ATBECHDEDKESFRGBGRITLILUNLSEMCPTIESILTLVFIROMKCYALTRBGCZEEHUPLSK..HRIS..MTNORS..SM..................*J0009290-CORR013265268KORRIGIERTE EUROPÄISCHE PATENTSCHRIFTB8B120250402W173deBibliographieenBibliographyfrBibliographieEP15713653.2201503042017100420190625dedede2025040220251420180110201802202407242024302024022920240724BG20240724ES20240724FI20241025GR20240724HR20241124IS20240724LV20241024NO20240724PL20241125PT20241024RS20250402202514B23K 26/70 20140101AFI20160914BHEP H01S 3/00 20060101ALI20160914BHEP G02B 5/00 20060101ALI20160914BHEP G21K 1/10 20060101ALI20160914BHEP B23K 101/00 20060101ALI20160914BHEP G02B 5/003 20130101 LI20151030BHEP B23K 26/704 20151001 LI20151030BHEP H05G 2/008 20130101 FI20171221BHEP deSTRAHLFALLE, STRAHLFÜHRUNGSEINRICHTUNG, EUV-STRAHLUNGSERZEUGUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM ABSORBIEREN EINES STRAHLSenBEAM TRAP, BEAM GUIDE DEVICE, EUV RADIATION GENERATING APPARATUS, AND METHOD FOR ABSORBING A BEAMfrPIÈGE À FAISCEAU, DISPOSITIF DE GUIDAGE DE FAISCEAU, DISPOSITIF DE PRODUCTION DE RAYONNEMENT EUV ET PROCÉDÉ D'ABSORPTION D'UN FAISCEAUWO-A1-2012/100846CN-A- 104 048 755DE-A1- 10 033 787DE-A1- 102010 036 161DE-A1- 102012 219 635DE-A1- 3 027 590JP-A- S60 119 502US-A- 4 511 216US-A- 4 864 098LAMBERT, MartinBühlstrasse 3771404 KorbDETRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing SE102051386SP11509EP(PCT)Johann-Maus-Strasse 271254 DitzingenDEKohler Schmid Möbus Patentanwälte100060092Partnerschaftsgesellschaft mbB Gropiusplatz 1070563 StuttgartDEALATBEBGCHCYCZDEDKEEESFIFRGBGRHRHUIEISITLILTLULVMCMKMTNLNOPLPTRORSSESISKSMTREP201505450720150304deWO201613895120160909201636