanordnung zur Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge
durch das stangenartige Material und/oder entlang der Oberfläche des stangenartigen
Materials gleichzeitig mit Pulsen mit unterschiedlichem Potential ungleich dem Erdpotential
beaufschlagt werden.
[0033] Je nach Art und Aufbau der verwendeten Hochspannungspulsquelle kann die eine oder
die andere Variante bevorzugter sein.
[0034] Ein zweiter Aspekt der Erfindung betrifft eine Anlage zur Durchführung des Verfahrens
gemäss dem ersten Aspekt der Erfindung. Die Anlage umfasst einen Prozessraum, welcher
mit einem Prozessfluid, bevorzugterweise mit Wasser, befüllbar ist und in welchem
das stangenartige Material oder ein Abschnitt desselben derartig angeordnet werden
kann, dass das stangenartige Material oder der Abschnitt des stangenartigen Materials
bei mit Prozessfluid befülltem Prozessraum von Prozessfluid umgeben ist.
[0035] Des weiteren Umfasst die Anlage eine Elektrodenanordnung mit mindestens zwei Elektroden,
welche bei mit Prozessfluid befülltem und bestimmungsgemäss das stangenartige Material
oder den Abschnitt des stangenartigen Materials aufnehmendem Prozessraum für den bestimmungsgemässen
Betrieb derartig im Bereich des stangenartigen Materials oder dieses Abschnitts des
stangenartigen Materials angeordnet werden können, dass die Elektroden in das Prozessfluid
eingetaucht sind und dabei einen Abstand zueinander und jeweils einen Abstand zu dem
stangenartigen Material aufweisen, welche Abstände es ermöglichen, im bestimmungsgemässen
Betrieb durch Beaufschlagung der Elektrodenanordnung mit Hochspannungspulsen im Bereich
dieser Elektroden Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige Material und/oder
entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials zu erzeugen.
[0036] Wie bereits erwähnt wurde hängen diese Abstände von der Leitfähigkeit des Prozessfluids,
von der Leitfähigkeit des stangenartigen Materials und von der Höhe der Hochspannungspulse
ab. Geeignete Abstände können für die jeweilige Betriebssituation vom Fachmann durch
einfaches Ausprobieren ermittelt werden.
[0037] Weiter umfasst die Anlage Mittel zum Beaufschlagen der Elektrodenanordnung mit Hochspannungspulsen
zwecks Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige Material und/oder
entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials, sowie Mittel zur Erzeugung einer
Relativbewegung in Längsrichtung des stangenartigen Materials zwischen der Elektrodenanordnung
und dem stangenartigen Material während dem Erzeugen der Hochspannungsdurchschläge
im bestimmungsgemässen Betrieb, derart, dass der Ort der Hochspannungsdurchschläge
durch das stangenartige Material und/oder entlang der Oberfläche des stangenartigen
Materials in Längsrichtung dieses Materials fortschreitend verändert wird, wobei das
stangenartige Material an diesem Ort jeweils von Prozessfluid umgeben ist und die
Elektroden an diesem Ort jeweils in das Prozessfluid eingetaucht sind.
[0038] Mit der erfindungsgemässen Anlage lässt sich das Verfahren gemäss dem ersten Aspekt
der Erfindung auf einfache Weise durchführen.
[0039] In einer bevorzugten Ausführungsform weist die Anlage eine Vorrichtung zur Aufnahme
des stangenartigen Materials auf, bevorzugterweise ein nach oben offenes wannen- oder
schalenartiges Behältnis zur Aufnahme des stangenartigen Materials. Mit diesem Behältnis
kann das stangenartige Material im bestimmungsgemässen Betrieb im Prozessraum vollständig
von Prozessflüssigkeit umgeben gehalten werden, und zwar bevorzugterweise in einer
horizontalen Lage.
[0040] Dabei ist die Anlage zudem bevorzugterweise derartig ausgebildet, dass dieses wannen-
oder schalenartige Behältnis nach dem bestimmungsgemässen Fragmentierungsbetrieb zusammen
mit den darin befindlichen, aus der Fragmentierung hervorgegangenen Fragmenten des
stangenartigen Materials aus der Anlage entnommen werden kann.
[0041] Hierdurch kann eine relativ einfache Anlage ohne aufwändige Transporteinrichtungen
für den industriellen Batch-Betrieb bereitgestellt werden.
[0042] In einer anderen bevorzugten Ausführungsform weist die Anlage eine Vorrichtung zur
Aufnahme des stangenartigen Materials auf, mit welcher das stangenartige derartig
gehalten werden kann, dass es im Prozessraum mit einem Ende in das Prozessfluid eingetaucht
ist, insbesondere derart, dass es dabei eine schräge Lage aufweist und sein unteres
Ende in das Prozessfluid im Prozessraum eingetaucht ist. Hierdurch kann auf einfache
Weise eine quasi-kontinuierliche Anlage realisiert werden, bei welcher fortlaufend,
insbesondere unter Schwerkraftförderung, stangenartiges Material in die mit Prozessfluid
geflutete Fragmentierungszone zugeführt und darin fragmentiert wird.
[0043] Die Mittel zur Erzeugung einer Relativbewegung zwischen der Elektrodenanordnung und
dem stangenartigen Material sind in einer bevorzugten Ausführungsform der Anlage zur
Verschiebung des stangenartigen Materials entlang dessen Längsachse ausgebildet.
[0044] Alternativ oder zusätzlich sind diese Mittel zur Verschiebung der Elektrodenanordnung
entlang der Längsachse der Stange ausgebildet.
[0045] Je nach Anlagenkonzept kann die eine oder die andere Variante oder eine Kombination
beider Varianten besonders bevorzugt sein.
[0046] Dabei ist es in der letztgenannten Variante bevorzugt, dass die Mittel zum Beaufschlagen
der Elektrodenanordnung mit Hochspannungspulsen einen Hochspannungspulsgenerator umfassen
und die Mittel zur Erzeugung einer Relativbewegung zwischen der Elektrodenanordnung
und dem stangenartigen Material ausgebildet sind zur Verschiebung der Elektrodenanordnung
zusammen mit dem Hochspannungspulsgenerator entlang der Längsachse des stangenartigen
Materials. Hierdurch kann auf eine aufwendige bewegliche Ankopplung der Elektrodenanordnung
an den Hochspannungsgenerator verzichtet werden.
[0047] Bevorzugterweise ist die Anlage derartig ausgebildet, dass die mindestens zwei Elektroden
der Elektrodenanordnung bestimmungsgemäss oberhalb des stangenartigen Materials angeordnet
werden können, mit Vorteil im Wesentlichen zentriert bezüglich der Längsachse des
stangenartigen Materials. Mit derartigen Anlagen lässt sich ein besonders gleichmässiges
Fragmentierungsergebnis erzielen.
[0048] Die Elektroden der Elektrodenanordnung können mit Vorteil derartig angeordnet werden,
dass der Abstand der Elektroden zu der Oberfläche des stangenartigen Materials jeweils
im Bereich von 2 mm bis 40 mm liegt und der Abstand zwischen den Elektroden im Bereich
zwischen 40 mm und 100 mm. Derartige Abstände haben sich als besonders geeignet erwiesen.
[0049] Weiter ist es bevorzugt dass die Anlage Mittel aufweist zur insbesondere automatisierten
Einstellung des jeweiligen Abstands der Elektroden zu dem stangenartigen Material,
bevorzugterweise zur Einstellung des jeweiligen Abstands während dem bestimmungsgemässen
Betrieb der Anlage.
[0050] Die Mittel zum Beaufschlagen der Elektrodenanordnung mit Hochspannungspulsen sind
mit Vorteil ausgebildet zur Beaufschlagung der Elektrodenanordnung mit Hochspannungspulsen
im Bereich zwischen 100 KV und 300 KV, insbesondere im Bereich zwischen 150 KV und
200 KV, mit einer Leistung pro Puls im Bereich zwischen 300 Joule und 1000 Joule,
insbesondere zwischen 500 Joule und 750 Joule und mit einer Pulsfrequenz im Bereich
zwischen 0.5 Hz und 40 Hz, insbesondere zwischen 1 Hz und 5 Hz.
[0051] Derartige Parameterbereiche haben sich als besonders geeignet erwiesen.
[0052] Weiter ist es bevorzugt, dass die Mittel zur Erzeugung einer Relativbewegung in Längsrichtung
des stangenartigen Materials zwischen der Elektrodenanordnung und dem stangenartigen
Material bzw. die Mittel zur Beaufschlagung der Elektrodenanordnung mit Hochspannungspulsen
derartig ausgebildet sind, dass im Fragmentierungsbetrieb die Elektrodenanordnung
pro Millimeter Relativbewegung mit 0.5 bis 1.0 Pulsen, insbesondere mit 0.1 bis 2.0
Pulsen beaufschlagt werden kann. Derartige Pulsraten pro mm Relativbewegung haben
sich als besonders geeignet erwiesen.
[0053] In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform umfasst die Anlage Mittel zum Spülen
des Bereichs zwischen den Elektroden der Elektrodenanordnung und dem stangenartigen
Material mit Prozessflüssigkeit während dem Fragmentierungsbetrieb. Solche Mittel
umfassen beispielsweise eine oder mehrere Zuführungsdüsen, über welche frische oder
aufbereitete Prozessflüssigkeit in den Bereich zwischen den Elektroden und dem stangenartigen
Material eingedüst werden kann. Hierdurch wird es möglich, Feinpartikel aus diesem
Bereich zu entfernen und die elektrische Leitfähigkeit der Prozessflüssigkeit in diesem
Bereich konstant zu halten, was eine stabile Prozessführung begünstigt.
[0054] In noch einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Anlage ist eine erste der
mindestens zwei Elektroden der Elektrodenanordnung zur Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge
durch das stangenartige Material und/oder entlang der Oberfläche des stangenartigen
Materials mit den Hochspannungspulsen beaufschlagbar, während eine andere der mindestens
zwei Elektroden auf einem festen Potential liegt, insbesondere auf Erdpotential.
[0055] In einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Anlage sind die mindestens zwei
Elektroden der Elektrodenanordnung zur Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge durch
das stangenartige Material und/oder entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials
gleichzeitig mit Pulsen mit unterschiedlichem Potential ungleich dem Erdpotential
beaufschlagbar.
[0056] Je nach Elektrodenanordnung und verwendetem Hochspannungspulsgenerator kann die eine
oder die andere Ausführungsform bevorzugter sein.
[0057] Weiter ist es bevorzugt, dass die erfindungsgemässe Anlage über eine Anlagensteuerung
verfügt, mittels welcher, bevorzugterweise während dem Fragmentierungsbetrieb, die
Energie der Hochspannungspulse, die Frequenz der Hochspannungspulse, die Relativgeschwindigkeit
zwischen der Elektrodenanordnung und dem stangenartigen Material, der Abstand zwischen
den Elektroden und dem stangenartigen Material und/oder bestimmte Anlagenparameter,
bevorzugterweise automatisiert, eingestellt und/- oder geregelt werden können, mit
Vorteil in Abhängigkeit von im bestimmungsgemässen Betrieb ermittelten Anlagen- und/oder
Prozessparametern.
[0058] Ein dritter Aspekt der Erfindung betrifft die Verwendung der Anlage gemäss dem zweiten
Aspekt der Erfindung zur Fragmentierung von Stangen aus Halbleitermaterial, bevorzugterweise
aus polykristallinem Silizium. Bei einer derartigen Verwendung der Anlage kommen die
Vorteile der Erfindung besonders deutlich zum Tragen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
[0059] Weitere Ausgestaltungen, Vorteile und Anwendungen der Erfindung ergeben sich aus
den abhängigen Ansprüchen und aus der nun folgenden Beschreibung anhand von Fig. 1.
Diese zeigt einen Schnitt durch einen Teil einer erfindungsgemässen Anlage.
WEGE ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
[0060] Fig. 1 zeigt einen Teil einer erfindungsgemässen Anlage zur Fragmentierung von polykristallinen
Siliziumstangen 1 nach dem Verfahren gemäss dem ersten Aspekt der Erfindung im Schnitt
quer zur Längsrichtung einer darin angeordneten, zu fragmentierenden Siliziumstange
1.
[0061] Wie zu erkennen ist, weist die Anlage ein sich in Längsrichtung der Siliziumstange
1 erstreckendes Becken 9 auf, welches einen anspruchsgemässen Prozessraum 8 bildet,
der mit einem Prozessfluid 2, im vorliegenden Fall Wasser 2, befüllt ist.
[0062] Angeordnet im Prozessraum 8 in einem wannenartigen Behältnis 7, dessen Innenwandungen
von einer Polyurethanmatte 10 gebildet sind, die sich nach unten auf einer Unterlage
11 aus PE abstützt, ist die zu fragmentierende Siliziumstange 1. Sie weist dabei eine
horizontale Lage auf und ist vollständig von Prozessfluid 2 umgeben. Das wannenartige
Behältnis 7 ist derartig ausgebildet und im Prozessraum 8 gelagert, dass es nach dem
vollständigen Fragmentieren der Siliziumstange 1 zusammen mit den daraus hervorgegangenen
Fragmenten der Sliziumstange 1, welche dann als lose Materialschüttung darin angeordnet
sind, aus dem Prozessraum 8 entnommen werden kann.
[0063] Weiter umfasst die Anlage eine Elektrodenanordnung 4 mit zwei Elektroden 5, 6, welche
im Wesentlichen zentriert bezüglich der Längsachse der Siliziumstange 1 oberhalb derselben
angeordnet sind. Die beiden Elektroden 5, 6 sind in das Prozessfluid 2 eingetaucht
und die linke Elektrode 5 wird im Fragmentierungsbetrieb von einem ebenfalls zur Anlage
gehörenden Hochspannungspulsgenerator (nicht gezeigt) mit Hochspannungspulsen beaufschlagt.
während die rechte Elektrode 6 geerdet ist. Die beiden Elektroden 5, 6 weisen zueinander
einen deutlich grösseren Abstand auf als jeweils gegenüber der Siliziumstange 1. Diese
Abstände sind derartig gewählt, dass bei Beaufschlagung der linken Elektrode 5 durch
den Hochspannungspulsgenerator mit Hochspannungspulsen im Bereich dieser Elektroden
5, 6 Hochspannungsdurchschläge durch die Siliziumstange 1 und/oder entlang der Oberfläche
der Siliziumstange 1 erzeugt werden, welche zur Fragmentierung der Siliziumstange
1 führen. Im vorliegenden Fall beträgt der Durchmesser der Siliziumstange 1 etwa 120
mm, ihre Länge beträgt etwa 2 m. Die Abstände der Elektroden 5, 6 zur Oberfläche der
Siliziumstange 1 betragen etwa 8 mm. Der Abstand der Elektroden 5, 6 zueinander beträgt
etwa 60 mm. Die mit dem Hochspannungspulsgenerator erzeugbaren Hochspannungspulse
weisen eine Spannung von etwa 200 KV auf und werden mit einer Pulsfrequenz von 5 Hz
erzeugt. Die Leistung pro Puls beträgt etwa 700 Joule.
[0064] Dabei ist die Elektrodenanordnung 4 beim Erzeugen der Hochspannungsdurchschläge zusammen
mit dem Hochspannungspulsgenerator auf einem (nicht gezeigten) Schiebeschlitten in
Längsrichtung der Siliziumstange 1 entlang derselben verfahrbar, so dass sich der
Ort der Hochspannungsdurchschläge durch die Siliziumstange 1 bzw. entlang der Oberfläche
der Siliziumstange 1 in Längsrichtung derselben fortschreitend verändert, ohne dass
dabei die Abstände der Elektroden 5, 6 zur Siliziumstange 1 wesentlich verändert werden.
Im bestimmungsgemässen Betrieb wird die Elektrodenanordnung 4 mit einer Geschwindigkeit
im Bereich zwischen 6 mm und 10 mm pro Sekunde entlang der Siliziumstange 1 verfahren.
[0065] Die Anlage umfasst zudem eine Anlagensteuerung, mittels welcher während dem Fragmentierungsbetrieb
der Abstand zwischen den Elektroden 5, 6 und der Siliziumstange 1 und die Verfahrgeschwindigkeit
der Elektrodenanordnung 4 eingestellt werden kann.
[0066] Während in der vorliegenden Anmeldung bevorzugte Ausführungen der Erfindung beschrieben
sind, ist klar darauf hinzuweisen, dass die Erfindung nicht auf diese beschränkt ist
und auch in anderer Weise innerhalb des Umfangs der nun folgenden Ansprüche ausgeführt
werden kann.
1. Verfahren zum Fragmentieren eines stangenartigen Materials (1), insbesondere aus einem
Halbleitermaterial, insbesondere aus polykristallinem Silizium, umfassend die Schritte:
a) Bereitstellen eines von einem Prozessfluid (2), insbesondere von Wasser (2), umgebenen
Abschnitts (3) des stangenartigen Materials (1);
b) Anordnen einer Elektrodenanordnung (4) umfassend mindestens zwei Elektroden (5,
6) im Bereich dieses Abschnitts (3) derart, dass die mindestens zwei Elektroden (5,
6) in das Prozessfluid (2) eingetaucht sind und dabei einen Abstand zueinander und
jeweils einen Abstand zu dem stangenartigen Material (1) aufweisen; und
c) Erzeugen von Hochspannungsdurchschlägen durch das stangenartige Material (1) und/oder
entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials (1) im Bereich der beiden Elektroden
(5, 6) durch Beaufschlagen der Elektrodenanordnung (4) mit Hochspannungspulsen,
wobei während dem Erzeugen der Hochspannungsdurchschläge eine Relativbewegung in Längsrichtung
des stangenartigen Materials (1) zwischen der Elektrodenanordnung (4) und dem stangenartigen
Material (1) erzeugt wird, so dass sich der Ort der Hochspannungsdurchschläge durch
das stangenartige Material (1) und/oder entlang der Oberfläche des stangenartigen
Materials (1) in Längsrichtung des stangenartigen Materials (1) fortschreitend verändert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das stangenartige Material (1) vollständig in das
Prozessfluid (2) eingetaucht bereitgestellt wird, und insbesondere, wobei das stangenartige
Material (1) dabei eine horizontale Lage aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das stangenartige Material (1), insbesondere in horizontaler
Lage, aufgenommen in einem nach oben offenen wannen- oder schalenartigen Behältnis
(7) bereitgestellt wird und wobei die aus der Fragmentierung hervorgehenden Fragmente
des stangenartigen Materials (1) nach der Fragmentierung des stangenartigen Materials
(1) mit diesem wannen- oder schalenartigen Behältnis (7) vom Ort der Fragmentierung
an einen anderen Ort transportiert werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das stangenartige Material mit einem Ende eingetaucht
in das Prozessfluid bereitgestellt wird, und insbesondere, wobei das stangenartige
Material dabei eine schräge Lage aufweist und das untere Ende des stangenartigen Materials
in das Prozessfluid eingetaucht ist.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei zur Erzeugung der Relativbewegung
zwischen der Elektrodenanordnung und dem stangenartigen Material das stangenartige
Material in seiner Längsrichtung verschoben wird.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei zur Erzeugung der Relativbewegung
zwischen der Elektrodenanordnung (4) und dem stangenartigen Material (1) die Elektrodenanordnung
(4) in Längsrichtung des stangenartigen Materials (1) verschoben wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Elektrodenanordnung (4) zusammen mit einem die
Hochspannungspulse erzeugenden Hochspannungsgenerator in Längsrichtung des stangenartigen
Materials (1) verschoben wird.
8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das stangenartige Material
(1) in einer schrägen oder horizontalen Lage bereitgestellt wird und die mindestens
zwei Elektroden (5, 6) der Elektrodenanordnung (4) oberhalb des stangenartigen Materials
(1) angeordnet werden, insbesondere im Wesentlichen zentriert bezüglich der Längsachse
des stangenartigen Materials (1).
9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die mindestens zwei Elektroden
(5, 6) der Elektrodenanordnung (4) derartig angeordnet werden, dass der Abstand der
Elektroden (5, 6) zu der Oberfläche des stangenartigen Materials (1) jeweils im Bereich
von 2 mm bis 40 mm liegt und der Abstand zwischen den Elektroden (5, 6) im Bereich
zwischen 40 mm und 100 mm liegt.
10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Elektrodenanordnung (4)
zur Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige Material (1) und/oder
entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials (1) mit Hochspannungspulsen im
Bereich zwischen 100 KV und 300 KV, insbesondere im Bereich zwischen 150 KV und 200
KV beaufschlagt wird.
11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Elektrodenanordnung (4)
zur Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige Material (1) und/oder
entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials (1) mit Hochspannungspulsen mit
einer Leistung pro Puls zwischen 300 Joule und 1000 Joule, insbesondere zwischen 500
Joule und 750 Joule beaufschlagt wird.
12. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Elektrodenanordnung (4)
zur Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige Material (1) und/oder
entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials (1) mit Hochspannungspuls-Frequenzen
im Bereich zwischen 0.5 Hz und 40 Hz, insbesondere im Bereich zwischen 1 Hz und 5
Hz beaufschlagt wird.
13. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüchen, wobei die Relativbewegung zwischen
der Elektrodenanordnung (4) und dem stangenartigen Material (1) und/oder die Beaufschlagung
der Elektrodenanordnung (4) mit Hochspannungspulsen derartig erfolgen, dass die Elektrodenanordnung
(4) pro Millimeter Relativbewegung mit 0.5 bis 1.0 Pulsen, insbesondere mit 0.1 bis
2.0 Pulsen beaufschlagt wird.
14. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Bereich zwischen den Elektroden
(5, 6) der Elektrodenanordnung (4) und dem stangenartigen Material (1) mit Prozessflüssigkeit
(2) gespült wird.
15. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei eine erste (5) der mindestens
zwei Elektroden (5, 6) der Elektrodenanordnung (4) zur Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge
durch das stangenartige Material (1) und/oder entlang der Oberfläche des stangenartigen
Materials (1) mit den Hochspannungspulsen beaufschlagt wird während eine zweite (6)
dieser Elektroden (5, 6) auf einem festen Potential liegt, insbesondere geerdet ist.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die mindestens zwei Elektroden
der Elektrodenanordnung zur Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige
Material und/oder entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials gleichzeitig
mit Pulsen mit unterschiedlichem Potential ungleich dem Erdpotential beaufschlagt
werden.
17. Anlage zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorangehenden Ansprüche, umfassend:
a) einen mit einem Prozessfluid (2), insbesondere mit Wasser (2), befüllbaren Prozessraum
(8) zur Aufnahme des stangenartigen Materials (1) oder eines Abschnitts (3) des stangenartigen
Materials (1) derartig, dass das stangenartige Material (1) oder der Abschnitt (3)
des stangenartigen Materials (1) bei mit Prozessfluid (2) befülltem Prozessraum (8)
von Prozessfluid (2) umgeben ist;
b) eine Elektrodenanordnung (4) umfassend mindestens zwei Elektroden (5, 6), welche
bei mit Prozessfluid (2) befülltem und bestimmungsgemäss das stangenartige Material
(1) oder den Abschnitt (3) des stangenartigen Materials (1) aufnehmendem Prozessraum
(8) bestimmungsgemäss derartig im Bereich des stangenartigen Materials (1) oder dieses
Abschnitts (3) des stangenartigen Materials (1) angeordnet werden können, dass die
mindestens zwei Elektroden (5, 6) in das Prozessfluid (2) eingetaucht sind und dabei
einen Abstand zueinander und jeweils einen Abstand zu dem stangenartigen Material
(1) aufweisen, welche Abstände es ermöglichen, im bestimmungsgemässen Betrieb durch
Beaufschlagung der Elektrodenanordnung (4) mit Hochspannungspulsen im Bereich dieser
Elektroden (5, 6) Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige Material (1) und/-
oder entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials (1) zu erzeugen;
c) Mittel zum Beaufschlagen der Elektrodenanordnung (4) mit Hochspannungspulsen zwecks
Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige Material (1) und/oder
entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials (1); und
d) Mittel zur Erzeugung einer Relativbewegung in Längsrichtung des stangenartigen
Materials (1) zwischen der Elektrodenanordnung (4) und dem stangenartigen Material
(4) während dem Erzeugen der Hochspannungsdurchschläge im bestimmungsgemässen Betrieb,
derart, dass der Ort der Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige Material
(1) und/- oder entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials (1) in Längsrichtung
dieses Materials (1) fortschreitend verändert wird, wobei das stangenartige Material
(1) an diesem Ort jeweils von Prozessfluid (2) umgeben ist und die Elektroden (5,
6) an diesem Ort jeweils in das Prozessfluid (2) eingetaucht sind.
18. Anlage nach Anspruch 17, wobei die Anlage eine Vorrichtung (7) zur Aufnahme des stangenartigen
Materials (1) aufweist, insbesondere ein nach oben offenes wannen- oder schalenartigen
Behältnis (7) zu Aufnahme des stangenartigen Material (1), mit welchem das stangenartige
Material (1) im bestimmungsgemässen Betrieb im Prozessraum (8) vollständig von Prozessflüssigkeit
(2) umgeben gehalten werden kann, insbesondere derart, dass das stangenartige Material
(1) dabei eine horizontale Lage aufweist.
19. Anlage nach Anspruch 18, wobei das wannen- oder schalenartigen Behältnis (7) nach
dem bestimmungsgemässen Fragmentierungsbetrieb zusammen mit den aus der Fragmentierung
hervorgegangenen Fragmenten des stangenartigen Materials (1) aus der Anlage entnommen
werden kann.
20. Anlage nach Anspruch 17, wobei die Anlage eine Vorrichtung zur Aufnahme des stangenartigen
Materials aufweist, mit welcher das stangenartige derartig gehalten werden kann, dass
es im Prozessraum mit einem Ende in das Prozessfluid eingetaucht ist, insbesondere
derart, dass es dabei eine schräge Lage aufweist und sein unteres Ende in das Prozessfluid
im Prozessraum eingetaucht ist.
21. Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 20, wobei die Mittel zur Erzeugung einer Relativbewegung
zwischen der Elektrodenanordnung und dem stangenartigen Material ausgebildet sind
zur Verschiebung des stangenartigen Materials entlang dessen Längsachse.
22. Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 21, wobei die Mittel zur Erzeugung einer Relativbewegung
zwischen der Elektrodenanordnung (4) und dem stangenartigen Material (1) ausgebildet
sind zur Verschiebung der Elektrodenanordnung (4) entlang der Längsachse der des stangenartigen
Materials (1).
23. Anlage nach Anspruch 22, wobei die Mittel zum Beaufschlagen der Elektrodenanordnung
(4) mit Hochspannungspulsen einen Hochspannungspulsgenerator umfassen und die Mittel
zur Erzeugung einer Relativbewegung zwischen der Elektrodenanordnung (4) und dem stangenartigen
Material (1) ausgebildet sind zur Verschiebung der Elektrodenanordnung (4) zusammen
mit dem Hochspannungspulsgenerator entlang der Längsachse des stangenartigen Materials
(1).
24. Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 23, wobei die mindestens zwei Elektroden (5,
6) der Elektrodenanordnung (4) bestimmungsgemäss oberhalb des stangenartigen Materials
(1) angeordnet werden können, insbesondere im Wesentlichen zentriert bezüglich der
Längsachse des stangenartigen Materials (1).
25. Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 24, wobei die mindestens zwei Elektroden (5,
6) der Elektrodenanordnung (4) bestimmungsgemäss derartig angeordnet werden können,
dass der Abstand der Elektroden (5, 6) zu der Oberfläche der des stangenartigen Materials
(1) jeweils im Bereich von 2 mm bis 40 mm liegt und der Abstand zwischen den Elektroden
(5, 6) im Bereich zwischen 40 mm und 100 mm.
26. Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 25, wobei die Anlage Mittel zur insbesondere
automatisierte Einstellung des Abstands der Elektroden (5, 6) zu dem stangenartigen
Material (1) umfasst, insbesondere zur Einstellung während dem bestimmungsgemässen
Betrieb der Anlage.
27. Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 26, wobei die Mittel zum Beaufschlagen der
Elektrodenanordnung (4) mit Hochspannungspulsen ausgebildet sind zur Beaufschlagung
der Elektrodenanordnung (4) mit Hochspannungspulsen im Bereich zwischen 100 KV und
300 KV, insbesondere zwischen 150 KV und 200 KV.
28. Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 27, wobei die Mittel zum Beaufschlagen der
Elektrodenanordnung (4) mit Hochspannungspulsen ausgebildet sind zur Beaufschlagung
der Elektrodenanordnung (4) mit Hochspannungspulsen mit einer Leistung pro Puls im
Bereich zwischen 300 Joule und 1000 Joule, insbesondere zwischen 500 Joule und 750
Joule.
29. Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 28, wobei die Mittel zum Beaufschlagen der
Elektrodenanordnung (4) mit Hochspannungspulsen ausgebildet sind zur Beaufschlagung
der Elektrodenanordnung (4) mit Hochspannungspulsen mit eine Pulsfrequenz im Bereich
zwischen 0.5 Hz und 40 Hz, insbesondere zwischen 1 Hz und 5 Hz.
30. Anlage nach einem der Ansprüche 15 bis 27, wobei die Mittel zur Erzeugung einer Relativbewegung
in Längsrichtung des stangenartigen Materials (1) zwischen der Elektrodenanordnung
(4) und dem stangenartigen Material (1) und/oder die Mittel zur Beaufschlagung der
Elektrodenanordnung (4) mit Hochspannungspulsen derartig ausgebildet sind, dass im
bestimmungsgemässen Betrieb die Elektrodenanordnung (4) pro Millimeter Relativbewegung
mit 0.5 bis 1.0 Pulsen, insbesondere mit 0.1 bis 2.0 Pulsen beaufschlagt werden kann.
31. Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 30, wobei Mittel vorhanden sind zum Spülen
des Bereichs zwischen den Elektroden (5, 6) der Elektrodenanordnung (4) und dem stangenartigen
Material (1) mit Prozessflüssigkeit (2) im bestimmungsgemässen Betrieb.
32. Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 31, wobei eine erste (5) der mindestens zwei
Elektroden (5, 6) der Elektrodenanordnung (4) mit den Hochspannungspulsen beaufschlagbar
ist, während eine andere (6) der mindestens zwei Elektroden (5, 6) auf einem festen
Potential liegt, insbesondere geerdet ist.
33. Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 31, wobei die mindestens zwei Elektroden der
Elektrodenanordnung zur Erzeugung der Hochspannungsdurchschläge durch das stangenartige
Material und/oder entlang der Oberfläche des stangenartigen Materials gleichzeitig
mit Pulsen mit unterschiedlichem Potential ungleich dem Erdpotential beaufschlagt
werden können.
34. Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 33, des Weiteren umfassend eine Anlagensteuerung,
mittels welcher, insbesondere während dem bestimmungsgemässen Betrieb, die Energie
der Hochspannungspulse, die Frequenz der Hochspannungspulse, die Relativgeschwindigkeit
zwischen der Elektrodenanordnung (4) und dem stangenartigen Material (1), der Abstand
zwischen den Elektroden (5, 6) und dem stangenartigen Material (1) und/oder bestimmte
Anlagenparameter, insbesondere automatisiert, eingestellt und/oder geregelt werden
können, insbesondere in Abhängigkeit von im bestimmungsgemässen Betrieb ermittelten
Anlagen- und/oder Prozessparametern.
35. Verwendung der Anlage nach einem der Ansprüche 17 bis 34 zur Fragmentierung von Stangen
(1) aus Halbleitermaterial, insbesondere aus polykristallinem Silizium.
1. Method for fragmenting a rod-like material (1), in particular made of a semiconductor
material, in particular made of polycrystalline silicon, comprising the steps:
a) providing a section (3) of the rod-like material (1) surrounded by a process fluid
(2), in particular by water (2);
b) arranging an electrode arrangement (4) comprising at least two electrodes (5, 6)
in the region of this section (3) such that the at least two electrodes (5, 6) are
immersed in the process fluid (2) and are at a distance from one another and are each
at a distance from the rod-like material (1); and
c) generating high voltage breakdowns through the rod-like material (1) and/or along
the surface of the rod-like material (1) in the region of both electrodes (5, 6) by
applying high voltage pulses to the electrode arrangement (4),
wherein, during the generation of the high-voltage breakdowns, a relative movement
in the longitudinal direction of the rod-like material (1) is generated between the
electrode arrangement (4) and the rod-like material (1) such that the location of
the high voltage breakdowns through the rod-like material (1) and/or along the surface
of the rod-like material (1) progressively changes in longitudinal direction of the
rod-like material (1).
2. Method according to claim 1, wherein the rod-like material (1) is provided completely
immersed in the process fluid (2), and in particular, wherein the rod-like material
(1) thereby has a horizontal position.
3. Method according to claim 2, wherein the rod-like material (1), in particular in horizontal
position, is provided received in a container (7) which is open to the top and which
is tub-like or shell-like, and wherein the fragments of the rod-like material (1)
emerging from the fragmentation after the fragmentation of the rod-like material (1)
are transported with this tub-like or shell-like container (7) from the location of
the fragmentation to another location.
4. Method according to claim 1, wherein the rod-like material is provided immersed with
one end in the process fluid, and in particular, wherein the rod-like material thereby
has an inclined position and the lower end of the rod-like material is immersed in
the process fluid.
5. Method according to one of the preceding claims, wherein the rod-like material is
moved in its longitudinal direction for generating the relative movement between the
electrode arrangement and the rod-like material.
6. Method according to one of the preceding claims, wherein the electrode arrangement
(4) is moved in longitudinal direction of the rod-like material (1) for generating
the relative movement between the electrode arrangement (4) and the rod-like material
(1).
7. Method according to claim 6, wherein the electrode arrangement (4) together with a
high voltage generator generating the high voltage pulses is moved in longitudinal
direction of the rod-like material (1).
8. Method according to one of the preceding claims, wherein the rod-like material (1)
is provided in an inclined or horizontal position and the at least two electrodes
(5, 6) of the electrode arrangement (4) are arranged above the rod-like material (1),
in particular essentially centred with respect to the longitudinal axis of the rod-like
material (1).
9. Method according to one of the preceding claims, wherein the at least two electrodes
(5, 6) of the electrode arrangement (4) are arranged such that the distance of the
electrodes (5, 6) to the surface of the rod-like material (1) lies each in the range
between 2 mm and 40 mm and the distance between the electrodes (5, 6) lies in the
range between 40 mm and 100 mm.
10. Method according to one of the preceding claims, wherein high voltage pulses are applied
to the electrode arrangement (4) in the range between 100 KV and 300 KV, in particular
in the range between 150 KV and 200 KV, for generating the high voltage breakdowns
through the rod-like material (1) and/or along the surface of the rod-like material
(1).
11. Method according to one of the preceding claims, wherein high voltage pulses are applied
to the electrode arrangement (4) with a power per pulse between 300 Joule and 1000
Joule, in particular between 500 Joule and 750 Joule, for generating the high voltage
breakdowns through the rod-like material (1) and/or along the surface of the rod-like
material (1).
12. Method according to one of the preceding claims, wherein high voltage pulse frequencies
in the range between 0.5 Hz and 40 Hz, in particular in the range between 1 Hz and
5 Hz, are applied to the electrode arrangement (4) for generating the high voltage
breakdowns through the rod-like material (1) and/or along the surface of the rod-like
material (1).
13. Method according to one of the preceding claims, wherein the relative movement between
the electrode arrangement (4) and the rod-like material (1) and/or the application
of high voltage pulses to the electrode arrangement (4) take place such that 0.5 to
1.0 pulses, in particular 0.1 to 2.0 pulses, per millimetre relative movement are
applied to the electrode arrangement (4).
14. Method according to one of the preceding claims, wherein the region between the electrodes
(5, 6) of the electrode arrangement (4) and the rod-like material (1) is flushed with
process liquid (2).
15. Method according to one of the preceding claims, wherein the high voltage pulses are
applied to the first (5) of the at least two electrodes (5, 6) of the electrode arrangement
(4) for generating the high voltage breakdowns through the rod-like material (1) and/or
along the surface of the rod-like material (1) while a second (6) of these electrodes
(5, 6) lies on a fixed potential, in particular is grounded.
16. Method according to one of the claims 1 to 14, wherein pulses with different potentials
unequal to ground potential are simultaneously applied to the at least two electrodes
of the electrode arrangement for generating the high voltage breakdowns through the
rod-like material and/or along the surface of the rod-like material.
17. Equipment for performing the method according to one of the preceding claims, comprising:
a) a process room (8) fillable with a process fluid (2), in particular with water
(2), for receiving the rod-like material (1) or a section (3) of the rod-like material
(1) such that the rod-like material (1) or the section (3) of the rod-like material
(1) is surrounded by process fluid (2) when the process room (8) is filled with process
fluid (2);
b) an electrode arrangement (4) comprising at least two electrodes (5, 6) which, when
the process room (8) is filled with process fluid (2) and as intended is receiving
the rod-like material (1) or the section (3) of the rod-like material (1), can be
arranged as intended such in the region of the rod-like material (1) or of this section
(3) of the rod-like material (1) that the at least two electrodes (5, 6) are immersed
in the process fluid (2) and thereby are at a distance from one another and each are
at a distance from the rod-like material (1), which distances allow to generate, during
the intended operation, high voltage breakdowns through the rod-like material (1)
and/or along the surface of the rod-like material (1) in the region of these electrodes
(5, 6) by applying the high voltage pulses to the electrode arrangement (4);
c) means for applying high voltage pulses to the electrode arrangement (4) for generating
the high voltage breakdowns through the rod-like material (1) and/or along the surface
of the rod-like material (1); and
d) means for generating a relative movement in longitudinal direction of the rod-like
material (1) between the electrode arrangement (4) and the rod-like material (4) during
the generation of the high voltage breakdowns during the intended operation such that
the location of the high voltage breakdowns through the rod-like material (1) and/or
along the surface of the rod-like material (1) is progressively changed in longitudinal
direction of this material (1), wherein the rod-like material (1) at this location
in each case is surrounded by process fluid (2) and the electrodes (5, 6) in each
case are immersed in the process fluid (2) at this location.
18. Equipment according to claim 17, wherein the equipment has an arrangement (7) for
receiving the rod-like material (1), in particular a container (7) for receiving the
rod-like material (1) which is open to the top and which is tub-like or shell-like,
by means of which the rod-like material (1) is held completely surrounded by process
liquid (2) in the process room (8) during the intended operation, in particular such
that the rod-like material (1) thereby has a horizontal position.
19. Equipment according to claim 18, wherein the tub-like or shell-like container (7)
after the intended fragmentation operation can be taken from the equipment together
with the fragments of the rod-like material (1) which have emerged from the fragmentation.
20. Equipment according to claim 17, wherein the equipment has an arrangement for receiving
the rod-like material, by means of which the rod-like can be held such that it is
immersed with one end in the process fluid in the process room, in particular such
that thereby it has a inclined position and its lower end is immersed in the process
fluid in the process room.
21. Equipment according to one of the claims 17 to 20, wherein the means for generating
a relative movement between the electrode arrangement and the rod-like material are
designed for moving the rod-like material along its longitudinal axis.
22. Equipment according to one of the claims 17 to 21, wherein the means for generating
a relative movement between the electrode arrangement (4) and the rod-like material
(1) are designed for moving the electrode arrangement (4) along the longitudinal axis
of the rod-like material (1).
23. Equipment according to claim 22, wherein the means for applying high voltage pulses
to the electrode arrangement (4) comprise a high voltage pulse generator and the means
for generating a relative movement between the electrode arrangement (4) and the rod-like
material (1) are designed for moving the electrode arrangement (4) together with the
high voltage pulse generator along the longitudinal axis of the rod-like material
(1) .
24. Equipment according to one of the claims 17 to 23, wherein the at least two electrodes
(5, 6) of the electrode arrangement (4) can be arranged as intended above the rod-like
material (1), in particular essentially centred with respect to the longitudinal axis
of the rod-like material (1).
25. Equipment according to one of the claims 17 to 24, wherein the at least two electrodes
(5, 6) of the electrode arrangement (4) can be arranged as intended such that the
distance of the electrodes (5, 6) to the surface of the rod-like material (1) in each
case lies in the range of 2 mm to 40 mm and the distance between the electrodes (5,
6) lies in the range between 40 mm and 100 mm.
26. Equipment according to one of the claims 17 to 25, wherein the equipment comprises
means for particularly automatically adjusting the distance of the electrodes (5,
6) to the rod-like material (1), in particular for adjusting during the intended operation
of the equipment.
27. Equipment according to one of the claims 17 to 26, wherein the means for applying
the high voltage pulses to the electrode arrangement (4) are designed for applying
high voltage pulses to the electrode arrangement (4) in the range between 100 KV and
300 KV, in particular between 150 KV and 200 KV.
28. Equipment according to one of the claims 17 to 27, wherein the means for applying
high voltage pulses to the electrode arrangement (4) are designed for applying high
voltage pulses to the electrode arrangement (4) with a power per pulse in the range
between 300 Joule and 1000 Joule, in particular between 500 Joule and 750 Joule.
29. Equipment according to one of the claims 17 to 28, wherein the means for applying
high voltage pulses to the electrode arrangement (4) are designed to apply high voltage
pulses to the electrode arrangement (4) with a pulse frequency in the range between
0.5 Hz and 40 Hz, in particular between 1 Hz and 5 Hz.
30. Equipment according to one of the claims 15 to 27, wherein the means for generating
a relative movement in the longitudinal direction of the rod-like material (1) between
the electrode arrangement (4) and the rod-like material (1) and/or the means for applying
high voltage pulses to the electrode arrangement (4) are designed such that 0.5 to
1.0 pulses, in particular 0.1 to 2.0 pulses, can be applied to the electrode arrangement
(4) per millimetre relative movement during the intended operation.
31. Equipment according to one of the claims 17 to 30, wherein means are provided for
flushing the region between the electrodes (5, 6) of the electrode arrangement (4)
and the rod-like material (1) with process liquid (2) during the intended operation.
32. Equipment according to one of the claims 17 to 31, wherein the high voltage pulses
can be applied to a first (5) of the at least two electrodes (5, 6) of the electrode
arrangement (4) while another (6) of the at least two electrodes (5, 6) lies on a
fixed potential, in particular is grounded.
33. Equipment according to one of the claims 17 to 31, wherein pulses with different potential
unequal to the ground potential are simultaneously applied to the at least two electrodes
of the electrode arrangement for generating the high voltage breakdowns through the
rod-like material and/or along the surface of the rod-like material.
34. Equipment according to one of the claims 17 to 33, further comprising an equipment
controller, by means of which, in particular during the intended operation, the energy
of the high voltage pulses, the frequency of the high voltage pulses, the relative
speed between the electrode arrangement (4) and the rod-like material (1), the distance
between the electrodes (5, 6) and the rod-like material (1) and/or certain parameters
of the equipment can be adjusted and/or controlled, in particular in an automated
way, in particular in dependence on equipment and/or process parameters determined
during the intended operation.
35. Use of the equipment according to one of the claims 17 and 34 for fragmenting rods
(1) made of semiconductor material, in particular made of polycrystalline silicon.
1. Procédé de fragmentation d'un matériau en forme de barre (1), particulièrement constitué
d'un matériau semi-conducteur, particulièrement constitué d'un silicium polycristallin,
comprenant les étapes:
a) de fournir une section (3) du matériau en forme de barre (1) entourée par un fluide
de processus (2), particulièrement de l'eau (2);
b) d'arranger un agencement d'électrodes (4) comprenant au moins deux électrodes (5,
6) dans la région de cette section (3) de sorte que les au moins deux électrodes (5,
6) sont immergés dans le fluide de processus (2) et que chacun est à une distance
du matériau en forme de barre (1); et
c) de générer des décharges de haute tension à travers le matériau en forme de barre
(1) et/ou le long de la surface du matériau en forme de barre (1) dans la région des
deux électrodes (5, 6) en appliquant des pulses de haute tension à l'agencement d'électrodes
(4),
pendant la génération des décharges de haute tension un mouvement relatif dans la
direction longitudinale du matériau en forme de barre (1) étant généré entre l'agencement
d'électrodes et le matériau en forme de barre (1) de sorte que la position des décharges
de haute tension à travers le matériau en forme de barre (1) et/ou le long de la surface
du matériau en forme de barre (1) change progressivement dans la direction longitudinale
du matériau en forme de barre (1).
2. Procédé selon la revendication 1, le matériau en forme de barre (1) étant fourni de
manière complètement immergée dans le fluide de processus (2), et particulièrement
le matériau en forme de barre (1) ayant par cela une position horizontale.
3. Procédé selon la revendication 2, le matériau en forme de barre (1), particulièrement
dans la position horizontale, étant prévu dans un récipient (7) qui est ouvert vers
le haut et qui a une forme de tube ou d'enveloppe, et les fragments du matériau en
forme de barre (1) qui sortent de la fragmentation après la fragmentation du matériau
en forme de barre (1) étant transportés avec ce récipient en forme de tube ou d'enveloppe
(7) à partir de la position de la fragmentation jusqu'à une autre position.
4. Procédé selon la revendication 1, le matériau en forme de barre étant fourni de manière
immergée avec une extrémité dans le fluide de processus, et particulièrement le matériau
en forme de barre ayant par cela une position inclinée et l'extrémité inférieure du
matériau en forme de barre étant immergée dans le fluide de processus.
5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, le matériau en forme de barre
étant déplacé dans sa direction longitudinale afin de générer le mouvement relatif
entre l'agencement d'électrodes et le matériau en forme de barre.
6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, l'agencement d'électrodes (4)
étant déplacé dans la direction longitudinale du matériau en forme de barre (1) afin
de générer le mouvement relatif entre l'agencement d'électrodes (4) et le matériau
en forme de barre (1).
7. Procédé selon la revendication 6, l'agencement d'électrodes (4) ensemble avec un générateur
de haute tension qui génère les pulses de haute tension étant déplacé dans la direction
longitudinale du matériau en forme de barre (1).
8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, le matériau en forme de barre
(1) étant fourni dans une position inclinée ou horizontale et les au moins deux électrodes
(5, 6) de l'agencement d'électrodes (4) étant arrangés au-dessus du matériau en forme
de barre (1), particulièrement essentiellement de manière centrée par rapport à l'axe
longitudinal du matériau en forme de barre (1).
9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, les au moins deux électrodes (5,
6) de l'agencement d'électrodes (4) étant arrangés de sorte que la distance entre
les électrodes (5, 6) et la surface du matériau en forme de barre (1) est comprise
chacune dans la gamme entre 2 mm et 40 mm et la distance entre les électrodes (5,
6) est comprise dans la gamme entre 40 mm et 100 mm.
10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, des pulses de haute tension étant
appliqués à l'agencement d'électrodes (4) dans la gamme entre 100 KV et 300 KV, particulièrement
dans la gamme entre 150 KV et 200 KV, afin de générer les décharges de haute tension
à travers le matériau en forme de barre (1) et/ou le long de la surface du matériau
en forme de barre (1).
11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, les pulses des haute tension étant
appliqués à l'agencement d'électrodes (4) avec une puissance par pulse comprise entre
300 Joules et 1000 Joules, particulièrement entre 500 Joules et 750 Joules, afin de
générer les décharges de haute tension à travers le matériau en forme de barre (1)
et/ou le long de la surface du matériau en forme de barre (1).
12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, les fréquences des pulses de haute
tension dans la gamme entre 0.5 Hz et 40 Hz, particulièrement dans la gamme entre
1 Hz et 5 Hz, étant appliquées à l'agencement d'électrodes (4) afin de générer les
décharges de haute tension à travers le matériau en forme de barre (1) et/ou le long
de la surface du matériau en forme de barre (1).
13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, le mouvement relatif entre l'agencement
d'électrodes (4) et le matériau en forme de barre (1) et/ou l'application des pulses
de haute tension à l'agencement d'électrodes (4) se déroulant de sorte que 0.5 à 1.0
puises, particulièrement 0.1 à 2.0 puises, par millimètre de mouvement relatif sont
appliqués à l'agencement d'électrodes (4).
14. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la région entre les électrodes
(5, 6) de l'agencement d'électrodes (4) et le matériau en forme de barre (1) étant
rincée avec du liquide de processus (2).
15. Procédé selon l'une des revendications précédentes, les pulses de haute tension étant
appliqués au premier (5) des au moins deux électrodes (5, 6) de l'agencement d'électrodes
(4), afin de générer les décharges de haute tension à travers le matériau en forme
de barre (1) et/ou le long de la surface du matériau en forme de barre (1), pendant
qu'une deuxième (6) de ces électrodes (5, 6) étant à un potentiel fixé, particulièrement
à terre.
16. Procédé selon l'une des revendications 1 à 14, des pulses avec des potentiels différents
qui ne sont pas égaux au potentiel de la terre étant simultanément appliqués aux au
moins deux électrodes de l'agencement d'électrodes afin de générer les décharges de
haute tension à travers le matériau en forme de barre et/ou le long de la surface
du matériau en forme de barre.
17. Equipement pour exécuter le procédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant:
a) une chambre de processus (8) qui peut être remplie d'un fluide de processus (2),
particulièrement de l'eau (2), pour recevoir le matériau en forme de barre (1) ou
une section du matériau en forme de barre (1) de sorte que le matériau en forme de
barre (1) ou la section (3) du matériau en forme de barre (1) est entourée par un
fluide de processus (2) quand la chambre de processus (8) est remplie de fluide (2);
b) un agencement d'électrodes (4) comprenant au moins deux électrodes (5, 6) qui peuvent
être arrangés comme prévu dans la région du matériau en forme de barre (1) ou de la
section (3) du matériau en forme de barre (1), quand la chambre de processus (8) est
remplie du fluide de processus (2) et comme prévu reçoit le matériau en forme de barre
(1) ou la section (3) du matériau en forme de barre, de sorte que les au moins deux
électrodes (5, 6) sont immergés dans le fluide de processus (2) et sont par conséquent
à une distance du matériau en forme de barre (1), la distance permettant de générer,
pendant l'opération comme prévu, des décharges de haute tension à travers le matériau
en forme de barre (1) et/ou le long de la surface du matériau en forme de barre (1)
dans la région de ces électrodes (5, 6) en appliquant les pulses de haute tension
à l'agencement d'électrodes (4);
c) des moyens pour appliquer des pulses de haute tension à l'agencement d'électrodes
(4) afin de générer des décharges de haute tension à travers le matériau en forme
de barre (1) et/ou le long de la surface du matériau en forme de barre (1); et
d) des moyens pour générer un mouvement relatif dans la direction longitudinale du
matériau en forme de barre (1) entre l'agencement d'électrodes et le matériau en forme
de barre (1), pendant la génération des décharges de haute tension en opération comme
prévu, de sorte que la position des décharges de haute tension à travers le matériau
en forme de barre (1) et/ou le long de la surface du matériau en forme de barre (1)
change progressivement en direction longitudinale du matériau en forme de barre (1),
le matériau en forme de barre (1) étant en tout cas entouré dans cette position par
du fluide de processus (2) et les électrodes (5, 6) étant en tout cas immergés dans
le fluide de processus (2) dans cette position.
18. Equipement selon la revendication 17, l'équipement ayant un arrangement (7) pour recevoir
le matériau en forme de barre (1), particulièrement un récipient (7) pour recevoir
le matériau en forme de barre (1) qui est ouvert vers le haut et qui a une forme de
tube ou d'enveloppe, à l'aide duquel le matériau en forme de barre (1) est complètement
entouré par du liquide de processus (2) dans la chambre de processus (8) pendant l'opération
comme prévu, particulièrement de sorte que le matériau en forme de barre (1) a par
cela une position horizontale.
19. Equipement selon la revendication 18, le récipient (7) pour recevoir le matériau en
forme de tube ou d'enveloppe pouvant être enlevé de l'équipement ensemble avec les
fragments du matériau en forme de barre (1) sorties de la fragmentation.
20. Equipement selon la revendication 17, l'équipement ayant un agencement pour recevoir
le matériau en forme de barre (1), à l'aide duquel le matériau en forme de barre (1)
peut être fourni de manière immergée avec une extrémité dans le fluide de processus
dans la chambre de processus, particulièrement de sorte qu'il a par cela une position
inclinée et son extrémité inférieure est immergée dans le fluide de processus dans
la chambre de processus.
21. Equipement selon l'une des revendications 17 à 20, les moyens pour générer un mouvement
relatif entre l'agencement d'électrodes le matériau en forme de barre étant conçus
pour déplacer le matériau en forme de barre dans sa direction longitudinale.
22. Equipement selon l'une des revendications 17 à 21, les moyens pour générer un mouvement
relatif entre l'agencement d'électrodes (4) et le matériau en forme de barre étant
conçus pour déplacer l'agencement d'électrodes (4) dans la direction longitudinale
du matériau en forme de barre (1).
23. Equipement selon la revendication 22, les moyens pour appliquer des pulses de haute
tension à l'agencement d'électrodes (4) comprenant un générateur de haute tension
et les moyens pour générer un mouvement relatif entre l'agencement d'électrodes le
matériau en forme de barre (1) étant conçus pour déplacer l'agencement d'électrodes
(4) ensemble avec le générateur de haute tension le long de l'axe longitudinal du
matériau en forme de barre (1).
24. Equipement selon l'une des revendications 17 à 23, les au moins deux électrodes (5,
6) de l'agencement d'électrodes (4) pouvant être arrangés comme prévu au-dessus du
matériau en forme de barre (1), particulièrement essentiellement de manière centrée
par rapport à l'axe longitudinal du matériau en forme de barre (1).
25. Equipement selon l'une des revendications 17 à 24, les au moins deux électrodes (5,
6) de l'agencement d'électrodes (4) pouvant être arrangés comme prévu de sorte que
la distance des électrodes (5, 6) à la surface du matériau en forme de barre (1) est
comprise chacune dans la gamme entre 2 mm et 40 mm et la distance entre les électrodes
(5, 6) est comprise dans la gamme entre 40 mm et 100 mm.
26. Equipement selon l'une des revendications 17 à 25, l'équipement comprenant des moyens
pour ajuster, particulièrement automatiquement, la distance entre les électrodes (5,
6) et le matériau en forme de barre (1), particulièrement pour l'ajuster pendant l'opération
comme prévu de l'équipement.
27. Equipement selon l'une des revendications 17 à 26, les moyens pour appliquer des pulses
de haute tension à l'agencement d'électrodes (4) étant conçus pour appliquer des décharges
de haute tension à l'agencement d'électrodes (4) dans la gamme entre 100 KV et 300
KV, particulièrement dans la gamme entre 150 KV et 200 KV.
28. Equipement selon l'une des revendications 17 à 27, les moyens pour appliquer des pulses
de haute tension à l'agencement d'électrodes (4) étant conçus pour appliquer des pulses
de haute tension à l'agencement d'électrodes (4) avec une puissance par pulse comprise
entre 300 Joules et 1000 Joules, particulièrement entre 500 Joules et 750 Joules.
29. Equipement selon l'une des revendications 17 à 28, les moyens pour appliquer des pulses
de haute tension à l'agencement d'électrodes (4) étant conçus pour appliquer des pulses
de haute tension à l'agencement d'électrodes (4) avec une fréquence comprise entre
0.5 Hz et 40 Hz, particulièrement dans la gamme entre 1 Hz et 5 Hz.
30. Equipement selon l'une des revendications 15 à 27, les moyens pour générer un mouvement
relatif dans la direction longitudinale du matériau en forme de barre (1) entre l'agencement
d'électrodes le matériau en forme de barre (1) et/ou les moyens pour appliquer des
pulses de haute tension à l'agencement d'électrodes (4) étant conçus de sorte que
0.5 à 1.0 puises, particulièrement 0.1 à 2.0 puises, peuvent être appliqués par millimètre
de mouvement relatif à l'agencement d'électrodes (4) en opération comme prévu.
31. Equipement selon l'une des revendications 17 à 30, des moyens étant prévus pour rincer
la région entre les électrodes (5, 6) de l'agencement d'électrodes (4) et le matériau
en forme de barre (1) avec du liquide de processus (2) en opération comme prévu.
32. Equipement selon l'une des revendications 17 à 31, les pulses de haute tension pouvant
être appliqués à une premier des au moins deux électrodes (5, 6) de l'agencement d'électrodes
(4), pendant qu'une deuxième (6) de ces électrodes (5, 6) peut être à un potentiel
fixé, particulièrement à terre.
33. Equipement selon l'une des revendications 17 à 31, des pulses avec des potentiels
différents qui ne sont pas égaux au potentiel de la terre étant simultanément appliqués
aux au moins deux électrodes de l'agencement d'électrodes afin de générer les décharges
de haute tension à travers le matériau en forme de barre et/ou le long de la surface
du matériau en forme de barre.
34. Equipement selon l'une des revendications 17 à 33, comprenant en outre une commande
d'équipement à l'aide de laquelle, particulièrement en opération comme prévu, l'énergie
des pulses de haute tension, la fréquence des pulses de haute tension, la vitesse
relative entre l'agencement d'électrodes (4) et le matériau en forme de barre (1),
la distance entre les électrodes (5, 6) et le matériau en forme de barre (1) et/ou
des certain paramètres de l'équipement pouvant être ajustés de manière automatique,
particulièrement dépendant de paramètres de l'équipement et/ou de processus déterminés
pendant l'opération.
35. Utilisation de l'équipement selon l'une des revendications 17 à 34 pour fragmenter
des barres (1) constituées d'un matériau semi-conducteur, particulièrement constituées
de silicium polycristallin.

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