ATBECHDEDKESFRGBGRITLILUNLSEMCPTIESILTLVFIROMKCYALTRBGCZEEHUPLSK..HRIS..MTNORS..SM..................*J0009290-CORR013178107CORRECTED EUROPEAN PATENT SPECIFICATIONB8B120250101W173deBibliographieenBibliographyfrBibliographieEP15738399.3201507222017030620190731enenen1417969020140804EP2025010120250120170614201724202411272024482024073020250101202501H01L 21/20 20060101AFI20230210BHEP H01L 21/02381 20130101 FI20220920BHEP H01L 21/02458 20130101 LI20141209BHEP H01L 21/02505 20130101 LI20141209BHEP H01L 21/0254 20130101 LI20141209BHEP H01L 21/0262 20130101 LI20160210BHEP deHALBLEITERSTRUKTUR MIT EINER AKTIVEN HALBLEITERSCHICHT DER III-V-ART AUF EINEM PUFFERSCHICHTSTAPEL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSTRUKTURenSEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING AN ACTIVE SEMICONDUCTOR LAYER OF THE III-V TYPE ON A BUFFER LAYER STACK AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR STRUCTUREfrSTRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE ACTIVE DU TYPE III-V ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LADITE STRUCTUREEP-A1- 2 565 907EP-A2- 2 525 417EP-A2- 2 696 365US-A1- 2008 217 645TINGKAI LI ET AL: "Chapter 2: Challenge of III-V Materials Integration with Si Microtelectronics", 1 January 2011, III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS: INTEGRATION WITH SILICON-BASED MICROELECTRONICS,, PAGE(S) 51 - 96, XP009189029DERLUYN, JoffStationstraat 143051 Sint-Joris-WeertBEDEGROOTE, StefanLobbensestraat 1853271 Scherpenheuvel-ZichemBESoitec Belgium NV102069904EPIG0004WO01EP1Kempische Steenweg 2933500 HasseltBEIP HILLS NV101722819Bellevue 5/5019050 Gent-LedebergBEALATBEBGCHCYCZDEDKEEESFIFRGBGRHRHUIEISITLILTLULVMCMKMTNLNOPLPTRORSSESISKSMTREP201506678520150722enWO201602019620160211201606