(19)
(11) EP 3 353 338 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
01.08.2018  Patentblatt  2018/31

(21) Anmeldenummer: 16759760.8

(22) Anmeldetag:  31.08.2016
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
C30B 23/00(2006.01)
C30B 29/40(2006.01)
C30B 23/06(2006.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2016/070539
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2017/050532 (30.03.2017 Gazette  2017/13)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
BA ME
Benannte Validierungsstaaten:
MA MD

(30) Priorität: 23.09.2015 DE 102015116068

(71) Anmelder: Forschungsverbund Berlin E.V.
12483 Berlin (DE)

(72) Erfinder:
  • DITTMAR, Andrea
    DE-12529 Schönefeld (DE)
  • HARTMANN, Carsten
    12167 Berlin (DE)
  • WOLLWEBER, Jürgen
    12524 Berlin (DE)
  • BICKERMANN, Matthias
    12355 Berlin (DE)

(74) Vertreter: Wablat Lange Karthaus 
Anwaltssozietät Potsdamer Chaussee 48
14129 Berlin
14129 Berlin (DE)

   


(54) (Sc,Y):AIN EINKRISTALLE FÜR GITTER-ANGEPASSTE AIGaN SYSTEME