(19)
(11) EP 3 404 730 B8

(12) FASCICULE DE BREVET EUROPEEN CORRIGE
Avis: La bibliographie est mise à jour

(15) Information de correction:
Version corrigée no  1 (W1 B1)

(48) Corrigendum publié le:
18.12.2019  Bulletin  2019/51

(45) Mention de la délivrance du brevet:
23.10.2019  Bulletin  2019/43

(21) Numéro de dépôt: 18170884.3

(22) Date de dépôt:  04.05.2018
(51) Int. Cl.: 
H01L 45/00(2006.01)
 H01L 27/24(2006.01)

(54)

MEMOIRE NON VOLATILE FAVORISANT UNE GRANDE DENSITE D'INTEGRATION

NICHT-FLÜCHTIGER SPEICHER, DER EINE GROSSE INTEGRATIONSDICHTE BEGÜNSTIGT

NON-VOLATILE MEMORY PROMOTING HIGH INTEGRATION DENSITY

(84) Etats contractants désignés:
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

(30) Priorité: 12.05.2017 FR 1754181

(43) Date de publication de la demande:
21.11.2018  Bulletin  2018/47

(73) Titulaires:
  • COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
    75015 Paris (FR)
  • Université d'Aix Marseille
    13007 Marseille 7 (FR)
  • Centre National de la Recherche Scientifique
    75016, Paris 16 (FR)

(72) Inventeurs:
  • PORTAL, Jean-Michel
    13119 SAINT-SAVOURNIN (FR)
  • BARLAS, Marios
    38400 ST MARTIN D'HÈRES (FR)
  • GRENOUILLET, Laurent
    38640 CLAIX (FR)
  • VIANELLO, Elisa
    38000 GRENOBLE (FR)

(74) Mandataire: GIE Innovation Competence Group 
310, avenue Berthelot
69372 Lyon Cedex 08
69372 Lyon Cedex 08 (FR)


(56) Documents cités: : 
EP-A1- 2 178 122
US-A1- 2012 012 944
US-B1- 8 598 560
 CN-A- 102 738 390
US-A1- 2013 221 317
   
  • CHIN YU MEI ET AL: "28nm high-k metal gate RRAM with fully compatible CMOS logic processes", VLSI TECHNOLOGY, SYSTEMS, AND APPLICATIONS (VLSI-TSA), 2013 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON, IEEE, 22 avril 2013 (2013-04-22), pages 1-2, XP032431005, DOI: 10.1109/VLSI-TSA.2013.6545590 ISBN: 978-1-4673-3081-7
   
Il est rappelé que: Dans un délai de neuf mois à compter de la date de publication de la mention de la délivrance de brevet européen, toute personne peut faire opposition au brevet européen délivré, auprès de l'Office européen des brevets. L'opposition doit être formée par écrit et motivée. Elle n'est réputée formée qu'après paiement de la taxe d'opposition. (Art. 99(1) Convention sur le brevet européen).