[0001] Die Erfindung betrifft einen Steckverbinder.
[0002] Ein Steckverbinder ist z. B. aus der
DE 10 2008 042 824 A1 bekannt, welcher geeignet ist in ein Loch einer Leiterplatte eingeführt bzw. eingedrückt
zu werden. Der Steckverbinder weist einen näherungsweise zylinderförmigen Bereich
auf, in dem ein in eine Leiterplatte eingeführter Steckverbinder elektrischen Kontakt
mit der Leiterplatte herstellt, welcher im weiteren Kontaktbereich genannt wird. Der
herkömmliche Steckverbinder weist einen Einpresskörper auf, welcher aus Kupfer, Bronze
oder CuSn
6 hergestellt sein kann. Der Einpresskörper ist mit zwei zumindest teilweise aufeinander
angeordneten Schichten beschichtet, wobei die äußere Schicht Thiol umfasst. Das Thiol
dient als Passivierungs- bzw. Schmiermittel, um die beim Einpressen notwendigen Einpresskräfte
zu begrenzen. Der Nachteil dieses Steckverbinders besteht darin, dass eine organische
Zwischenschicht im Kontaktbereich notwendig ist, die die elektrischen Eigenschaften
negativ beeinflusst.
[0003] Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Nachteile nach dem Stand der Technik
zu beseitigen. Insbesondere soll ein Steckverbinder angegeben werden, welcher mit
niedrigen Einpresskräften in eine Leiterplatte eingepresst werden kann und der einfach
herzustellen ist.
[0004] Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst. Zweckmäßige Ausgestaltungen
der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
[0005] Nach Maßgabe der Erfindung wird ein Steckverbinder, umfassend einen Einpresskörper,
angegeben, welcher mit einer ersten Ni-haltigen Schicht und einer zweiten Ni-haltigen
Schicht beschichtet ist, wobei die erste und/oder die zweite Ni-haltige Schicht eine
nanokristalline oder amorphe Schicht ist.
[0006] Die erste Ni-haltige Schicht und die zweite Ni-haltige Schicht besitzen Korngrößen
in unterschiedlichen Größenordnungen. Insbesondere kann eine der Schichten mikrokristallin
und die andere nanokristallin oder amorph sein. Unter "mikrokristallin" wird eine
Korngröße im Bereich von 0,3 µm bis 7 µm, insbesondere 0,5 µm bis 3 µm, verstanden.
Unter "nanokristallin" wird eine Korngröße von 4 nm bis 200 nm, insbesondere 4 nm
bis 100 nm, insbesondere 4 nm bis 80 mn, insbesondere 4 nm bis 60 nm, verstanden.
Unter "amorph" wird verstanden, dass keine Kristallite mittels üblicher Verfahren
wie Röntgenbeugung, Elektronenbeugung oder Transmissionselektronenmikroskopie nachweisbar
sind.
[0007] Die Ni-haltigen Schichten enthalten insbesondere keine nennenswerten Mengen an organischen
Verunreinigungen. Zweckmäßigerweise enthalten die Ni-haltigen Schichten zumindest
80 Gew.%, insbesondere zu zumindest 90 Gew.% Nickel. Besonders bevorzugt enthalten
die Ni-haltigen Schichten zumindest 95 % Gew.%, insbesondere zumindest 97 Gew.% Nickel.
Die erste und die zweite Ni-haltige Schicht überlagern sich zumindest teilweise, vorzugsweise
überlagern sie sich vollflächig.
[0008] Der Vorteil des erfindungsgemäßen Steckverbinders liegt darin, dass er mittels galvanischer
Beschichtung, z. B. Bandgalvanik beschichtet werden kann. Eine separate Beschichtung
mittels eines organischen Hilfsmittels ist nicht erforderlich. Der erfindungsgemäße
Steckverbinder weist somit keine organische Beschichtung insbesondere im Kontaktbereich
auf, in dem der Steckverbinder beim Einpressen in eine Leiterplatte mit der Leiterplatte
kontaktiert wird.
[0009] In einer vorteilhaften Ausgestaltung ist eine der Ni-haltigen Schichten ein Mattnickel
und die andere Ni-haltige Schicht ein Glanznickel. Unter einem Glanznickel wird eine
Nickelbeschichtung verstanden, welche eine glatte, glänzende Oberfläche aufweist.
Ein Mattnickel weist eine matte, d. h. rauere Oberfläche auf. Zur Erzeugung eines
Glanz- bzw. eines Mattnickels können bekannte Elektrolyten eingesetzt werden.
[0010] In einer weiteren Ausgestaltung ist die erste oder die zweite Ni-haltige Schicht
des erfindungsgemäßen Steckverbinders eine amorphe Schicht, welche bis zu 15 Gew.
% Phosphor, insbesondere bis zu 10 Gew. % Phosphor, enthält. Durch den Zusatz von
Phosphor kann die amorphe Ni-haltige Schicht stabilisiert werden.
[0011] Vorzugsweise weist die nanokristalline und/oder amorphe Schicht eine Dicke von 0,1
bis 3 µm, insbesondere 0,1 bis 2,2 µm, insbesondere 0,1 bis 1 µm, insbesondere 0,1
bis 0,7 µm, insbesondere 0,1 bis 0,3 µm, auf. Die Schichtabfolge auf dem Einpresskörper
kann insbesondere aus einer der in Tabelle I aufgeführten Schichtabfolgen ausgewählt
sein:
Tabelle I
erste Ni-haltige Schicht |
zweite Ni-haltige Schicht |
dritte Ni-haltige Schicht |
amorph |
nanokristallin |
|
amorph |
mikrokristallin |
|
nanokristallin |
amorph |
|
nanokristallin |
mikrokristallin |
|
mikrokristallin |
amorph |
|
mikrokristallin |
nanokristallin |
|
nanokristallin |
mikrokristallin |
amorph |
nanokristallin |
mikrokristallin |
nanokristallin |
mikrokristallin |
nanokristallin |
amorph |
[0012] In einer bevorzugten Ausgestaltung umfasst der Einpresskörper des erfindungsgemäßen
Steckverbinders Kupfer, eine Kupferlegierung oder Stahl. Insbesondere kann die Kupferlegierung
eine Legierung aus CuFe, FuFe
2P, CuNiSn, CuNiSi, CuZn, CuSnZn, CuSn
4, CuSn
6 oder CuSn
8 sein.
[0013] In einer weiteren Ausgestaltung kann zwischen dem Einpresskörper und der ersten Ni-haltigen
Schicht eine Zwischenschicht aus Cu oder Sn angeordnet sein. Durch die Zwischenschicht
kann die Oberflächenrauheit weiter reduziert werden.
[0014] Nachführend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme
auf die Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen sind schematische Darstellungen
und zeigen:
- Fig. 1
- einen erfindungsgemäßen Steckverbinder,
- Fig. 2
- eine schematische Darstellung der Beschichtungsabfolge des Steckverbinders von Fig.
1,
- Fig. 3
- ein zweites Ausführungsbeispiel einer Schichtabfolge der Beschichtung eines Steckverbinders,
- Fig. 4
- ein drittes Ausführungsbeispiel der Beschichtungsabfolge eines Steckverbinders,
- Fig. 5
- ein viertes Ausführungsbeispiel einer Beschichtung eines Steckverbinders,
- Fig. 6
- ein Diagramm eines Reibversuchs,
- Fig. 7
- ein weiteres Diagramm eines Reibversuchs,
- Fig. 8
- eine schematische Darstellung einer TEM-Querschnittsabbildung einer Glanznickel-Oberfläche,
und
- Fig. 9
- eine schematische Darstellung einer TEM-Querschnittsabbildung einer amorphen NiP-Oberfläche.
[0015] Fig. 1 zeigt einen Steckverbinder 1, der zum Einpressen in eine Öffnung einer Leiterplatte
aus Kupfer, welche mit Bronze und/oder Zinn beschichtet ist, geeignet ist. Der Steckverbinder
1 umfasst eine Stiftspitze 10, einen Einpresskörper 2 mit einem Einpressbereich 11
und einen Befestigungsbereich 12. Der Steckverbinder 1 ist mit zwei Ni-haltigen Schichten,
die einander zumindest teilweise überlagern, beschichtet. Ein zylinderförmiger Abschnitt
des Einpressbereichs 11 dient als Kontaktfläche.
[0016] Fig. 2 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel des Schichtaufbaus des Steckverbinders
1. Der Einpresskörper 2 ist aus CuSn
6 hergestellt und besitzt eine Rauigkeit Ra = 0,5 µm. Darauf ist eine erste Ni-haltige
Schicht 3 mit einer durchschnittlichen Korngröße von 0,8 µm angeordnet. Die Endoberfläche
bildet eine nanokristalline zweite Ni-haltige Schicht 4, welche eine durchschnittliche
Korngröße von 30 nm aufweist. Durch die zweite Ni-haltige Schicht 4 mit nanokristalliner
Korngröße wird die Oberflächenhärte erhöht, welche bei einer Korngröße von 30 nm einen
E-Modul von 205 +/- 7 GPa und eine Eindruckhärte von 9,4 +/- 0,6 GPa aufweist. Durch
das nanokristalline Gefüge der zweiten Ni-haltigen Schicht 4 wird eine glattere Oberfläche
erzeugt, die verbesserte Gleiteigenschaften aufweist. Eine solche Schichtabfolge eignet
insbesondere für einen einmaligen Steckvorgang.
[0017] Fig. 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Schichtaufbaus eines Steckverbinders.
Der Schichtaufbau weist zwischen dem Einpresskörper 2 und der ersten Ni-haltigen Schicht
3 eine Zwischenschicht 5 auf. Die Zwischenschicht 5 besteht aus Zinn. Sie dient als
Haftvermittlerschicht sowie zur Einebnung der Rauigkeit des Einpresskörpers 2. Bei
der Zwischenschicht handelt es sich um eine nanokristalline Schicht mit einer Korngröße
von 30 nm. Alternativ kann die Zwischenschicht 5 auch aus Kupfer bestehen.
[0018] Fig. 4 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel eines Schichtaufbaus auf einem Einpresskörper
2 mit drei Ni-haltigen Schichten, wobei die erste Ni-haltige Schicht 3 eine nanokristalline
Schicht, die zweite Ni-haltige Schicht 4 eine mikrokristalline und die dritte Ni-haltige
Schicht 6 eine amorphe Schicht ist. Die amorphe Schicht enthält 12 Gew. % Phosphor.
Eine solche Ni-P Schicht hat einen E-Modul von 149 +/- 6 GPa und eine Eindruckhärte
von 9 +/- 0,7 GPa. Die Oberfläche der amorphen Schicht weist einen gleichbleibend
geringen Reibwiderstand gegenüber einer Kupferreibfläche auf. Ein Kaltverschweißen
gegen eine Kupfer- oder Bronzeschicht kann mit einem solchen Schichtaufbau minimiert
oder verhindert werden. Die amorphe Schicht weist eine erhöhte Stabilität gegen Reiboxidation
und eine geringe Schichtdegradation auf, so dass sie auch für wiederholte Steckanwendungen
gut geeignet ist.
[0019] Fig. 5 zeigt einen Schichtaufbau auf einem Einpresskörper 2 mit drei Ni-haltigen
Schichten, sowie einer Zwischenschicht 5. Die drei Ni-haltigen Schichten 3, 4, 6 entsprechen
denjenigen des in Fig. 4 gezeigten Ausführungsbeispiels. Die Zwischenschicht 5 besteht
aus Zinn.
[0020] Fig. 6 zeigt das Ergebnis von zwei Reibversuchen zwischen einem Kupferstift und einer
Scheibe, die mit einem Mattnickel bzw. einem Glanznickel beschichtet ist. Auf der
waagerechten Achse ist die Zeit aufgetragen, auf der senkrechten Achse ist der Reibungskoeffizient
(COF) aufgetragen. Die Kurve des Glanznickels zeigt eine Einlaufphase, in der der
Reibungskoeffizient während des Reibversuchs zunimmt, wohingegen der Reibungskoeffizient
bei dem Reibversuch auf Mattnickel einen näherungsweise gleichbleibenden Wert aufweist.
[0021] Fig. 7 ist ein Diagramm und zeigt einen Vergleich eines weiteren Reibversuchs zwischen
einem Kupferstift und einer mit Glanznickel bzw. einer amorphen Ni-P Schicht beschichteten
Scheibe. Die Reibversuche auf der amorphen Ni-P Schicht zeigen einen gleichbleibend
niedrigen Reibungskoeffizienten, während der Reibversuch auf dem Glanznickel einen
ansteigenden Reibungskoeffizienten aufweist. Nach 10 Reibzyklen tritt beim Glanznickel
ein Materialübertrag von Cu-Partikeln, wie in der schematischen Darstellung der mikroskopischen
Untersuchung in Fig. 8 ersichtlich ist, auf. Bei einer amorphen Ni-P Schicht wurde
kein Materialübertrag an der Reiboberfläche nach 10 Reibzyklen beobachtet, wie in
Fig. 9 gezeigt ist.
BEZUGSZEICHENLISTE
[0022]
- 1
- Steckkontakt
- 2
- Einpresskörper
- 3
- erste Ni-haltige Schicht
- 4
- zweite Ni-haltige Schicht
- 5
- Zwischenschicht
- 6
- dritte Ni-haltige Schicht
- 10
- Stiftspitze
- 11
- Einpressbereich
- 12
- Befestigungsbereich
1. Steckverbinder (1), umfassend einen Einpresskörper (2), welcher mit einer ersten Ni-haltigen
Schicht (3) und einer zweiten Ni-haltigen Schicht (4) beschichtet ist,
wobei die erste (3) und/oder die zweite Ni-haltige Schicht (4) eine nanokristalline
oder amorphe Schicht ist.
2. Steckverbinder nach Anspruch 1, wobei eine der Ni-haltigen Schichten (3, 4) ein Mattnickel
und die andere Ni-haltige Schicht ein Glanznickel ist.
3. Steckverbinder nach Anspruch 1, wobei die erste oder die zweite Ni-haltige Schicht
(3, 4) eine amorphe Schicht ist, welche bis zu 15 Gew.% Phosphor, insbesondere bis
zu 10 Gew.% Phosphor enthält.
4. Steckverbinder nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die nanokristalline
und/oder die amorphe Schicht eine Dicke von 0,1 - 3 µm, insbesondere 0,1 - 2,2 µm,
insbesondere 0,1 - 1 µm, insbesondere 0,1 - 0,7 µm, insbesondere 0,1 - 0,3 µm aufweist.
5. Steckverbinder nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei auf der zweiten Ni-haltigen
Schicht (4) eine dritte Ni-haltige Schicht (6) angeordnet ist.
6. Steckverbinder nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Ni-haltige
Schicht (4) mikrokristallin und die dritte Ni-haltige Schicht (6) nanokristallin oder
amorph ist.
7. Steckverbinder nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Einpresskörper (2)
aus Kupfer, einer Kupferlegierung oder Stahl besteht.
8. Steckverbinder nach Anspruch 7, wobei die Kupferlegierung eine Legierung aus CuFe,
FuFe2P, CuNiSn, CuNiSi, CuZn, CuSnZn, CuSn4, CuSn6 oder CuSn8 ist.
9. Steckverbinder nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zwischen dem Einpresskörper
(2) und der ersten Ni-haltigen Schicht (3) eine Zwischenschicht (5) aus Cu oder Sn
angeordnet ist.