(19)
(11) EP 3 238 269 B8

(12) FASCICULE DE BREVET EUROPEEN CORRIGE
Avis: La bibliographie est mise à jour

(15) Information de correction:
Version corrigée no  1 (W1 B1)

(48) Corrigendum publié le:
20.01.2021  Bulletin  2021/03

(45) Mention de la délivrance du brevet:
12.08.2020  Bulletin  2020/33

(21) Numéro de dépôt: 15820282.0

(22) Date de dépôt:  15.12.2015
(51) Int. Cl.: 
H01L 29/778(2006.01)
H01L 29/06(2006.01)
H01L 29/861(2006.01)
H01L 29/20(2006.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/IB2015/059623
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2016/103111 (30.06.2016 Gazette  2016/26)

(54)

DISPOSITIF DE MODULATION COMPORTANT UNE NANO-DIODE

MODULATIONSVORRICHTUNG MIT EINER NANODIODE

MODULATION DEVICE COMPRISING A NANODIODE


(84) Etats contractants désignés:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

(30) Priorité: 22.12.2014 FR 1463140

(43) Date de publication de la demande:
01.11.2017  Bulletin  2017/44

(73) Titulaires:
  • Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.)
    75016 Paris (FR)
  • Université de Lille
    59800 Lille (FR)

(72) Inventeurs:
  • GAQUIERE, Christophe Pierre Paul
    59650 Villeneuve d'Ascq (FR)
  • DUCOURNAU, Guillaume
    59310 Orchies (FR)
  • FAUCHER, Marc
    59810 Lesquin (FR)

(74) Mandataire: Gevers & Orès 
Immeuble le Palatin 2 3 Cours du Triangle CS 80165
92939 Paris La Défense Cedex
92939 Paris La Défense Cedex (FR)


(56) Documents cités: : 
WO-A1-2014/134490
WO-A2-2007/072405
WO-A2-02/086973
   
  • SONG A M ET AL: "Unidirectional electron flow in a nanometer-scale semiconductor channel: A self-switching device", APPLIED PHYSICS LETTERS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, NY 11747, vol. 83, no. 9, 1 septembre 2003 (2003-09-01), pages 1881-1883, XP012035982, ISSN: 0003-6951, DOI: 10.1063/1.1606881
  • SANGARE PAUL ET AL: "Zero-bias GaN implanted Self-Switching Diode coupled with bow-tie antenna for THz applications", 2014 44TH EUROPEAN MICROWAVE CONFERENCE, EUROPEAN MICROWAVE ASSOCIATION, 6 octobre 2014 (2014-10-06), pages 806-809, XP032706806, DOI: 10.1109/EUMC.2014.6986557
  • MATEOS J ET AL: "Noise and Terahertz rectification in semiconductor diodes and transistors", NOISE AND FLUCTUATIONS (ICNF), 2011 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON, IEEE, 12 juin 2011 (2011-06-12), pages 16-21, XP032038873, DOI: 10.1109/ICNF.2011.5994291 ISBN: 978-1-4577-0189-4
  • SÁNCHEZ-MARTÍN H ET AL: "Voltage controlled sub-THz detection with gated planar asymmetric nanochannels", APPLIED PHYSICS LETTERS, A I P PUBLISHING LLC, US, vol. 113, no. 4, 043504, 25 July 2018 (2018-07-25), pages 1-4, XP012230270, ISSN: 0003-6951, DOI: 10.1063/1.5041507 [retrieved on 2018-07-25]
   
Il est rappelé que: Dans un délai de neuf mois à compter de la date de publication de la mention de la délivrance de brevet européen, toute personne peut faire opposition au brevet européen délivré, auprès de l'Office européen des brevets. L'opposition doit être formée par écrit et motivée. Elle n'est réputée formée qu'après paiement de la taxe d'opposition. (Art. 99(1) Convention sur le brevet européen).