(19)
(11) EP 3 224 858 A1

(12)

(43) Date de publication:
04.10.2017  Bulletin  2017/40

(21) Numéro de dépôt: 15805588.9

(22) Date de dépôt:  17.11.2015
(51) Int. Cl.: 
H01L 21/02(2006.01)
H01L 33/18(2010.01)
H01L 33/24(2010.01)
 H01L 33/08(2010.01)
H01L 33/20(2010.01)
H01L 33/32(2010.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR2015/053107
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2016/083704 (02.06.2016 Gazette  2016/22)
(84) Etats contractants désignés:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Etats d'extension désignés:
BA ME
Etats de validation désignés:
MA MD

(30) Priorité: 24.11.2014 FR 1461345

(71) Demandeur: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
75015 Paris (FR)

(72) Inventeurs:
  • DUSSAIGNE, Amélie
    38690 Bizonnes (FR)
  • BONO, Hubert
    38000 Grenoble (FR)

(74) Mandataire: Thibon, Laurent 
Cabinet Beaumont 1, rue Champollion
38000 Grenoble
38000 Grenoble (FR)

   


(54) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE Á ÉLÉMENTS SEMICONDUCTEURS TRIDIMENSIONNELS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION